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最新专利技术
  • 超高压隔离环结构及其制造方法
    超高压隔离环结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511608542.1
    本发明提供一种超高压隔离环结构及其制造方法。该结构由多个高压横向扩散金属氧化物半导体组成。为解决现有技术中，在高电阻率衬底上由结隔离导致的穿通击穿问题，本发明在所述高压横向扩散金属氧化物半导体之间、或者在高压横向扩散金属氧化物半导体与高压电...
    2026-02-17
  • 高压隔离环结构
    高压隔离环结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511608537.0
    本发明提供一种高压隔离环结构，该结构包括：第二导电类型半导体衬底；形成于其上的第一导电类型外延层；形成于外延层中的横向扩散金属氧化物半导体结构；以及设置于衬底与外延层界面区域的第二导电类型埋层。第二导电类型埋层沿衬底深度方向具有至少两个位于...
    2026-02-17
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510260982.6
    根据一些示例实施例的半导体器件包括：衬底；第一沟道图案和第二沟道图案，在衬底上彼此间隔开；绝缘结构，在第一沟道图案和第二沟道图案之间；栅极结构，围绕绝缘结构的至少一部分、第一沟道图案和第二沟道图案；以及源/漏图案，在第一沟道图案和第二沟道图...
    2026-02-17
  • 肖特基二极管及其制造方法
    肖特基二极管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202411075704.5
    本发明涉及一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括：第一导电类型区，包括阳极区域、阴极区域及位于所述阳极区域和阴极区域之间的耗尽夹断区；肖特基金属层，位于阳极区域上；阴极金属，位于阴极区域上；第一阱区，具有第一导电类型，为位于第一导电...
    2026-02-17
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411074232.1
    本公开涉及一种半导体结构及其制作方法、电子设备，涉及集成电路领域，通过在金属层与介质层之间设置半导体层，一方面利用半导体层降低相邻金属层之间作用于介质层的电压，另一方面，半导体层与介质层直接接触，介质层的偶极性分子的振动传递到半导体层，能够...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511671863.6
    本申请提供一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件中，栅极结构位于基底上且包括第一环形栅极和多个连接条，多个连接条间隔地沿着第一环形栅极的内侧壁排布，每个连接条的一端连接第一环形栅极，第一环形栅极和多个连接条限定出多个体区开口，各个体区位于...
    2026-02-17
  • 一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法
    一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法_西安电子科技大学广州研究院_202511722063.2
    本发明公开了一种双沟槽SiC功率cascode器件及其制备方法，该器件自下而上包括漏极、SiC N+衬底和SiC N‑外延层，其中，SiC N‑外延层上表面两侧边缘分别包括第一深P区和第二深P区，SiC N‑外延层、第一深P区和第二深P区的...
    2026-02-17
  • 一种集成JBS的SiC功率cascode器件
    一种集成JBS的SiC功率cascode器件_西安电子科技大学广州研究院_202511722048.8
    本发明公开了一种集成JBS的SiC功率cascode器件，包括：设置于N+SiC衬底层上的N‑SiC外延层；第一深P区和第二深P区对称且间隔地从N‑SiC外延层的上表面延伸至N‑SiC外延层内；第一金属设置于第一深P区的第一侧面至N‑SiC...
    2026-02-17
  • 一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件
    一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件_浙江旺荣半导体有限公司_202511381021.7
    本发明公开了一种具有超低反向恢复电荷和低开关损耗的碳化硅超结UMOS器件，结合了超结设计、分离栅极以及集成MPS二极管结构。在维持高耐压能力的同时，通过电荷补偿机制显著提高漂移区掺杂浓度，从而有效降低导通电阻。分离栅极结构的引入显著减小了器...
    2026-02-17
  • 一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法
    一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法_安建科技有限公司_202411088250.5
    一种用于大功率封装的芯片结构及其制备方法，涉及功率半导体器件领域，提出一种应用于大功率应用的氮化镓功率器件结构，该器结构具有厚金属基底以及厚金属的顶部可焊层金属层，因此具有良好的散热性能和更优的器件可靠性；本发明还提出多种形成大功率应用的氮...
    2026-02-17
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_尼克森微电子股份有限公司_202411083340.5
    本发明公开一种功率组件的制造方法，所制成的功率组件为沟槽式金属氧化物半导体场效晶体管，其具有接面场效晶体管区域，以此降低沟槽底部的电场，提升功率组件的耐压性。本发明还提供一种具有接面场效晶体管区域的功率组件。
    2026-02-17
  • 横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法
    横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411062029.2
    本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体装置及其制作方法，其中该横向扩散金属氧化物半导体装置包含一基底，其中一水平方向平行于基底的上表面，一金属栅极设置于基底上，其中金属栅极包含一第一侧、一第二侧和一底部，第一侧和第二侧相对，一源极设置在位于...
    2026-02-17
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510674840.4
    一种半导体装置包括：第一区域，无源元件设置在第一区域中；第二区域，其与第一区域相邻，并且有源元件设置在第二区域中；下层间绝缘层，其位于第一区域和第二区域中；绝缘图案，其位于第二区域中并且位于下层间绝缘层的上表面上，绝缘图案在第一方向上延伸；...
    2026-02-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411082942.9
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，半导体结构包括：衬底，衬底包括相邻的隔断区和器件区；多个分立的鳍部，位于器件区的衬底上；隔离结构，位于衬底上，且覆盖鳍部的部分侧壁；栅极结构，位于隔离结构上，栅极结构横跨鳍部并覆盖鳍部的部分顶部和...
    2026-02-17
  • 半导体功率器及其制备方法
    半导体功率器及其制备方法_清纯半导体(宁波)有限公司_202511674585.X
    本申请提供一种半导体功率器及其制备方法，半导体功率器包括半导体衬底层、漂移层、尾态区和掺杂区；漂移层位于半导体衬底层沿第一方向的一侧；阱区位于漂移层中；尾态区位于漂移层中且位于阱区朝向半导体衬底层的一侧、并与阱区连接；掺杂区位于尾态区沿第一...
    2026-02-17
  • 电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法
    电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511568811.6
    本发明提供一种电场增强型屏蔽栅MOSFET及其制造方法。该MOSFET包括半导体衬底、外延层、以及形成于外延层中的沟槽。沟槽底部设置有屏蔽栅结构，上部设置有栅结构，二者之间由隔离介质层隔开。关键在于，在外延层内、且与沟槽侧壁相邻的位置，设置...
    2026-02-17
  • 集成式功率器件及其制备方法
    集成式功率器件及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511381147.4
    本公开提供了一种集成式功率器件及其制备方法，属于电力电子领域。该集成式功率器件包括：n型沟道层、势垒层、p型沟道层、n型层和栅电极；所述n型沟道层、所述势垒层和所述p型沟道层依次层叠，所述n型层和所述栅电极依次层叠在所述p型沟道层上，所述栅...
    2026-02-17
  • p沟道GaN晶体管及其制备方法
    p沟道GaN晶体管及其制备方法_北京大学_202511336447.0
    本发明提供一种p沟道GaN晶体管及其制备方法，其中的晶体管包括：衬底、依次形成在所述衬底上的缓冲层、电子沟道层、势垒层、空穴沟道层、空穴浓度提升层、第一p型半导体层、设置在所述第一p型半导体层上的漏极、源极以及栅极；其中，所述栅极穿过所述空...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510641247.X
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：衬底之上的栅极结构；衬底中的源极/漏极结构；以及源极/漏极结构之上的接触结构。源极/漏极结构包括：第一掺杂剂掺杂区，其在衬底中具有以第一掺杂剂浓度掺杂的第一掺杂剂；第二掺杂剂掺杂区，其...
    2026-02-17
  • 具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法
    具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411061988.2
    本发明公开一种具有鳍状结构的中压晶体管及其制作方法，具有鳍状结构的中压晶体管包含一基底，一鳍状结构凸出于基底的一表面，一栅极结构横跨鳍状结构，一源极设置于栅极结构的一侧并且埋入于鳍状结构中，一漏极设置于栅极结构的另一侧并且埋入于鳍状结构中，...
    2026-02-17
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