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最新专利技术
  • 半导体器件及制作方法
    半导体器件及制作方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511726582.6
    本申请公开了一种半导体器件及制作方法，其中，半导体器件的制作方法包括提供一第一基板，所述第一基板具有相对设置的第一表面和第二表面；在所述第一表面上形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露部分所述第一基板；通过各向同性刻蚀去除被所述开口暴露的第一基...
    2026-03-18
  • CT探测器封装方法及结构
    CT探测器封装方法及结构_奕瑞影像科技(太仓)有限公司_202511683182.1
    本发明提供一种CT探测器封装方法及结构，通过在PCB板上设置定位基准标记，并在封装过程中始终以该定位基准标记为对位依据，依次完成芯片、高能闪烁体与低能闪烁体的贴合以及与CT探测器结构件的组装，确保了各部件在整个封装流程中能够精准对位，显著提...
    2026-03-18
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510790139.9
    一种图像传感器可以包括：衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括多个光电转换部分；第一隔离结构，其设置在衬底中以将光电转换部分彼此分离；氧化物结构，其位于第一隔离结构上；以及微透镜，其位于氧化物结构上。第一隔离结构和微透镜可以彼此...
    2026-03-18
  • 一种基于单晶Bi2O2Se的p型感存算一体器件
    一种基于单晶Bi2O2Se的p型感存算一体器件_电子科技大学_202511854026.7
    本发明提供一种基于单晶Bi2O2Se的p型感存算一体器件，属于半导体器件制备技术领域。该器件选用空气中稳定的强p型Bi2O2Se薄膜作为器件基础材料，利用稳定可控的氧缺陷注入技术和材料本征铁电性，实现了光生载流子的有效俘获，从而在单一Bi2...
    2026-03-18
  • 一种改善探测率的单光子雪崩探测器及其制备方法
    一种改善探测率的单光子雪崩探测器及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511616740.2
    本发明公开了一种改善探测率的单光子雪崩探测器及其制备方法，包括InP衬底以及在InP衬底的正面由下至上依次生长的InP缓冲层、周期性Al1‑xInxAs/InP/Al1‑yInyAs应变层、GaInAs吸收层、周期性Al1‑zInzAs/I...
    2026-03-18
  • 一种柔性InP基半导体薄膜结构及其制备方法
    一种柔性InP基半导体薄膜结构及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511616619.X
    本发明公开了一种柔性InP基半导体薄膜结构及其制备方法，包括InP基外延片和柔性基底，InP基外延片包括单面抛光的GaAs衬底以及在单面抛光的GaAs衬底的正面由下至上依次生长的AlAs剥离层、GaAs缓冲层、周期性Inx(Al1‑yGay...
    2026-03-18
  • 光纤集成单光子探测器的制备方法及单光子探测器
    光纤集成单光子探测器的制备方法及单光子探测器_南京大学_202511808589.2
    本申请公开了一种光纤集成单光子探测器的制备方法和单光子探测器，方法包括采用飞秒激光直写技术在第一衬底内部形成第一波导芯；对第一衬底的上表面进行抛磨，得到包含第二波导芯的第二衬底；在第一表面上制备超导纳米线；将包含超导纳米线的第二衬底安装于探...
    2026-03-18
  • 一种基于聚苯乙烯纳米微球阵列的宽波段光电探测器及制备方法
    一种基于聚苯乙烯纳米微球阵列的宽波段光电探测器及制备方法_无锡学院_202610117992.9
    本发明公开了一种基于聚苯乙烯纳米微球阵列的宽波段光电探测器及制备方法，属于光电探测器技术领域，该宽波段光电探测器从下至上依次由硅/二氧化硅基底、金电极、光吸收层黑磷和聚苯乙烯纳米微球组成，聚苯乙烯纳米微球呈六方密排结构覆盖于黑磷吸收层表面的...
    2026-03-18
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_英利能源发展有限公司_202511859577.2
    本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件，包括四分片电池串和二分片电池串；所述四分片电池串具有四列电池串，每两列电池串并联形成一个电池单元，分别为第一电池单元和第二电池单元；所述二分片电池串具有两列电池串，分别为第三电池单元和第四...
    2026-03-18
  • 一种光伏组件及其制造方法
    一种光伏组件及其制造方法_晶科能源(上饶)有限公司_202511839126.2
    本申请涉及一种光伏组件及其制造方法，光伏组件包括：电池串和汇流条，电池串沿第一方向延伸，汇流条沿第二方向延伸，汇流条与多个电池串电连接；汇流条在第二方向上的中心的尺寸大于汇流条在第二方向上的边缘的尺寸。在本申请中，汇流条在第二方向上的中心处...
    2026-03-18
  • 太阳能电池片及光伏组件
    太阳能电池片及光伏组件_隆基乐叶光伏科技有限公司_202511821355.1
    本发明提供了一种太阳能电池片及光伏组件。太阳能电池片包括：多个第一集电电极、多个第二集电电极、多个第一汇流结构和多个第二汇流结构，第一汇流结构包括：相对设置的两个第一端部连接线以及多个第一焊盘；第一集电电极在对应第一端部连接线的位置具有第一...
    2026-03-18
  • 一种柔性硅基-磷化铟太阳电池及其制备方法
    一种柔性硅基-磷化铟太阳电池及其制备方法_华南理工大学_202511581461.7
    本发明属于太阳电池的技术领域，公开了一种柔性硅基‑磷化铟太阳电池及其制备方法。所述柔性的硅基‑磷化铟太阳电池，包括从下到上依次层叠的下电极，柔性硅太阳电池，第一透明导电层，导电粘合剂，第二透明导电层，磷化铟太阳电池；磷化铟太阳电池上设有减反...
    2026-03-18
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_浙江晶科能源有限公司_202511908115.5
    本申请涉及光伏技术领域，提供一种光伏组件及其制备方法，至少可以提高光伏组件的可靠性。光伏组件的制备方法包括：提供层压件，层压件包括主体区以及与主体区连接的边缘区，边缘区具有第一面以及与第一面相对两端分别连接且相正对的第二面；提供绝缘膜，并将...
    2026-03-18
  • 一种太阳能发电夹层调光玻璃及其制备方法与应用
    一种太阳能发电夹层调光玻璃及其制备方法与应用_明池玻璃(安徽)有限公司_202511839786.0
    本发明提供了一种太阳能发电夹层调光玻璃及其制备方法与应用，涉及功能玻璃制备技术领域，适用于汽车天幕等场景。该玻璃由第一玻璃基片、粘接层、功能层、第二粘接层及第二玻璃基片依次组成，功能层采用模块化分区设计，集成光电转化模块、PDLC调光模块与...
    2026-03-18
  • 一种TOPCon光伏组件用EVA胶膜贴合设备
    一种TOPCon光伏组件用EVA胶膜贴合设备_中润光能科技(徐州)有限公司_202511701869.3
    本发明公开了一种TOPCon光伏组件用EVA胶膜贴合设备，包括机台、贴合机构和去气泡机构。机台上安装有贴合台。贴合机构包括支架、第一气缸、密封罩和上压板机构，支架安装于机台上，且横跨贴合台，第一气缸安装于支架上，密封罩安装于第一气缸自由端，...
    2026-03-18
  • 太阳能电池模块
    太阳能电池模块_丰田自动车株式会社_202511258818.8
    本发明提供一种能够抑制水分侵入到太阳能电池元件中的太阳能电池模块。太阳能电池模块具备：密封层，密封太阳能电池元件；表面保护部件，相对于密封层配置于光入射侧；背面保护部件，相对于密封层配置于与光入射侧相反的一侧；吸湿层，以覆盖密封层的侧面的方...
    2026-03-18
  • 光电模组结构及其制造方法
    光电模组结构及其制造方法_山青股份有限公司_202511207945.5
    一种光电模组结构及其制造方法，其光电模组结构包含：一光电元件及一反射膜结构元件，光电元件依序堆叠地设置一第一玻璃基材、一太阳能发电结构及一第二玻璃基材；反射膜结构元件依序堆叠地设置一玻璃基材、一辅助层及一反射层，反射层具单层或多层反射膜，反...
    2026-03-18
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610162780.2
    本申请涉及一种光伏组件，包括：第一电池串组；所述第一电池串组包括多个并联的第一电池串，各个所述第一电池串的电池片沿第一方向排布；沿所述第一方向相对设置的第二电池串组和第三电池串组；所述第二电池串组和所述第三电池串组均包括两个相对设置、并联的...
    2026-03-18
  • 一种带边可调的化合物太阳电池结构及其制备方法
    一种带边可调的化合物太阳电池结构及其制备方法_上海空间电源研究所_202511673642.2
    本发明提供了一种带边可调的化合物太阳电池结构及其制备方法，所述带边可调的化合物太阳电池结构包含支撑衬底、背场层、基区层、带隙调控层、发射区层、窗口层和接触层。其中带隙调控层由两端的GaAs缓冲层以及中间周期排列的GaAs1‑yPy层I、In...
    2026-03-18
  • 静电放电保护器件
    静电放电保护器件_意法半导体国际公司_202511210549.8
    本公开涉及静电放电保护器件。本说明书涉及一种被配置为保护电子元件免受静电放电影响的电子器件，所述电子器件包括从半导体衬底的第一表面在半导体衬底中在深度上延伸的半导体区，所述半导体区包括第一导电类型的第一半导体区，并且包括与第一导电类型相反的...
    2026-03-18
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