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最新专利技术
  • 一种级联离子阱增益控制方法
    一种级联离子阱增益控制方法_中国科学院大连化学物理研究所_202511659876.1
    本发明公开了一种级联离子阱增益控制的方法。电离源产生的连续离子流进入到级联离子阱中被存储和冷却。可以通过对一级阱出口电压周期的控制，选择适当的离子数量进入到二级阱中，实现增益控制。在高强度离子流下，通过该增益控制方法，可以解决二级阱饱和问题...
    2026-04-02
  • 一种高灵敏双极型离子迁移管
    一种高灵敏双极型离子迁移管_中国科学院大连化学物理研究所_202511651652.6
    本发明涉及离子迁移谱仪技术领域，特别涉及一种高灵敏双极型离子迁移管。包括样品电离腔室及对称设于样品电离腔室两端的第一、第二离子分离通道；样品电离腔室实现样品气的高效电离、产物离子的生成与初步分离，且使样品产物离子中的正、负离子分别进入第一、...
    2026-04-02
  • 一种质谱检测仪
    一种质谱检测仪_深圳市海瑞思自动化科技有限公司_202511850455.7
    本申请提供一种质谱检测仪，质谱检测仪包括壳体、进样装置、气体分析装置、真空装置及控制装置，进样装置包括阀岛，阀岛设于壳体内，阀岛用于连通于待测样品，气体分析装置设于壳体内，气体分析装置包括离子源、质量分析器及检测器，离子源连通于阀岛，质量分...
    2026-04-02
  • 一种提高液体进样效率的高效进样系统
    一种提高液体进样效率的高效进样系统_中国科学院大连化学物理研究所_202511659872.3
    本发明涉及分析化学样品前处理技术领域，特别涉及一种提高液体进样效率的高效进样系统。包括注射泵、富集腔体、有机滤膜、密闭加热管及毛细管，有机滤膜设置于富集腔体内，且将富集腔体分割为腔室Ⅰ和腔室Ⅱ，注射泵通过第一管路向腔室Ⅰ内注入液体样品，经过...
    2026-04-02
  • 一种半导体刻蚀设备
    一种半导体刻蚀设备_上海稷以科技有限公司_202511785644.0
    一种半导体刻蚀设备，包括：处理腔室；围绕所述处理腔室侧壁自上而下设置的至少两个磁铁组件，其中，每个磁铁组件包括磁铁和支撑所述磁铁的磁铁支架，所述磁铁支架的材料调节所述磁铁产生的磁场分布特性；位于所述处理腔室的顶部上方的至少两个射频线圈区域，...
    2026-04-02
  • 进气组件、上电极装置和半导体工艺设备
    进气组件、上电极装置和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511784340.2
    本申请公开一种进气组件、上电极装置和半导体工艺设备，属于半导体加工技术领域。所公开的进气组件用于安装于上电极装置的介质窗上，介质窗设有安装凹槽，安装凹槽的底部设有出气孔，进气组件包括供气件、密封件和隔离件；供气件内具有气体通道，气体通道具有...
    2026-04-02
  • 一种工艺腔室的清洁方法及半导体工艺设备
    一种工艺腔室的清洁方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511535611.0
    本说明书实施例提供了一种工艺腔室的清洁方法，该方法利用挡片保护晶圆承载装置，避免目标清洁工艺中较强的等离子体环境对晶圆承载装置造成损伤；在目标清洁工艺中，利用第一等离子体和第二等离子体分别在高压偏置(即高腔室压力+偏置功率)和低压偏置(即低...
    2026-04-02
  • 电路编辑自动化方法、装置、系统和电子设备
    电路编辑自动化方法、装置、系统和电子设备_北京智芯微电子科技有限公司_202511500158.X
    本发明提供一种电路编辑自动化方法、装置、系统和电子设备，属于半导体技术领域。其中方法包括：获取待修改的集成电路图像；将所述集成电路图像输入至修改区域识别模型，得到所述修改区域识别模型输出的所述集成电路图像的待修改区域识别结果；将所述待修改区...
    2026-04-02
  • 一种应用于SIC离子注入机的聚焦控制系统及聚焦方法
    一种应用于SIC离子注入机的聚焦控制系统及聚焦方法_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511561689.X
    本发明公开了一种应用于SIC离子注入机的聚焦控制系统及聚焦方法，控制系统包括工控机、ADIO控制器、第一高压电源、高压仓、聚焦硅堆、聚焦电极、聚焦泄放电阻和安装法兰；所述工控机与ADIO控制器连接，所述ADIO控制器与第一高压电源连接，所述...
    2026-04-02
  • 基于液态金属轴承的CT球管及其阳极组件、加工方法
    基于液态金属轴承的CT球管及其阳极组件、加工方法_昆山医源医疗技术有限公司_202610112784.X
    一种基于液态金属轴承的CT球管及其阳极组件、加工方法，其中，阳极组件包括阳极靶；转子；中轴部，沿轴向至少包括第一配合段，中轴部的轴向平行于第一方向；外轴部，套设于第一配合段，阳极靶和转子分别连接于外轴部沿第一方向的两端，中轴部与外轴部之间形...
    2026-04-02
  • 一种可抑制模式竞争的太赫兹高阶模互作用电路
    一种可抑制模式竞争的太赫兹高阶模互作用电路_电子科技大学_202511708048.2
    本发明属于毫米波及太赫兹频段电真空器件领域，具体提供一种可抑制模式竞争的太赫兹高阶模互作用电路，包括：外壳1，设置于外壳内壁上抑制模式竞争的高频互作用电路2，设置于外壳上并与高频互作用电路连接的信号输出组件3、电子枪通道4、收集极通道5；高...
    2026-04-02
  • 光学探测器灌封方法及灌封工装
    光学探测器灌封方法及灌封工装_中国科学院高能物理研究所_202511602759.1
    本发明涉及光学探测器技术领域，提供一种光学探测器灌封方法及灌封工装。光学探测器灌封方法包括如下步骤：S110、将预处理后的胶液灌封入环形间隙内得到第一灌封组件，将上半舱体密封扣合于下半舱体得到第二灌封组件；S120、将第二灌封组件内部抽负压...
    2026-04-02
  • 一种基于传输线的大功率磁控管微波互耦合成方法及系统
    一种基于传输线的大功率磁控管微波互耦合成方法及系统_电子科技大学_202511700734.5
    本发明公开了一种基于传输线的大功率磁控管微波互耦合成方法及系统，属于磁控管控制技术及微波合成领域。本发明通过耦合波导或H‑T波导实现磁控管件的互联，调节H‑T波导或耦合波导的传输系数在‑7dB～‑14dB范围内，实现磁控管阵列的锁频锁相。本...
    2026-04-02
  • 复合式光阴极
    复合式光阴极_中国科学院上海高等研究院_202511712533.7
    本发明涉及一种复合式光阴极，其包括基底、半导体光阴极层、绝缘支撑结构和栅极，所述基底包括基底本体和微纳结构，所述微纳结构形成在所述基底本体的上表面，所述半导体光阴极层和所述绝缘支撑结构均设于所述基底本体上，所述半导体光阴极层覆盖所述微纳结构...
    2026-04-02
  • 具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管
    具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管_新鸿电子有限公司_202610115540.7
    本发明的实施例提供了一种具有碳纳米管的箔结构及其制备方法、冷阴极和X射线管，箔结构包括：金属衬底，具有第一表面和第一侧面，第一侧面垂直于第一表面，第一侧面位于金属衬底的至少一侧的边缘；结合层，位于金属衬底的第一表面；以及多个碳纳米管，多个碳...
    2026-04-02
  • 一种带内置钨丝电极的无热子空心阴极
    一种带内置钨丝电极的无热子空心阴极_哈尔滨理工大学_202511620132.9
    本发明提供了一种带内置钨丝电极的无热子空心阴极，属于航天相关设备制造技术领域。本发明中发射体设置在阴极管内侧壁上部且紧密贴合，阴极管顶部出口端密封连接节流顶，节流顶的流道一与阴极管及发射体腔体贯通设置，触持极同轴套装于阴极管外部，阴极管的底...
    2026-04-02
  • 可带电型跌落式熔断器透明绝缘护罩(带灭弧)
    可带电型跌落式熔断器透明绝缘护罩(带灭弧)_无锡诗雨电力科技有限公司_202511860443.2
    本发明公开可带电型跌落式熔断器透明绝缘护罩(带灭弧)，涉及电力设备绝缘保护技术领域，其包括与带灭弧的跌落式熔断器外形贴合的罩体，罩体对应熔断器上部接线端子处设导线出口，出口处装专用硅胶件；对应灭弧罩位置设适配的灭弧罩安装部，罩体设安装口，罩...
    2026-04-02
  • 一种拆装快捷的双柱式熔断装置
    一种拆装快捷的双柱式熔断装置_贵州电网有限责任公司_202512031356.2
    本发明涉及熔断器技术领域，特别是一种拆装快捷的双柱式熔断装置，包括绝缘构件，绝缘构件为承载熔断器的绝缘架，起到承接安装作用，本装置还包括设置于所述绝缘构件侧面上部的上连接构件、设置于所述绝缘构件侧面下部的下连接构件以及设置于所述上连接构件和...
    2026-04-02
  • 抽屉式框架断路器
    抽屉式框架断路器_浙江鸿坤电气集团有限公司_202610074309.8
    本申请涉及一种抽屉式框架断路器，涉及断路器技术领域，其包括断路器本体、用于安装断路器本体的柜体、设置于断路器本体上的灭弧室以及分级储能灭弧系统，分级储能灭弧系统包括气泵、高压储气罐、低压储气罐、喷管和分级导阀，分级导阀根据分闸电流大小控制高...
    2026-04-02
  • 一种全机械式直流断路器
    一种全机械式直流断路器_思源清能电气电子有限公司_202511990614.3
    本发明涉及直流断路器的技术领域，公开了一种全机械式直流断路器，包括串联在一起的多个开断单元，它们均与上层控制器相连，接收上层控制器的开断指令，同时执行开断操作，每个所述开断单元均并联有均压模块，其灭弧室均设置在绝缘箱内部，所述绝缘箱内部的气...
    2026-04-02
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