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最新专利技术
  • 多层电子装置封装
    多层电子装置封装_德州仪器公司_202511143720.8
    本公开涉及一种多层电子装置封装。一种电子装置(100)包含裸片(110)、接地裸片附接衬垫(104)和电力供应裸片附接衬垫(106)。线接合件(112)将接地网从所述裸片(110)连接到所述接地裸片附接衬垫(104)。额外线接合件(112)...
    2026-03-24
  • 包括连接端子的半导体封装件
    包括连接端子的半导体封装件_三星电子株式会社_202510586425.3
    一种半导体封装件包括：基体芯片；多个存储器芯片，设置在基体芯片上；密封构件，设置在基体芯片上，并且靠近所述多个存储器芯片的侧表面；以及多个连接端子，设置在基体芯片的与所述多个存储器芯片相对的底表面上，其中，基体芯片的底表面包括第一区域和设置...
    2026-03-24
  • 用于在基座上烧结结构的系统和方法
    用于在基座上烧结结构的系统和方法_益纳利科技私人有限公司_202510475609.2
    本发明提供一种用于在基座(10)上烧结一个或多个结构的系统和方法。所述系统包括至少一个烧结单元(50)，被配置成烧结基座(10)上的结构。更具体地，烧结单元(50)将对基座(10)上的结构施加力并提供热量以使结构烧结，其中，板(521)被设...
    2026-03-24
  • 用于形成电子器件的方法和设备
    用于形成电子器件的方法和设备_JCET星科金朋韩国有限公司_202411270472.9
    本申请提供了一种用于形成电子器件的方法和设备。所述方法包括：提供衬底；经由焊膏将至少一个电子元件放置在所述衬底上；向所述衬底和所述焊膏提供惰性气氛，其中，所述惰性气氛与空气气氛相比具有更小的氧气分压；以及在所述惰性气氛内通过加热工艺对所述焊...
    2026-03-24
  • 半导体刚性芯片级封装及其制造方法
    半导体刚性芯片级封装及其制造方法_万国半导体国际有限合伙公司_202411275246.X
    一种半导体封装，包括：半导体基板，具有正面和与半导体基板正面相对的背面；多个接触垫，附接至半导体基板正面；第一厚金属层，具有正面和与第一厚金属层正面相对的背面，第一厚金属层的正面通过一种子层附接至半导体基板的背面；以及第二厚金属层，具有正面...
    2026-03-24
  • 聚酰亚胺裸片衬底
    聚酰亚胺裸片衬底_德州仪器公司_202511158324.2
    本申请涉及一种聚酰亚胺裸片衬底。在实例中，一种半导体封装(100)包括半导体裸片(106)，所述半导体裸片具有包含电路系统的装置侧和与所述装置侧相对的非装置侧。所述半导体封装包括通过粘合剂层(104)耦合到所述半导体裸片的所述非装置侧的聚酰...
    2026-03-24
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202510378923.9
    本发明公开一种电子装置，包括至少一第一电子单元、一模封层以及一电路结构。模封层围绕第一电子单元。电路结构设置在模封层的一侧且电连接到第一电子单元。电路结构包括一第一部分和一第二部分，在电子装置的一法线方向上，第二部分设置在第一部分与第一电子...
    2026-03-24
  • 一种超薄芯片埋置基板及其制作方法
    一种超薄芯片埋置基板及其制作方法_无锡中微高科电子有限公司_202511794942.6
    本发明涉及一种超薄芯片埋置基板及其制作方法。本发明包括封装基板，封装基板具有至少一个自其上表面向内凹设的开口腔体；超薄芯片，设置于开口腔体内，超薄芯片的有源面朝向封装基板的上表面，并与封装基板的上表面形成共平面结构；塑封材料，填充于超薄芯片...
    2026-03-24
  • 一种芯片封装方法及芯片封装载板结构
    一种芯片封装方法及芯片封装载板结构_山东瑞启微电子科技有限公司_202511657238.6
    本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装载板结构，包括载板主体，载板主体采用电绝缘材料制成，载板主体上设有用于容纳电子元件的镂空区，镂空区周围布置有用于与电子元件引脚连接的引脚，载板主体上设有蚀刻区，蚀刻区内填充有非导电材料，非导电材料与芯片...
    2026-03-24
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510164258.3
    提供壳体与基座板的粘接性提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具有电路基板、基座板、壳体和凹部。电路基板搭载有半导体元件。基座板通过支撑面对电路基板进行支撑。壳体在支撑面的法线方向上通过粘接区域而粘接于基座板。壳体将电路基板包围。基座板具有...
    2026-03-24
  • 半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置
    半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置_麦克赛尔株式会社_202511899866.5
    本发明提供一种半导体装置用基板、半导体装置用基板的制造方法以及半导体装置。本发明更廉价地提供一种简化了搭载衬垫主体部和外部电极主体部的结构、不对磁产生感应的具备搭载衬垫主体部和外部电极主体部的半导体装置用基板。本发明的半导体装置用基板在基板...
    2026-03-24
  • 面向高压级联模块的高功率密度超低感集成混合封装结构
    面向高压级联模块的高功率密度超低感集成混合封装结构_重庆大学_202511837810.7
    面向高压级联模块的高功率密度超低感集成混合封装结构，包括：两个级联回路低热应力混合封装板。本发明提供了面向多级高压级联拓扑的形低感集成结构，在电感削减上，采用形对称的模块结构，构建了磁通面积最小化的功率回路，确保了纳秒级的高开关速度，通过较...
    2026-03-24
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511306187.2
    通过垂直集成(例如，接合)半导体管芯来形成半导体器件(例如，集成芯片上系统(SoIC)器件)，其中，半导体管芯的每个具有前侧互连结构并且具有背侧互连结构。使用前侧至前侧接合工艺来接合集成半导体管芯，这减小了集成半导体管芯之间的通信路径的长度...
    2026-03-24
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511302015.8
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中，一种电子装置包含第一基板、耦合到所述第一基板的一侧的电子组件，以及耦合到所述第一基板的所述侧的竖直互连结构。所述竖直互连结构包含耦合到所述第一基板的所述侧的第一互连结构，以及具有耦合到所述第一互连...
    2026-03-24
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511301801.6
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中，一种电子装置包括：基板，其具有第一导电结构；电子组件，其在所述基板的第一侧处耦合到所述第一导电结构，其中所述电子组件包含面向所述基板的所述第一侧的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；竖直互连件，其围...
    2026-03-24
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511300905.5
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个示例中，一种电子装置包含：基板，其具有导电结构；电子组件，其在所述基板的第一侧处耦合到所述导电结构，其中所述电子组件包含面向所述基板的所述第一侧的第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；竖直互连件，其围绕所述电...
    2026-03-24
  • 半导体封装结构
    半导体封装结构_联发科技股份有限公司_202511223938.4
    本发明提供了一种半导体封装结构。该半导体封装结构包括一个基板、一个第一半导体芯片、一个第二半导体芯片、一个桥接结构和一个存储结构。该基板包括布置在介电层中的布线结构。第一半导体芯片和第二半导体芯片布置在基板上。桥接结构嵌入基板中。第一半导体...
    2026-03-24
  • 封装基板及包括其的半导体封装件
    封装基板及包括其的半导体封装件_爱玻索立克公司_202511281367.X
    根据实施方式的封装基板包括：芯层；第一导电层，其为与上述芯层的上表面相接布置的导电层；及附着增强层，布置在上述芯层上且包绕上述第一导电层的至少一部分。附着增强层包括选自由有机硅类化合物、丙烯酸类化合物及其组合组成的组中的一种。第一导电层的上...
    2026-03-24
  • 功率模块的封装结构
    功率模块的封装结构_重庆奕能科技有限公司_202511948080.8
    本申请公开了一种功率模块的封装结构，包括：第二基板，包括相对的第一表面和第二表面；至少一个半导体芯片，位于所述第二基板的第一表面上；转接板，具有相对的第一表面和第二表面，所述转接板包括第三基板和位于所述第三基板中的布线层；多个焊球，所述焊球...
    2026-03-24
  • 功率模块的封装结构
    功率模块的封装结构_重庆奕能科技有限公司_202511913620.9
    本申请公开了一种功率模块的封装结构，包括：第二基板，及位于所述第二基板上的多个半导体芯片，其中，所述第二基板包括层叠的绝缘层和金属层，所述金属层包括沿第二方向排列设置的第一区域、第二区域和第三区域，其中，所述第一区域、第二区域和第三区域相互...
    2026-03-24
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