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最新专利技术
  • 用于半导体装置的读取操作的页面缓冲器的操作方法
    用于半导体装置的读取操作的页面缓冲器的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510023181.8
    本发明提供一种用于半导体装置的读取操作的页面缓冲器的操作方法，半导体装置的操作方法包括接收读取命令和感测与读取命令的目标存储器单元相邻的存储器单元。该方法还包括在第一感测时间感测目标存储器单元和在第二感测时间感测目标存储器单元。该方法进一步...
    2026-03-22
  • 存储装置及根据充电操作存储装置的方法
    存储装置及根据充电操作存储装置的方法_爱思开海力士有限公司_202511075236.6
    本申请公开了一种存储装置以及根据电池充电情况操作存储装置的方法。存储装置可以包括：电池，被配置为供应电力；存储器装置，包括第一块和第二块，在电池处于与充电装置断开连接的非充电状态时，第一块被编程，在电池处于被充电装置供电的充电状态时，将对第...
    2026-03-22
  • 编程电压产生电路、编程电压的产生方法
    编程电压产生电路、编程电压的产生方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548227.4
    本发明提供一种编程电压产生电路、编程电压的产生方法，电路包括运算放大器、调整N型晶体管和反馈电路。反馈电路包括PMOS晶体管和电阻网络，用于产生反馈信号。在一个实施例中，利用呈二极管连接的PMOS晶体管的阈值电压的温度系数进行补偿。在另一实...
    2026-03-22
  • 降低SONOS差分存储单元编程时漏电的方法
    降低SONOS差分存储单元编程时漏电的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548223.6
    本发明提供一种降低SONOS差分存储单元编程时漏电的方法，包括：在编程时，向控制差分单元中第一和第二选择晶体管的字线施加第一负电压，并向单元中至少一个其他负压节点(例如位线或P型阱)施加第二负电压，且第一负电压的电平低于第二负电压。通过该设...
    2026-03-22
  • 存储器的操作方法、存储器、存储器系统及电子设备
    存储器的操作方法、存储器、存储器系统及电子设备_长江存储科技有限责任公司_202511523970.4
    本公开实施例提供了一种存储器的操作方法、存储器、存储器系统及电子设备。所述存储器包括存储单元阵列和外围电路；所述存储单元阵列包括多个存储单元，每个所述存储单元具有多个存储状态中的任意一个存储状态；所述方法包括：检测所述多个存储状态中的目标存...
    2026-03-22
  • 一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统
    一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202411002383.6
    本申请提供了一种存储器的操作方法、存储器及存储器系统，涉及半导体芯片技术领域。该操作方法包括在第一编程操作阶段，向与第一存储单元耦接的第一字线施加第一编程电压。在第一编程操作阶段，向与第二存储单元耦接的第二字线施加第一通过电压，第二存储单元...
    2026-03-22
  • 一种抗单粒子翻转的非易失性静态随机存储器
    一种抗单粒子翻转的非易失性静态随机存储器_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511560222.3
    本发明公开一种抗单粒子翻转的非易失性静态随机存储器，属于集成电路领域，可应用于实现静态随机存储器的非易失性和抗单粒子翻转可靠性。本发明的方案为：在传统的6晶体管静态随机存储器电路的基础上增加磁隧道结MTJ、PMOS和NMOS晶体管，可以为传...
    2026-03-22
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_202511456130.0
    一种存储器设备包括：逻辑裸片，配置为通过多个通道与主机设备通信；以及多个存储器裸片，堆叠在所述逻辑裸片上并通过硅穿通电极连接到所述逻辑裸片，所述多个存储器裸片中的每个存储器裸片包括对应于所述多个通道中的至少一个通道的存储器单元阵列，其中，所...
    2026-03-22
  • 存储器设备
    存储器设备_三星电子株式会社_202511455225.0
    一种存储器设备，包括：逻辑裸片，配置为通过多个通道与主机设备通信，所述多个通道中的每个通道包括独立接口；以及堆叠在所述逻辑裸片上的多个存储器裸片，所述多个存储器裸片中的每个存储器裸片包括对应于所述多个通道中的至少一个通道的存储器单元阵列，其...
    2026-03-22
  • 一种DNA存储随机访问地址编码方法及系统
    一种DNA存储随机访问地址编码方法及系统_大连大学_202511608111.5
    本发明涉及DNA存储技术领域，具体公开了一种DNA存储随机访问地址编码方法及系统；提出一种二进制的编码，有效避免了茎长在3至9范围内的二级结构；将编码与互不相关编码改进后的弱互不相关编码共同作为解耦结构的组件编码，并融合Knuth’s平衡技...
    2026-03-22
  • 面向PCM介质的格式化处理方法、装置及PCM介质
    面向PCM介质的格式化处理方法、装置及PCM介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511501854.2
    本发明提供了一种面向PCM介质的格式化处理方法、装置及PCM介质，涉及存储器的技术领域，该方法包括：响应主机发送的格式化命令，生成待处理PCM介质的擦除任务；向主机反馈与格式化命令对应的包含执行完成的执行结果；以及，将待处理PCM介质的命名...
    2026-03-22
  • 一种芯片的指令验证方法、装置、存储介质
    一种芯片的指令验证方法、装置、存储介质_新存微科技(北京)有限责任公司_202511467383.8
    本申请公开了一种芯片的指令验证方法、装置、存储介质，属于芯片测试技术领域。该方法应用于待测芯片，待测芯片包括多个芯片分区，每个芯片分区包括多个存储分区，该方法包括：获取若干测试指令；采用控制模型对若干测试指令进行时延控制，以形成测试指令序列...
    2026-03-22
  • 一种抗双节点翻转的非易失性静态随机存储器
    一种抗双节点翻转的非易失性静态随机存储器_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511571501.X
    本发明公开一种抗双节点翻转的非易失性静态随机存储器，属于集成电路领域，可应用于实现静态随机存储器的非易失性和抗双节点翻转可靠性。本发明的方案为：在传统的6T静态随机存储器电路的基础上增加MTJ、PMOS和NMOS晶体管，可以为静态随机存储器...
    2026-03-22
  • 芯片排序识别电路
    芯片排序识别电路_南亚科技股份有限公司_202411362139.0
    本发明提供一种芯片排序识别电路。第一控制电路依据芯片是否与后级芯片耦接而将电阻电路耦接至第一操作电压或第一接点。第二控制电路依据芯片是否与前级芯片耦接而将电阻电路耦接至第二操作电压或第三接点。识别电路依据电阻电路提供的参考电压判断芯片的排序...
    2026-03-22
  • 计算电路、包括该计算电路的存储单元及计算方法
    计算电路、包括该计算电路的存储单元及计算方法_三星电子株式会社_202510481807.X
    本发明提供了一种计算电路、包括该计算电路的存储设备以及计算方法。计算电路包括：输入分配器，接收n位输入数据并基于输入数据的数据类型将输入数据划分为多个运算元素，其中n是等于或大于2的自然数；加法器树，执行运算元素之间的乘法运算；以及累加器，...
    2026-03-22
  • 包括非易失性存储器的存储装置
    包括非易失性存储器的存储装置_爱思开海力士有限公司_202411967463.5
    本申请涉及包括非易失性存储器的存储装置。一种存储装置包括存储器装置和控制器。存储器装置包括：第一晶圆，其包括垂直地层叠的多条第一字线以及连接到多条第一字线的多个第一存储器单元；以及第二晶圆，其包括垂直地层叠的多条第二字线和多条第三字线、连接...
    2026-03-22
  • 存储器装置及存储器内数据搜索方法
    存储器装置及存储器内数据搜索方法_旺宏电子股份有限公司_202411190416.4
    本公开提供了一种存储器装置及存储器内数据搜索方法。存储器装置例如为三维与非门闪存，且提供高性能以及高容量的储存介质。存储器装置包括地址扫描仪、搜索数据发送器、读出数据感测及比较器、错误位侦测器以及匹配状态处理器。地址扫描仪提供搜索设定范围中...
    2026-03-22
  • 一种无读写冲突的卷积LDPC译码器存储实现方法
    一种无读写冲突的卷积LDPC译码器存储实现方法_南京大学_202511675912.3
    本发明公开了一种无读写冲突的卷积LDPC译码器存储实现方法，属于信道编译码技术领域。现有技术中，基于寄存器的方案因交换网络导致资源消耗巨大；基于存储器的方案则面临严重的存储访问冲突。本发明采用矩阵‑硬件协同设计，在随机构造算法中添加一系列非...
    2026-03-22
  • 针对多相时钟控制的相位及占空比修整
    针对多相时钟控制的相位及占空比修整_美光科技公司_202510943308.8
    本申请涉及针对多相时钟控制的相位及占空比修整。提供了用于产生针对相位及占空比修整的时序控制信号以减少或消除存储器装置中的时钟信号的正交误差的系统及方法。所述存储器装置采用修整电路来执行相位调谐以减少或消除所述正交误差。所述修整电路对于不同类...
    2026-03-22
  • 包括存储多位数据的存储器单元的装置及其操作方法
    包括存储多位数据的存储器单元的装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510169193.1
    本申请提供一种半导体装置、存储器装置和操作半导体装置的方法。半导体装置包括存储器单元阵列和控制电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元。每个存储器单元联接到接地电压节点、单个位线和多个字线中的一个，以存储多位数据。控制电路被配置为激活多个字线...
    2026-03-22
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