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最新专利技术
  • 动态随机存取存储器结构及其制造方法
    动态随机存取存储器结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411488336.7
    本发明公开一种动态随机存取存储器结构及其制造方法，其中动态随机存取存储器结构基底、元件隔离结构、埋入式字线、位线以及多个存储节点接触窗。元件隔离结构位于基底中，并在基底内定义出多个主动区。埋入式字线位于基底中，并与主动区以及元件隔离结构交叉...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411474151.0
    本发明公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括基底、多条字线、绝缘层以及导电接触件。基底包括胞元区以及与胞元区邻接的拾取区。字线在第一方向上排列且各自在不同于第一方向的第二方向上延伸，其中各字线埋设在基底中且横跨胞元区和拾取区，并...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411466786.6
    本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、第一字元线及第一接触结构。第一字元线在基板上沿着第一方向延伸，其中第一字元线包括第一尾端部分、第二尾端部分及第一中间部分。第一中间部分在第一尾端部分与第二尾端部分之间，其中第一尾端部分的顶面及第...
    2026-03-20
  • 动态随机存取存储器装置及其制造方法
    动态随机存取存储器装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202411413293.6
    本申请提供一种动态随机存取存储器装置及其制造方法，包括基底、位线、虚置位线、虚置绝缘结构和盖层。基底包含阵列区、周边区以及位于阵列区与周边区之间的虚置区。位线位于阵列区中的基底上方。虚置位线位于虚置区中的基底上方。虚置绝缘结构位于虚置位线之...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202411259826.X
    本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括以下步骤：形成堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向交替层叠的多层第一介质层和多层第二介质层；刻蚀堆叠结构形成多个字线孔；基于字线孔横向刻蚀各第一介质层，以于第一介质层内形成晶体管容...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411248523.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括至少一列沿平行于衬底的第二方向分布的多个存储单元；多条位线，所述位线贯穿不同层的所述存储单元沿着垂直所述衬底方向延伸；同层同列...
    2026-03-20
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411244125.9
    本申请实施例提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子领域，用于提升存储阵列的电学性能。存储阵列中的晶体管为双栅晶体管，通过在沟道结构外侧设置第一字线(第一栅极)，并在沟道结构内侧设置第二字线(第二栅极)，使得沟道结构受第一字...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411237668.8
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括多层沿垂直于衬底方向堆叠的存储单元阵列，所述存储单元阵列包括至少一列存储单元；多条垂直延伸的位线；多条水平延伸的字线；字线环绕一列晶体管的半导体层，半导体层沿所述第一方向延伸；所述半导...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制作方法及存储器系统
    半导体器件及其制作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411231961.3
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制作方法及存储器系统，所述半导体器件包括：晶体管阵列，包括多个半导体主体；导电接触结构，所述导电接触结构位于所述半导体主体沿第一方向的一端，与所述半导体主体耦合；所述第一方向为所述半导体主体的延伸方向；所...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411228651.6
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；垂直所述衬底方向延伸的字线；存储单元包括晶体管，晶体管包括环绕所述字线的半导体层，多个晶体管的多个半导体层在所述字线的侧壁沿垂直于衬底方向...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411220705.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构包括设置在衬底一侧的第一晶体管；第一晶体管包括：至少两个栅极，沿垂直于衬底的方向依次间隔分布；半导体层，具有沿垂直于衬底的方向延伸、并与至少两个栅极分别对应的沟道区；栅...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法、存储器系统
    半导体器件及其制造方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411219014.2
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。该半导体器件包括金属层和第一连接结构。金属层包括相互连接的侧部、端部以及第一延伸部，其中，侧部沿第一方向延伸，端部和第一延伸部沿与第一方向相交的第二方向延伸，端部和第一延伸部位于侧部...
    2026-03-20
  • 一种存储阵列、存储器及电子设备
    一种存储阵列、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202411210485.7
    本申请公开了一种存储阵列、存储器及电子设备，用以压缩存储阵列在垂直方向和水平方向的尺寸以提升存储容量和存储密度。通过将多个存储单元层沿垂直方向堆叠设置，每个存储单元层包括多个存储单元，由此可将多个存储单元在垂直方向上堆叠设置，提升存储容量。...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411206327.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：多个存储单元，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；位线，贯穿不同层的所述存储单元沿着垂直衬底方向延伸；存储单元包括晶体管，晶体管包括半导体层和栅电极，半导体层形成沿平行于衬底的第一方向延伸...
    2026-03-20
  • 半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备
    半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411204199.X
    本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法及电子设备，包括：存储单元；存储单元包括层叠设置的半导体层和栅介质层；栅介质层包括：与半导体层接触的界面降压层，以及位于界面降压层背离半导体层一侧的铁电介质层。本发明通过设置与半导体层接触的界面...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_锐立平芯微电子(广州)有限责任公司_202411185107.8
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备。该半导体结构包括：基底；晶体管结构，晶体管结构包括沿第一方向间隔设置的两个晶体管；所述晶体管包括沿垂直于基底的第二方向依次设置的第一源漏极和半导体层，以及环绕所述半导体层的侧壁的栅极层；位线结...
    2026-03-20
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511568225.1
    提供半导体装置及形成方法。例示性方法包含接收晶体管，包含栅极结构于通道区上方，第一及第二源极∕漏极部件耦合至通道区，及介电结构于第一及第二源极∕漏极部件上方；形成第一沟槽延伸穿过介电结构以露出第一源极∕漏极部件，形成第二沟槽延伸穿过介电结构...
    2026-03-20
  • 高密度半导体器件及其制备方法
    高密度半导体器件及其制备方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411259457.4
    本公开涉及一种高密度半导体器件及其制备方法。该高密度半导体器件包括衬底；多个SRAM单元，所述多个SRAM单元通过后端工艺呈阶梯式的垂直堆叠在所述衬底上方；每一所述SRAM单元均包括两个结构对称的晶体管组合，所述晶体管组合包括多个平行排布的...
    2026-03-20
  • 一种用于柔性印刷电路板的自动化固晶设备及方法
    一种用于柔性印刷电路板的自动化固晶设备及方法_深圳市欣上科技有限公司_202511989745.X
    本发明公开了一种用于柔性印刷电路板的自动化固晶设备，包括治具传输单元、固晶机、治具回收单元以及固定治具，治具传输单元包括上料组和下料组，上料组设置于治具回收单元的末端与固晶机的输入端轨道之间，下料组设置于固晶机的输出端轨道与治具回收单元的首...
    2026-03-20
  • 加热环NTC贴装设备及方法
    加热环NTC贴装设备及方法_江苏联赢半导体技术有限公司_202511947941.0
    本发明提供了一种加热环NTC贴装设备及方法，加热环NTC贴装设备包括机台以及设置于机台的焊接模块、胶封模块、移栽组件、夹具组件和供料模块，其中，所述夹具组件为两个，两个夹具组件与所述焊接模块和所述胶封模块一一对应设置，所述移栽组件用于在夹具...
    2026-03-20
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