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最新专利技术
  • 包括鳍形图案的半导体装置
    包括鳍形图案的半导体装置_三星电子株式会社_202510738489.0
    提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；第一有源图案，在基底上在第一方向上延伸；第二有源图案，在基底上在第一方向上延伸，第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上与第一有源图案间隔开；多个纳米片，在第一有源图案上在与第一方向和第二方向...
    2026-03-19
  • 一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件
    一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件_无锡美偌科微电子有限公司_202511907315.9
    本发明公开了一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件，涉及功率半导体器件领域，包括有源区以及环绕包围所述有源区的终端区；有源区内包括沿第一方向平行交替设置的多个长元胞沟槽及短元胞沟槽；终端区内包括N个环绕包围有源区的终端沟槽，终端沟槽包括两个与第...
    2026-03-19
  • 碳化硅逻辑器件及其制备方法
    碳化硅逻辑器件及其制备方法_嘉善复旦研究院_202511865131.0
    本申请涉及一种碳化硅逻辑器件及其制备方法。该碳化硅逻辑器件，包括：叠层结构，包括碳化硅衬底以及依次层叠于其上的P型导电层和N型导电层；设于N型导电层中且间隔设置的源极结构和漏极结构；设于N型导电层的上表面的绝缘层，以及设于绝缘层位于源极结构...
    2026-03-19
  • 包括沟槽结构的半导体晶体管器件
    包括沟槽结构的半导体晶体管器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511206486.9
    半导体晶体管器件包括沿竖向方向从宽带隙半导体主体第一表面延伸到宽带隙半导体主体中的栅极沟槽结构，其包括栅极沟槽电介质和栅极沟槽电极。半导体晶体管器件包括邻接栅极沟槽结构第一侧壁的第一导电类型主体区。第一横向方向垂直于第二横向方向。半导体晶体...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510424185.7
    本发明的实施方式提供导通电阻低且能进行高效率的电力控制的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、设于第一电极与所述第二电极之间的第一导电型的第一半导体区域、及沿从第一电极朝向第二电极的第一方向延伸且设于第一半导体区域的上部的...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510091457.6
    提供能够提高栅极阈值电压的半导体装置。实施方式的半导体装置具有半导体部件、漏极电极、栅极电极、源极电极和绝缘膜。在半导体部件中设有第1槽及第2槽。栅极电极配置于第1槽的内部。源极电极配置于第2槽的内部。绝缘膜设置于第2槽的内侧面。绝缘膜包含...
    2026-03-19
  • 一种晶体管、存储阵列以及电子设备
    一种晶体管、存储阵列以及电子设备_华为技术有限公司_202411259859.4
    本申请实施例提供了一种晶体管、存储阵列以及电子设备，涉及电子器件领域，能够提高存储的安全性以及存储性能。该晶体管包括：衬底，栅极结构。衬底之上设置有沟槽，源极区和漏极区。栅极结构设置于沟槽内。栅极结构中包括介质层，第一填充区，第二填充区以及...
    2026-03-19
  • 一种具有栅极热电子阻挡结构的氮化镓功率器件及其制备方法
    一种具有栅极热电子阻挡结构的氮化镓功率器件及其制备方法_广东工业大学_202610155481.6
    本发明公开了一种具有栅极热电子阻挡结构的氮化镓功率器件，包括自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层以及势垒层；势垒层上方依次设置有第一P型材料层、热电子阻挡结构层、第二P型材料层以及栅极金属；所述势垒层两端分别设置有源极金属和漏极金属。所...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202511899011.2
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底结构；沟道层，沟道层设置于衬底结构的一侧；势垒层，势垒层设置于沟道层远离衬底结构的一侧；应变层，应变层设置于势垒层远离沟道层的一侧；应变层设置有源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽；源极...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及制备方法
    一种半导体器件及制备方法_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202511898744.4
    本发明实施例提供了一种半导体器件及制备方法。半导体器件包括：沟道层设置于衬底结构的一侧；势垒层设置于沟道层远离衬底结构的一侧；应变层设置于势垒层远离沟道层的一侧；应变层设置有源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽；源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽沿应...
    2026-03-19
  • 基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件
    基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件_智诚尚芯(安徽)半导体有限公司_202511825444.3
    本发明公开了基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件，具体涉及电力电子器件技术领域，该器件包括衬底以及衬底自下向上依次设置的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及p‑GaN层，设置在AlGaN势垒层上的p‑GaN层厚度为...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及应用
    一种半导体器件及应用_厦门市三安集成电路有限公司_202511686919.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体器件及应用。该半导体器件包括异质结结构、第一金属层或第三金属层和/或第二金属层或第四金属层的设置，第一金属层或第三金属层至少部分与半导体叠层形成肖特基接触，第二金属层或第四金属层的至少部分与半...
    2026-03-19
  • 极化超结场效应晶体管、半导体层叠结构体以及电气设备
    极化超结场效应晶体管、半导体层叠结构体以及电气设备_三垦电气株式会社_202511096857.2
    本发明提供不使用复杂的电路就能够容易地实现常关化的极化超结GaN系场效应晶体管。场效应晶体管具有：未掺杂GaN层；具有开口部的AlxGa1‑xN层；从开口部的侧壁起设置在内部的未掺杂GaN层的一部分之上的未掺杂GaN层；在AlxGa1‑xN...
    2026-03-19
  • 高电子迁移率晶体管及其制作方法、电子设备
    高电子迁移率晶体管及其制作方法、电子设备_华为技术有限公司_202411224150.0
    本申请提供一种高电子迁移率晶体管及其制作方法、电子设备，涉及半导体器件领域，能够解决GaN衬底界面杂质带来的漏电和寄生效应。该高电子迁移率晶体管中包括GaN衬底以及设置在GaN衬底上的势垒功能层、源极、漏极、栅极。其中，源极、漏极、栅极设置...
    2026-03-19
  • LDMOS及其制作方法
    LDMOS及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861175.6
    本发明公开了一种LDMOS及其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：提供衬底，在其表面形成栅极氧化层，并在其内部形成间隔设置的漂移区和体区；在漂移区上方的栅极氧化层上形成阶梯栅氧层，并在阶梯栅氧层上形成阶梯栅极，阶梯栅极至少包括相隔一定距离的...
    2026-03-19
  • 屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法
    屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511837217.2
    本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法，在沟槽中形成控制栅结构，所述控制栅结构包括位于栅间介质层上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层中的控制栅电极，所述控制栅电极包括多层控制栅电极层，自所述沟槽侧壁向所述沟槽中心，每层所述控制栅电...
    2026-03-19
  • 一种薄膜晶体管的制备方法
    一种薄膜晶体管的制备方法_集美大学_202511762293.1
    本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，其核心在于构建一种准双沟道结构。对薄膜晶体管的绝缘层作为第一金属氧化物，对其表面处理得到一缺氧表面；在缺氧表面上沉积第二金属氧化物作为沟道层；绝缘层的金属‑氧键高于沟道层的金属‑氧键；第二金属氧化物沉积...
    2026-03-19
  • 一种基于二维材料的晶体管及其制备方法
    一种基于二维材料的晶体管及其制备方法_北京理工大学_202511468897.5
    本申请实施例提供一种基于二维材料的晶体管，包括：衬底、第一MoTe2层、源极金属层、漏极金属层、第二MoTe2层和栅极层，所述第一MoTe2层、所述源极金属层、所述漏极金属层依次设置在所述衬底上方，所述第一MoTe2层通过费米能级钉扎效应与...
    2026-03-19
  • 具有碳化硅功率电子装置的改善的输入电容定义的碳化硅功率电子装置的制造方法
    具有碳化硅功率电子装置的改善的输入电容定义的碳化硅功率电子装置的制造方法_意法半导体国际公司_202511261411.0
    本公开涉及具有碳化硅功率电子装置的改善的输入电容定义的碳化硅功率电子装置的制造方法。提供了制造竖直传导功率装置的方法。示例包括：在包含半导体材料且为第一导电性的主体中形成与第一导电性相反的第二导电性的主体区域；在相应的主体区域中形成第一导电...
    2026-03-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202411266470.2
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部，所述鳍部包括若干依次堆叠的金属栅极和沟道层，所述金属栅极两侧形成有凹部，所述凹部呈矩形。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，先去除鳍部侧壁的混...
    2026-03-19
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