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最新专利技术
  • 改善晶圆背面质量的方法
    改善晶圆背面质量的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587221.8
    本发明提供一种改善晶圆背面质量的方法，该方法旨在解决因晶圆背面损伤导致光刻工艺产生对焦斑点的问题。该方法包括：首先，对晶圆的背面进行湿法清洗，以去除表面的颗粒；然后，对清洗后的晶圆背面的介电层进行离子注入，以提高其硬度。优选地，介电层为氮化...
    2026-02-18
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411119880.4
    本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括基材、第一介电层、第二介电层以及覆盖停止层。基材包括存储区和逻辑区，其中存储区包括存储器阵列。第一介电层覆盖存储区；第二介电层覆盖逻辑区。覆盖停止层位于第一介电层上方，且具有一个覆盖图...
    2026-02-18
  • 一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片
    一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202610019628.9
    本发明公开了一种重掺硅衬底上生长低表面缺陷外延片的方法及外延片，属于半导体材料制备领域。所述方法包括：将电阻率不大于1.15mΩ·cm的重掺硅衬底在惰性气氛下进行快速热处理，处理温度为1000‑1500℃，升/降温速率为10‑120℃/s，...
    2026-02-18
  • 在衬底表面上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法
    在衬底表面上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511038771.4
    公开了用于在设置在反应室内的衬底上选择性地沉积硼掺杂硅锗层的方法。所公开的方法包括通过采用硅前体、卤化锗前体和卤化硼掺杂剂前体的外延沉积过程选择性地沉积硼掺杂硅锗层。
    2026-02-18
  • 一种基于二维ε-Ga2O3的神经形态光电忆阻器及其制备方法
    一种基于二维ε-Ga2O3的神经形态光电忆阻器及其制备方法_西安电子科技大学_202511628159.2
    本发明公开了一种基于二维ε‑Ga22O33的神经形态光电忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括：自下而上依次层叠的衬底、底电极、ε‑Ga22O33光电活性层、顶电极；所述ε‑Ga22O33光电活性层的厚度为5~10nm，通过液态金属自限制氧化法制...
    2026-02-18
  • 半导体器件结构及形成半导体器件结构的方法
    半导体器件结构及形成半导体器件结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474387.9
    可以通过以下方式提供器件结构：在介电材料层内形成底部电极和加热器元件；沉积并且图案化包括底部衬垫层、包含相变材料的相变材料层、和顶部电极材料层的连续的层堆叠件；通过沉积并且图案化侧壁衬垫材料，形成至少一个侧壁衬垫。至少一个侧壁衬垫形成在连续...
    2026-02-18
  • 氢键有机框架-聚乙烯醇复合水凝胶基突触器件及制备方法与应用
    氢键有机框架-聚乙烯醇复合水凝胶基突触器件及制备方法与应用_安徽大学_202511696733.8
    本发明公开氢键有机框架‑聚乙烯醇复合水凝胶基突触器件及制备方法与应用，包括上层的锌电极、下层的钛电极，以及夹设于锌电极与钛电极之间的双层水凝胶；所述双层水凝胶包括靠近锌电极的负电HOF/PVA复合水凝胶，及靠近钛电极的正电HOF/PVA复合...
    2026-02-18
  • 一种相变存储单元和存储器
    一种相变存储单元和存储器_新存科技(武汉)有限责任公司_202311684003.7
    本公开提供了一种相变存储单元和存储器，相变存储单元包括沿第三方向依次堆叠的衬底、第一地址线材料层、选通材料层、负温度系数电阻层、相变材料层和第二地址线材料层；负温度系数电阻层的电阻值与环境温度呈现负相关，第一地址线材料层沿第一方向延伸；第二...
    2026-02-18
  • 半导体器件
    半导体器件_苏州凌存科技有限公司_202610016769.5
    本申请提供一种半导体器件。所述半导体器件包括衬底以及位于所述衬底上的多个磁性功能模块与多个磁屏蔽环模块，所述磁性功能模块包括磁性膜层以及位于所述磁性膜层相对两侧的上金属层和下金属层。所述磁屏蔽环模块环绕对应的磁性功能模块，并与所述磁性功能模...
    2026-02-18
  • 无PN结磁控单向导通整流器件
    无PN结磁控单向导通整流器件_顾选祥_202511830683.8
    本发明公开了一种无PN结磁控单向导通整流器件，要解决的技术问题是降低整流器件的损耗，本发明采用以下技术方案：一种无PN结磁控单向导通整流器件，设有N型半导体硅片，所述N型半导体硅片沿Z轴方向分为三个区域：低阻区、过渡区和高阻区，沿Y轴反方向...
    2026-02-18
  • 一种基于拓扑绝缘体自旋轨道力矩无场磁化翻转的磁性随机存储器和制备方法
    一种基于拓扑绝缘体自旋轨道力矩无场磁化翻转的磁性随机存储器和制备方法_兰州大学_202511641517.3
    本发明涉及存储技术领域，公开了一种基于拓扑绝缘体自旋轨道力矩无场磁化翻转的磁性随机存储器和制备方法，依次包括：衬底、自旋流产生层、非磁性金属层、磁性层、防氧化层。自旋流产生层采用Sb22Te33，用于产生垂直于电流方向的自旋极化电流；非磁性...
    2026-02-18
  • 一种定向调控铁酸铋薄膜周期性条带畴初始极化方向的方法
    一种定向调控铁酸铋薄膜周期性条带畴初始极化方向的方法_华南师范大学_202511398252.9
    本发明提供一种定向调控铁酸铋薄膜周期性条带畴初始极化方向的方法，包括以下步骤：在衬底上生长底电极层；在所述底电极层上生长铁酸铋层，控制所述铁酸铋层的生长温度为670℃‑730℃，以调控铁酸铋层内部的挠曲电场强度，实现对周期性条带畴面外极化方...
    2026-02-18
  • 一种铪锆氧薄膜及其制备方法和铪锆氧薄膜传感器
    一种铪锆氧薄膜及其制备方法和铪锆氧薄膜传感器_湖北大学_202511502084.3
    本申请提供了一种铪锆氧薄膜及其制备方法和铪锆氧薄膜传感器，属于压电传感器技术领域，铪锆氧薄膜采用铪锆氧材料制得，铪锆氧材料的化学通式为Alyy‑HfxxZr1‑x1‑xO22，其中0.3≤x≤0.7, 0.02≤y≤0.08。本发明选用无铅...
    2026-02-18
  • 一种压电超声换能器及其制备方法
    一种压电超声换能器及其制备方法_武汉大学_202511547960.4
    本发明属于换能器技术领域，公开了一种压电超声换能器及其制备方法。本发明提供的压电超声换能器包括自上而下的第一压电薄膜单元、中心区域单元和第二压电薄膜单元；中心区域单元包括衬底硅，以及在衬底硅的上下两侧分别形成的第一空腔、第二空腔，且第一空腔...
    2026-02-18
  • 一种压电多孔材料的制备方法
    一种压电多孔材料的制备方法_河南工业大学_202511596289.2
    本发明涉及一种压电多孔材料的制备方法，包括步骤：预混料的制备，共混物的制备，共混物块料的打撒，初始材料的制备，初始制件的制备，水洗干燥，对上述初始制件进行水洗，去除致孔剂；干燥后，最终获得压电多孔材料；从而通过构建多孔结构的方法来提升材料的...
    2026-02-18
  • 一种压电复合衬底的形成方法及一种弹性波装置的形成方法
    一种压电复合衬底的形成方法及一种弹性波装置的形成方法_常州承芯半导体有限公司_202511420661.4
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种压电复合衬底的形成方法，包括：在过渡基底上形成第一压电材料层，用于形成晶种；接合第一压电材料层与承载基底，第一压电材料层位于承载基底与过渡基底之间；去除过渡基底，暴露第一压电材料层表面；在第一压电材料层上...
    2026-02-18
  • 一种压电复合衬底的形成方法及一种弹性波装置的形成方法
    一种压电复合衬底的形成方法及一种弹性波装置的形成方法_常州承芯半导体有限公司_202511420662.9
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种压电复合衬底的形成方法，包括：形成扩散预备结构，扩散预备结构包括压电材料层和粒子层；对扩散预备结构施加电场，使粒子层中的粒子基于电场的电场方向向压电材料层内部扩散形成脆化层；接合压电材料层与承载基底；沿脆...
    2026-02-18
  • 一种有机电致发光器件
    一种有机电致发光器件_长春海谱润斯科技股份有限公司_202511547154.7
    本发明提供了一种有机电致发光器件，涉及有机电致发光技术领域。本发明提供的有机电致发光器件，其空穴传输区域含有式1化合物且电子传输区域含有式2化合物，二者具有良好的空穴/电子传输能力、与相邻功能层匹配的能级以及良好的成膜性，有利于器件内电子和...
    2026-02-18
  • 一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸光层、其制备方法和光电器件
    一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸光层、其制备方法和光电器件_南方科技大学_202511470565.0
    本发明涉及钙钛矿制备技术领域，具体涉及一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿吸光层、其制备方法和光电器件。所述钙钛矿前驱体溶液，包括卤化铅、有机铵盐、有机溶剂和钙钛矿前驱体溶液添加剂；所述钙钛矿前驱体溶液添加剂包括含有噻唑环和亚砜基团的有机硫化合物。...
    2026-02-18
  • 一种彩色半透明电极的制备方法、电极和有机太阳能电池
    一种彩色半透明电极的制备方法、电极和有机太阳能电池_华南农业大学_202511813404.7
    本发明公开了一种彩色半透明电极的制备方法、电极和有机太阳能电池；制备方法为：在透明电极层上依次沉积电子传输层、有机活性层和空穴传输层，得到有机太阳能电池基底并将其放置于真空热蒸发设备中，采用真空热蒸发法在空穴传输层表面均匀沉积金属电极层，作...
    2026-02-18
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