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最新专利技术
  • 具有偶极部的半导体元件及其制备方法
    具有偶极部的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510332962.5
    本公开提供一种具有偶极部的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一栅极结构，设置在一半导体基底上方；以及一介电层，围绕该栅极结构。该半导体元件亦包括一源极区和一漏极区，设置在该半导体基底中并位在该栅极结构的相对侧上。该半导体元件还包括一第...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510140032.X
    实施方式提供能够抑制漏电流的产生的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极及第二电极。第二电极包含在第二方向上与第三半导体区域相接的接触...
    2026-04-11
  • 一种p沟道氮化镓晶体管结构及其制备方法
    一种p沟道氮化镓晶体管结构及其制备方法_西交利物浦大学_202511919802.7
    本发明提供了一种p沟道氮化镓晶体管结构及其制备方法，包括依次层叠设置的衬底层、氮化镓层、铝镓氮层、p型铟镓氮沟道层和p型铟镓氮层；p型铟镓氮层的中部开设有底部位于p型铟镓氮沟道层表面的栅凹槽；栅凹槽两侧的p型铟镓氮层在远离p型铟镓氮沟道层的...
    2026-04-11
  • 增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法
    增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511900494.3
    本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，通过在P型栅极结构中设置掺杂浓度更大的P型δ掺杂层，从而在P型栅极能带结构中形成电子势垒，在器件工作过程中，电子势垒会阻碍电子在栅极结构中流动，从而降低漏电，同时避免电子对栅极金属的轰击，...
    2026-04-11
  • HEMT器件及其制造方法
    HEMT器件及其制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511886767.3
    本发明提供一种HEMT器件的制造方法和HEMT器件，方法包括：形成底层结构，底层结构至少包括基底层和位于基底层上方的沟道层，在底层结构的上表面形成第一势垒层，形成图案化的第一介质层，第一介质层具有第一开口，第一开口下表面的开口宽度小于上表面...
    2026-04-11
  • HEMT器件
    HEMT器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511874896.0
    本发明提供一种HEMT器件，通过N型掺杂半导体调节层和/或P型掺杂半导体调节层的设置，可通过掺杂极性、掺杂浓度及厚度的控制，准确调控2DEG浓度，提升电场调控能力，实现渐变电场分布，实现导通电阻(Ron)与击穿电压(BV)之间的平衡；可降低...
    2026-04-11
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511980858.3
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底具有第一导电类型；在衬底上形成外延结构，外延结构包括第一外延层、第二外延层和第三外延层，第一外延层中形成有露出衬底的部分表面的沟槽，第二外延层覆盖沟槽的底部和侧壁，第三外延层覆盖第二...
    2026-04-11
  • 一种元素组分调节的耗尽型和增强型ScAlN/GaN基HEMT的制备方法
    一种元素组分调节的耗尽型和增强型ScAlN/GaN基HEMT的制备方法_北京大学_202511895099.0
    本发明公开了一种元素组分调节的耗尽型和增强型ScAlN/GaN基HEMT的制备方法，属于半导体器件领域。本发明利用Sc组分调控ScAlN自发极化和压电极化，实现了对ScAlN/GaN异质结二维载流子的调节，从而在同一技术路线下实现耗尽型和增...
    2026-04-11
  • SGT器件的制造方法
    SGT器件的制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511894635.5
    本发明公开了一种SGT器件的制造方法，包括：步骤一、形成栅极沟槽。步骤二、进行场氧生长形成场氧化层。步骤三、采用多晶硅淀积加回刻在栅极沟槽中形成当前层的阶梯多晶硅场板。步骤四、进行场氧刻蚀将当前层的阶梯多晶硅场板的顶部表面之上的场氧化层的厚...
    2026-04-11
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_杭州富芯半导体有限公司_202511825783.1
    本申请提供了一种半导体器件的制造方法，包括：在深沟槽中填充具有第二类型掺杂的材质，且填充的具有第二类型掺杂的材质的顶部低于深沟槽顶部开口；在具有第二类型掺杂的材质顶部的深沟槽侧壁形成侧墙；以侧墙作为保护掩模，沿深沟槽深度方向去除未被侧墙覆盖...
    2026-04-11
  • 一种屏蔽栅沟槽型金属氧化物场效应管及其制造方法
    一种屏蔽栅沟槽型金属氧化物场效应管及其制造方法_杭州富芯半导体有限公司_202511822584.5
    本申请提供了一种SGT MOSFET的制造方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的器件区形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁和底壁形成第一氧化层，从而在第一沟槽内形成第二沟槽；在半导体衬底表面以及第二沟槽中形成保护掩模层，保护掩模层位于第二沟槽...
    2026-04-11
  • 沟槽栅器件的制造方法
    沟槽栅器件的制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511776594.X
    本发明公开了一种沟槽栅器件的制造方法，包括：在半导体衬底的表面区域中形成沟道区，沟道区底部的半导体衬底形成漂移区。形成多个栅极沟槽，包括位于原胞区中的第一栅极沟槽和位于终端区中的第二栅极沟槽，最外侧的第二栅极沟槽的外侧侧面被漂移区单侧覆盖而...
    2026-04-11
  • 一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法
    一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法_无锡英诺赛思科技有限公司_202511771248.2
    本发明公开了一种碳化硅沟槽栅型MOSFET功率器件的制备方法，包括：衬底缓冲层沉积、栅氧化层制备、沟槽刻蚀、栅极金属层沉积、源漏区离子注入及源漏金属层沉积与退火六个步骤。制备过程中整合多物理场耦合动态热阻模型、多工况热可靠性边界算法、全工作...
    2026-04-11
  • 沟槽栅MOSFET及形成方法
    沟槽栅MOSFET及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511578212.2
    本发明提供了一种沟槽栅MOSFET及形成方法，包括：在元胞区外延层内形成第一沟槽，在栅极引出区的外延层内形成第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽内均形成第一栅介质层和第一控制栅；在元胞区第一控制栅的两侧形成第三沟槽，在位于栅极引出区的第一控制栅的...
    2026-04-11
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202511326797.9
    具备将第一导电型柱(14a)和第二导电型柱(14b)沿着至少一个方向交替地反复配置的超结构造的半导体装置(1)的制造方法具备：在第二导电型半导体层(14A)上形成中间膜(42)的工序；在形成中间膜的工序之后，在中间膜上形成包含金属的遮挡膜(...
    2026-04-11
  • 一种MOS器件及其制备方法
    一种MOS器件及其制备方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411303130.2
    本发明涉及一种MOS器件及其制备方法，该方法包括：在半导体衬底上形成STI结构；在形成有STI结构的半导体衬底上采用离子注入形成P型阱区和N型阱区；其中，位于所述STI结构下方的P型阱区和N型阱区形成重叠区域或具有一定间距；在所述P型阱区或...
    2026-04-11
  • 二极管触发的可控硅整流器
    二极管触发的可控硅整流器_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202511030557.4
    本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及二极管触发的可控硅整流器及制造方法。该结构包括：竖直可控硅整流器(SCR)，其具有位于半导体衬底上方的掺杂半导体材料区；以及至少一个竖直触发二极管，其串联地电连接到SCR，并且具有位于半导体衬底中的掺杂...
    2026-04-11
  • 具备逆导特性的IGBT器件及其制造方法
    具备逆导特性的IGBT器件及其制造方法_重庆万国半导体科技有限公司_202512016864.3
    本发明公开了一种具备逆导特性的IGBT器件及其制造方法，包括：在硅衬底上通过离子注入形成终端注入区；在硅衬底上定义有源区，并在所述有源区制作形成有源区沟槽；在所述有源区沟槽中填充多晶硅，并通过离子注入形成体区和源区；在所述硅衬底上形成终端区...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510032432.9
    本发明的实施方式涉及半导体装置。根据本实施方式，半导体装置具备半导体层、第1电极、以及第2电极。半导体层中的晶体管区域的第1区域是在半导体层的第1面与第1区域之间设置的第1导电类型。第2区域是在半导体层的第1面与第1区域之间设置的第2导电类...
    2026-04-11
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511752681.1
    本发明提供一种半导体装置包括电容器结构，该电容器结构包括具有多个氧化铝层和多个氧化锆层的绝缘层堆叠。绝缘层堆叠形成于电容器结构的底部电极层上。氧化铝层在绝缘层堆叠的底部和顶部的排列防止氧从氧化锆层迁移到电容器结构的电极层，同时达成比具有不同...
    2026-04-11
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