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最新专利技术
  • 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法
    一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511696506.5
    本发明公开一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，以解决现有技术中的氧化物薄膜晶体管稳定性和可靠性较差的问题。氧化物薄膜晶体管包括：半导体衬底，半导体层设置在半导体衬底上，第一栅介质层设置在部分半导体层上，第一栅电极设置在...
    2026-03-16
  • 半导体器件和半导体工艺方法
    半导体器件和半导体工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511501702.2
    本申请提供了一种半导体器件和半导体工艺方法，涉及半导体工艺技术领域，以解决环栅场效应晶体管的内侧墙难以兼顾较低的寄生电容和对源漏层生长适当的选择性的问题。半导体器件，包括环栅器件，环栅器件包括内墙空腔，内墙空腔中至少设置有硅氧碳氮层和氮化硅...
    2026-03-16
  • 一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法
    一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202511801165.3
    本发明涉及一种助力碳中和的SiC功率器件终端结构及其制备方法，终端结构包括：N型衬底、N型外延层、第一P型区域、若干第二P型区域和至少一个P型TOP区，其中，N型外延层位于N型衬底上；第一P型区域、若干第二P型区域和至少一个P型TOP区均从...
    2026-03-16
  • 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511745986.X
    本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。该晶体管在漂移区上方设置由掺杂半导体层和第二导电类型抬升外延层构成的表面电场降低层。该结构通过引入P型反型掺杂降低表面电场，在不牺牲导通电阻的前提下显著提升击穿电压，拓宽了安全工作区...
    2026-03-16
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411127342.X
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，包括器件区和环绕器件区的保护区，器件区包括沿平行于衬底表面方向分布的体区和漂移区，漂移区位于相邻的体区之间，体区和漂移区内离子的导电类型相反，保护区包括第一保护区和第二保护区，第一保护区位于...
    2026-03-16
  • 半导体结构及半导体结构的形成方法
    半导体结构及半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411123990.8
    一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区；在第一区和与第一区相邻的衬底上形成初始栅极结构；在衬底上和初始栅极结构上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构暴露出部分所述初始栅极结构表面；以所述第一掩膜结构为掩膜...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法、电子设备
    半导体结构及其形成方法、电子设备_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202411123940.X
    本发明公开了一种半导体结构及其形成方法、电子设备，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的深P型阱以及第一深N型阱；所述深P型阱设置于所述衬底上的部分区域，所述第一深N型阱设置于所述衬底上的另一部分区域；所述深P型阱的纵向高度大于所述第一深...
    2026-03-16
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610122218.7
    本发明涉及一种半导体功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，在该半导体功率器件中，由于栅极沟槽的深度大于源区的深度，且小于阱区的深度，使得形成的第一栅极部的拐角处被阱区包围，降低了拐角处的最大电场强度，显著提升了器件可靠性，另外，此时第一...
    2026-03-16
  • SiC MOSFET结构及其制备方法
    SiC MOSFET结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202610114442.1
    本申请涉及一种SiC MOSFET结构及其制备方法，包括：衬底，衬底内包括经由衬底的第一表面向衬底内延伸的第一类型阱区；阱区内包括沿第一方向间隔排列，并沿第二方向延伸的第二类型源区；第二类型掺杂柱，位于相邻源区之间的阱区内，并沿第三方向延伸...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202511814204.3
    一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底，其第一表面形成有源区和位于源区下方的体区；形成于基底的第一表面的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽贯穿体区和源区；位于第一沟槽的第二侧壁的第二鳍状栅极和位于第二沟槽的第三侧壁的第三鳍状栅极，...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202511814084.7
    一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底，基底中形成有体区、源区和柱状掺杂区，柱状掺杂区的顶部低于体区的底部，柱状掺杂区至少包括第一柱状掺杂区；形成于基底的第一表面的第一沟槽和第二沟槽；包围第一沟槽底部的第一屏蔽区和包围第二沟槽底部的第...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202511812000.6
    一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底，基底的第一表面形成有第一源区和第一体区；至少一个沟槽，形成于基底的第一表面；鳍状栅极，位于沟槽一侧的侧壁；层间介电层，覆盖鳍状栅极且部分填充沟槽；第二源区，位于沟槽底部且连接鳍状栅极，第二体区，...
    2026-03-16
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202511811617.6
    一种半导体器件及其制造方法，该器件包括：基底，其第一表面形成有源区和位于源区下方的体区；形成于基底的第一表面的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽贯穿体区和源区，第一沟槽和第二沟槽底部形成有屏蔽区；位于第一沟槽的第一侧壁的第一鳍状栅极和位...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其制备方法、和存储系统
    半导体结构及其制备方法、和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411118303.3
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法和存储系统，其中，半导体结构包括绝缘体上半导体结构、第一栅极结构和第二栅极结构，绝缘体上半导体结构包括第一绝缘层、第一半导体层和鳍部；第一半导体层位于部分第一绝缘层沿第一方向的一侧；鳍...
    2026-03-16
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411168379.7
    本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包括：基底；沟道结构层，位于所述基底上方；栅极结构，沿栅极长度方向从所述基底的顶部和所述沟道结构层的底部之间横跨所述沟道结构层，且覆盖所述沟道结构层的部分侧壁；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的基...
    2026-03-16
  • 半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备
    半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备_华为技术有限公司_202411142096.5
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决半导体器件的源极或漏极对沟道产生的应力难以控制的问题。该半导体器件包括内侧墙结构，内侧墙结构包括层叠设置的第一膜层和第二膜层，第一膜层和第二膜层背离第一部分的...
    2026-03-16
  • 一种包含梯型结构的晶体管、制备方法及应用
    一种包含梯型结构的晶体管、制备方法及应用_中国科学院国家空间科学中心_202610128928.0
    本发明涉及一种包含梯型结构的晶体管，漏极电极为具备台阶的梯型结构；栅极覆盖在所述高空穴浓度结构层表面，与所述高空穴浓度结构层形成肖特基接触；所述漏极电极依次贯穿钝化保护层、所述势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的空间，且延伸到沟道层中，且...
    2026-03-16
  • 增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511840153.1
    本申请提供了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管，包括衬底；第一外延结构，所述第一外延结构形成在所述衬底上，所述第一外延结构包括沟道层和形成在所述沟道层上的势垒层；钝化层，所述钝化层形成在所述第一外延结构上；栅极，所述栅极包括：凹槽，所述凹槽...
    2026-03-16
  • 氮化镓HEMT器件的外延结构、氮化镓HEMT器件及其制备方法
    氮化镓HEMT器件的外延结构、氮化镓HEMT器件及其制备方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511832577.3
    本申请提供了一种氮化镓HEMT器件的外延结构，从下至上依次包括缓冲层；原位氮化物层；第一高碳浓度层，所述第一高碳浓度层的碳浓度大于1018cm‑3；低碳浓度沟道层，所述低碳浓度沟道层的碳浓度小于1018cm‑3；势垒层。本申请实施例中原位氮...
    2026-03-16
  • 高质量的增强型GaN HEMT外延晶片
    高质量的增强型GaN HEMT外延晶片_威弗洛得有限公司_202511209176.2
    本发明的实施方式提供了一种高质量的增强型GaN HEMT外延晶片，其包括：GaN沟道区，其中形成2DEG(二维电子气)；形成在GaN沟道区上的AlGaN势垒区；以及形成在AlGaN势垒区上的p型半导体区，其中p型半导体区在与AlGaN势垒区...
    2026-03-16
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