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最新专利技术
  • 衬底处理装置
    衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202510991842.6
    本发明的衬底处理装置具备处理模块及搬送模块。处理模块具有上衬底保持部、多个处理杯部、移动机构及升降机构。上衬底保持部水平保持衬底。多个处理杯部排列在交叉方向上，所述交叉方向与衬底在搬送模块与处理模块之间移动的方向交叉。移动机构使上衬底保持部...
    2026-02-14
  • 衬底处理装置
    衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202510984072.2
    本发明涉及一种衬底处理装置，所述衬底处理装置具备腔室、衬底保持部、及回转机构。腔室具有连通内部与外部供衬底搬入的第1开口，及连通内部与外部供衬底搬出的第2开口。衬底保持部配置在腔室内，逐片保持衬底。回转机构通过使衬底保持部回转，而在腔室内，...
    2026-02-14
  • 基板处理系统以及物品制造方法
    基板处理系统以及物品制造方法_佳能株式会社_202510969169.6
    提供高速地进行中间室气氛气体置换的基板处理系统及物品制造方法。基板处理系统具备：具有第1室的第1容器；具有第2室的第2容器；具有中间室的中间容器；形成气体经第1室循环的气体流路和气体经中间室循环的气体流路的第1循环配管；从第1循环配管回收气...
    2026-02-14
  • 基板处理装置和异常探测方法
    基板处理装置和异常探测方法_东京毅力科创株式会社_202510945058.1
    本发明提供一种基板处理装置和异常探测方法，能够高精度地探测与漏液有关的异常。基板处理装置具备腔室、喷嘴、测定部、流路开闭部以及控制部。腔室能够收容基板。喷嘴设置于腔室内，朝向基板供给处理液。测定部向基板投射光，并测定来自基板的反射光的强度。...
    2026-02-14
  • 衬底处理装置
    衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202510942211.5
    本发明涉及一种衬底处理装置，具备第1衬底处理部与搬送机构。第1衬底处理部通过将铅直姿势的衬底浸渍于第1处理液，来逐片处理衬底。搬送机构接收水平姿势的衬底，将衬底的姿势从水平姿势变更为铅直姿势，并将铅直姿势的衬底搬入第1衬底处理部。第1衬底处...
    2026-02-14
  • 处理系统、基板处理装置、处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品
    处理系统、基板处理装置、处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品_株式会社国际电气_202510595202.3
    提供处理系统、基板处理装置、处理方法、半导体器件的制造方法及程序产品，能够在阀被设定为开的情况下获知会受到被设定为开的阀的影响的其他阀的开闭状态的匹配性。具备：显示部，其具有能够对定义了基板的处理条件的配方进行编辑的显示区域，在上述显示区域...
    2026-02-14
  • 炉管设备
    炉管设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411027169.6
    本申请公开了一种炉管设备，涉及半导体制造设备领域，炉管设备包括：工艺管，其内部具有工艺区；加热组件，设置于所述工艺管的外周，用于对所述工艺管加热；壳体，所述壳体的内部设置有装载区和第一隔断区，所述第一隔断区处的所述壳体上设置有密封件，所述装...
    2026-02-14
  • 采用IPA的工艺装置和方法
    采用IPA的工艺装置和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202410977635.0
    本发明公开了一种采用IPA的工艺装置包括：工艺槽，用于存储IPA。工艺槽包括第一入口和第二入口。第一入口通过第一管路连接IPA供给源。第二入口通过第二管路连接保护气体源；在工艺槽中，保护气体提供无氧气氛并从而阻止IPA氧化。本发明还公开了一...
    2026-02-14
  • 一种工艺腔室及半导体工艺设备
    一种工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410969506.7
    本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，工艺腔室包括：腔室本体、进气结构和气流角度调整件；腔室本体沿第一方向的两侧分别设有传片口和排气口；进气结构设置于腔室本体上方靠近传片口的一侧，进气结构内设有沿第二方向延伸的匀流腔，匀流腔设有进气口和...
    2026-02-14
  • 机台控制方法、机台控制装置和机台
    机台控制方法、机台控制装置和机台_上海光通信有限公司_202410966348.X
    本公开涉及半导体制造技术领域，尤其是涉及一种机台控制方法、机台控制装置和机台。机台控制方法包括：确定机台内的至少一个腔室的暖机状态；确定机台的可用装载口的数量；至少基于暖机状态、可用装载口的数量以及待加工片搬运至机台的搬运时间，确定预定装载...
    2026-02-14
  • 一种微电子芯片生产设备及其生产工艺
    一种微电子芯片生产设备及其生产工艺_国鲸盛泰(青岛)数字显示技术有限公司_202511193947.3
    本发明公开了一种微电子芯片生产设备及其生产工艺，涉及微电子芯片加工技术领域，具体包括传送装置，所述传送装置的右侧安装有挡板，所述传送装置上方的前后两侧分别设置有位于芯片外侧的辊筒，所述辊筒上端的外壁转动连接有固定杆，所述固定杆的外壁活动套接...
    2026-02-14
  • 等离子体切割半导体晶片的方法
    等离子体切割半导体晶片的方法_SPTS科技有限公司_202510759060.X
    提供一种等离子体切割半导体晶片的方法。所述方法包含提供包括主硅层和顶部氧化硅层的半导体晶片的步骤，所述顶部氧化硅层覆盖有有机软掩模。所述掩模限定待蚀刻的多个划割线区域。所述方法包含等离子体蚀刻以去除所述划割线区域中的所述顶部氧化硅层以暴露所...
    2026-02-14
  • 一种固态材料表面的加工方法
    一种固态材料表面的加工方法_深圳晶尹阳光电有限公司_202511612688.3
    本发明提供一种固态材料表面的加工方法，包括如下步骤：S1.在固态材料表面设置导电膜层，得半成品A；S2.采用聚焦离子束技术以0.05~0.5 μA的离子束电流在半成品A的表面形成凹槽，制得半成品B；S3.去除半成品B表面的导电膜层。本发明提...
    2026-02-14
  • 一种晶圆镀膜面平坦化刻蚀工艺
    一种晶圆镀膜面平坦化刻蚀工艺_合肥晶威特电子有限责任公司_202511603898.6
    本发明提供了应用于晶圆制备技术领域的一种晶圆镀膜面平坦化刻蚀工艺，包括如下步骤：S100：提供一镀膜晶圆，晶圆上具有多个产品区域，每个产品区域具有一单点频率，利用频率分选机测得晶圆上各产品区域的单点频率；S200：设定一目标频率，其中所述目...
    2026-02-14
  • 形成半导体结构的方法
    形成半导体结构的方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411011149.X
    本公开提出了一种形成半导体结构的方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供层结构，所述层结构包括第一层，所述第一层具有沿第一方向排列的利用光刻工艺形成的多个沟槽，所述多个沟槽包括相邻的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第一...
    2026-02-14
  • 一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法
    一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511587021.2
    本发明提供一种提升曝光关键尺寸窗口的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：提供层叠结构，所述层叠结构包括自下而上依次层叠设置的待刻蚀膜层、传递膜层和图形化的光刻胶层，所述传递膜层包括自下而上依次层叠设置的图形转移层和旋涂层；刻蚀所述...
    2026-02-14
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511425673.6
    一种半导体器件及其制造方法，方法包括：提供键合衬底，所述键合衬底包括键合连接的第一衬底和第二衬底；检测所述键合衬底中键合空洞所在的目标区域；在所述键合衬底上形成掩膜，所述掩膜覆盖所述目标区域并暴露所述目标区域外的至少部分非目标区域；基于所述...
    2026-02-14
  • 自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构
    自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构_上海新傲科技股份有限公司_202511295218.9
    本发明涉及一种自扩散生长掺杂膜层的方法及半导体结构。所述自扩散生长掺杂膜层的方法包括如下步骤：放置初始衬底至反应腔室内，所述初始衬底包括相对分布的正面和背面；传输掺杂源气体至所述反应腔室内，并调整所述反应腔室内的温度和压力，使得所述掺杂源气...
    2026-02-14
  • 一种能够改变光子集成芯片晶圆退火后翘曲均匀性的方法
    一种能够改变光子集成芯片晶圆退火后翘曲均匀性的方法_宁波昭明半导体有限公司_202511409728.4
    本发明公开了一种能够改变光子集成芯片晶圆退火后翘曲均匀性的方法，在光子集成芯片晶圆制造过程中，当薄膜沉积在衬底上，对薄膜进行热退火，在薄膜折射率高于衬底的折射率时，通过使激光照射在薄膜上，并在薄膜和衬底的分界面发生全反射实现薄膜的热退火；优...
    2026-02-14
  • 复合衬底和复合衬底的制备方法
    复合衬底和复合衬底的制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202512038507.7
    本申请实施例提供一种复合衬底和复合衬底的制备方法。复合衬底包括载体衬底；过渡层，过渡层为非氧化物陶瓷层；过渡层层叠于载体衬底厚度方向的一侧；供体衬底，供体衬底层叠于过渡层背离载体衬底的一侧。过渡层能承受更高的温度，能够避免过渡层在退火工艺中...
    2026-02-14
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