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最新专利技术
  • 基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法
    基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法_北京理工大学_202511583323.2
    本发明公开了基于MEMS驱动的热成像芯片、热成像系统与晶圆级制备方法，属于红外传感技术领域，其包括热辐射传感器结构、芯片衬底和MEMS驱动结构，利用MEMS驱动结构中各驱动单元结构形式的优选设计，使得热辐射传感器结构可由多个驱动单元悬空支撑...
    2026-02-19
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202511092159.5
    一种图像传感器，包括：具有第一表面和第二表面的衬底；包括多个光电二极管区的光电二极管区组，每个光电二极管区包括光电二极管；第一深隔离图案，设置在衬底内并且围绕光电二极管区组；第二深隔离图案，设置在衬底内以将光电二极管区彼此分开；连接区，连接...
    2026-02-19
  • 半导体器件及在衬底上形成图像传感器的方法
    半导体器件及在衬底上形成图像传感器的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411849726.2
    提供了一种半导体器件及在衬底上形成图像传感器的方法，并描述了在基于等离子体的BEOL沉积和蚀刻步骤期间保护隔离沟槽结构免受电荷损伤的系统、装置和方法。装置和方法可包括图像传感器，该图像传感器在包括像素阵列的图像传感器衬底的阵列部分中具有阵列...
    2026-02-19
  • 一种CMOS图像传感器以及成像装置
    一种CMOS图像传感器以及成像装置_华为技术有限公司_202411049617.2
    本申请实施例提供了一种CMOS图像传感器以及成像装置，涉及图像传感器技术领域，用于改善光串扰的问题。该CMOS图像传感器包括半导体基板、金属线路层和嵌入结构，其中，半导体基板包括在第一方向上相对的第一表面和第二表面，半导体基板中形成有光电二...
    2026-02-19
  • 一种影像传感芯片板级封装结构及其制作方法
    一种影像传感芯片板级封装结构及其制作方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511713174.7
    本发明公开了一种影像传感芯片板级封装结构及其制作方法，该封装结构包括：围堰式芯片单元，包括透明基板、围堰结构和影像传感芯片，影像传感芯片的正面具有感光区和焊盘，透明基板覆盖于感光区上方，透明基板与影像传感芯片之间设有围堰结构，围堰结构环绕感...
    2026-02-19
  • 自带匹配的宽带光电探测器芯片
    自带匹配的宽带光电探测器芯片_珠海思开达技术有限公司_202610013014.X
    本发明公开一种自带匹配的宽带光电探测器芯片，属于宽带半导体光电探测器芯片技术领域，包括供电端口；节点；第一射频输出端口，其与节点电气连接；第二射频输出端口；光电二极管，其负极与供电端口电气连接，其正极与节点电气连接；匹配电阻，其第一端与节点...
    2026-02-19
  • 一种非制冷红外探测器的深孔电连接方法
    一种非制冷红外探测器的深孔电连接方法_昆明物理研究所_202511463312.0
    本发明公开了一种非制冷红外探测器的深孔电连接方法，涉及半导体制造技术领域。该非制冷红外探测器基于氧化钒(VOx)材料的红外探测芯片制作，所述方法包括：步骤1，完成氧化钒非制冷探测器芯片的前期相关工艺；步骤2，形成图形化的光刻胶层A；步骤3，...
    2026-02-19
  • 非制冷红外探测器件的制备方法
    非制冷红外探测器件的制备方法_安徽晶微科技有限公司_202511313150.2
    一种非制冷红外探测器件的制备方法包括步骤：提供VOxx吸收面阵设置之前的流程片，流程片包含读出电路衬底、金属反射层、牺牲层以及支撑层；在支撑层上磁控溅射沉积氧化钒层并通过光刻和刻蚀形成VOxx吸收面阵，磁控溅射沉积氧化钒层采用两步溅射和两步...
    2026-02-19
  • 晶圆级封装工艺中牺牲层的去除方法
    晶圆级封装工艺中牺牲层的去除方法_安徽晶微科技有限公司_202511313145.1
    一种晶圆级封装工艺中牺牲层的去除方法包括步骤：S1，提供待释放牺牲层的已完成像元结构阵列的焊料环阵列设置的双层红外探测器晶圆，第一牺牲层设置在读出电路衬底和桥面和桥腿的图形之间，第二牺牲层设置在伞面的图形与桥面和桥腿的图形之间，第三牺牲层覆...
    2026-02-19
  • 一种区块式萦绕阴极硅漂移探测器
    一种区块式萦绕阴极硅漂移探测器_湘潭大学_202511523346.4
    本发明提供了一种区块式萦绕阴极硅漂移探测器，采用区块式萦绕阴极，以螺旋萦绕的方式向外扩展，每一圈长度变长的同时宽度变宽，保留了整面螺旋环的自主分压特性，使整个探测器由多个区块式组合而成，每个区块可独立调控阴极电势，从而形成了均匀互不干扰的独...
    2026-02-19
  • 一种传感内储备池计算系统及其可重构光电晶体管
    一种传感内储备池计算系统及其可重构光电晶体管_安徽大学_202610016200.9
    本发明公开了一种传感内储备池计算系统及其可重构光电晶体管，涉及半导体领域，包括：衬底层、沟道层、栅介质层和电极层；沟道层设置在衬底层上；电极层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极间隔设置在沟道层上，栅介质层设置在源电极和漏电极之间的沟道层上，...
    2026-02-19
  • 具有可编程非易失双极光响应的二维范德华异质结器件
    具有可编程非易失双极光响应的二维范德华异质结器件_湖北珞珈实验室_202511465850.3
    本发明涉及一种具有可编程非易失双极光响应的二维范德华异质结器件。该器件采用沟道层/第一绝缘层/浮栅层/第二绝缘层的结构，其中，沟道层和第一绝缘层之间设有源极和漏极，源极和漏极之间的沟道区域在垂直方向上被沟道层、第一绝缘层、浮栅层及第二绝缘层...
    2026-02-19
  • 一种基于BiVO4/Bi2S3/Co3O4多级界面调控的高性能自供电宽光谱光电探测器及海下光通信应用
    一种基于BiVO4/Bi2S3/Co3O4多级界面调控的高性能自供电宽光谱光电探测器及海下光通信应用_杭州电子科技大学_202610013528.5
    本发明提供一种基于BiVO44/Bi22S33/Co33O44多级界面调控的高性能自供电宽光谱光电探测器及海下光通信应用。通过溶剂热法直接硫化BiVO44的方法得到了界面紧密接触的异质结，然后又在异质结的基础上光沉积的方法修饰Co33O44...
    2026-02-19
  • 接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器
    接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器_希烽光电科技(南京)有限公司_202610007315.1
    本发明公开了一种接受速率可调的雪崩光电探测器结构及其雪崩光电探测器，包括APD，该APD由正电极层、吸收层、增益层、衬底层和负电极层构成，增益层包括电荷控制区和一个雪崩倍增区，负电极层只包括一个负电极；还包括多个倍增控制区、增加的至少一个雪...
    2026-02-19
  • 耐火轻质光伏组件及其制备方法
    耐火轻质光伏组件及其制备方法_马鞍山凌众新能科技有限公司_202511669488.1
    本发明涉及一种耐火轻质光伏组件及其制备方法，属于耐火光伏组件技术领域，所述组件上下表面均设有耐温涂层；所述耐温涂层为聚硅氮烷树脂涂层和/或耐高温环氧树脂涂层；电池片；前板，耐温涂层设置在前板上方；封装胶层A，由有机硅胶膜构成，设置于前板与电...
    2026-02-19
  • 一种光伏组件及其制备方法
    一种光伏组件及其制备方法_武汉美格能源科技有限公司_202511614139.X
    本发明公开了一种光伏组件及其制备方法，包括S1、预设一个光伏背板，将光伏背板和其它用于制备光伏组件的材料按预设的顺序进行叠层，得到待层压组件；S2、经层压机将待层压组件层压一体成型为光伏组件，并对光伏组件边缘进行切割；S3、预设一个可折叠支...
    2026-02-19
  • 光伏组件
    光伏组件_英利能源发展有限公司_202511537447.7
    本申请公开了一种光伏组件，属于太阳能电池技术领域，主要目的是改变漏电路径的延伸方向，延长爬电距离。本申请的主要技术方案为：该光伏组件包括边框、光伏层压组件和爬电结构；所述光伏层压组件设置在所述边框内，所述光伏层压组件包括电池片矩阵，所述电池...
    2026-02-19
  • 光伏组件
    光伏组件_英利能源发展有限公司_202511536799.0
    本申请公开了一种光伏组件，属于太阳能电池技术领域，主要目的是改变漏电路径的延伸方向，延长爬电距离。该光伏组件包括边框、光伏层压组件和爬电结构；光伏层压组件设置在边框内；爬电结构沿光伏层压组件的外周侧面贴合布置并环绕光伏层压组件一周，且爬电结...
    2026-02-19
  • 一种钝化接触晶硅异质结太阳电池及其制备方法
    一种钝化接触晶硅异质结太阳电池及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511706862.0
    本申请提供了一种钝化接触晶硅异质结太阳电池，可以应用于太阳电池技术领域。该钝化接触晶硅异质结太阳电池：包括依次层叠的第一透明导电层、N型微晶硅氧层、第一本征非晶硅氧钝化层、N型晶体硅、第二本征非晶硅氧钝化层、无掺杂氧化锡空穴传输层和第二透明...
    2026-02-19
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511949524.X
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有交替设置的钝化接触区以及非钝化接触区；所述非钝化接触区的基底表面具有多个第一凸起结构；隧穿介质层，所述隧穿...
    2026-02-19
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