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一种提高器件性能的LED芯片结构
本发明涉及一种提高器件性能的LED芯片结构,贯穿第二半导体层及有源层,并延伸到第一半导体层内部的凹陷;与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层,覆盖于第二半导体层部分表面且在第一导电层表面形成规则凹陷的第一绝缘层;覆盖于第一绝缘层部分表面且填...
一种复合图形化衬底、LED外延片和制备方法
本发明公开了一种复合图形化衬底、LED外延片和制备方法。复合图形化衬底包括衬底以及位于衬底一侧表面的多个圆锥结构;多个圆锥结构呈六边形排列;圆锥结构包括锥状主体部和填充部,锥状主体部包括顶点、锥面和底面,锥面具有六个第一弧形凹槽和六个第一弧...
一种医用高亮度LED光源芯片结构及制备方法
本发明公开了一种医用高亮度LED光源芯片结构及制备方法,医用高亮度LED光源芯片结构包括衬底及依次沉积于所述衬底上的外延层结构,所述外延层结构至少包括:n型掺杂层、量子阱层、p型功能层,其中n型掺杂元素为Si、Sn、S、Se、Te中至少一种...
一种利用MOCVD制备深紫外LED的方法及深紫外LED
本发明公开了一种利用MOCVD制备深紫外LED的方法及深紫外LED,涉及光电子制造技术领域。本发明利用MOCVD生长腔室侧壁自下而上的下进气通道、中进气通道和上进气通道,通过上进气通道提供载气,通过中进气通道和下进气通道中的一种提供载气携带...
一种基于Zn协同掺杂的高效蓝绿光LED制备方法
本发明属于半导体光电子器件制造技术领域,具体涉及一种基于Zn协同掺杂的高效蓝绿光LED制备方法,在量子垒中引入一系列创新的、协同的Zn掺杂策略,通过超薄局域掺杂Zn,利用Zn的缺陷钝化作用提升晶体质量,并以Zn/Si共掺实现“温和”的载流子...
一种幕墙用光电玻璃加工工艺
本发明公开了一种幕墙用光电玻璃加工工艺,涉及光电玻璃加工技术领域,包括如下步骤:S1、清洁干燥钢化玻璃;S2、裁切PVB胶片并贴附在钢化玻璃上;S3、用FPCB材料制作FPCB灯条;S4、制造导通横条;S5、将导通横条贴附在钢化玻璃的PVB...
MiniLED芯片修复机的智能对接与数据管理方法及系统
本发明涉及半导体芯片技术领域,一种MiniLED芯片修复机的智能对接与数据管理方法及系统,包括:基于基板设计数据构建理论模型,并利用三维扫描仪对芯片基板扫描以构建实际模型,对比两种模型,精确获取芯片位移数据集,然后,利用射线扫描仪获取基板射...
一种可拉伸电致发光纤维及其制备方法和应用
本发明涉及一种可拉伸电致发光纤维及其制备方法和应用。一种可拉伸电致发光纤维的制备方法,包括以下步骤:S1 在芯线表面制备底电极层;S2 制备本征弹性发光层:制备第一纺丝液,所述第一纺丝液包含高介电聚合物、电致发光材料及第一溶剂;制备第二纺丝...
LED芯片混晶设备及LED芯片混晶方法
本发明公开一种LED芯片混晶设备,LED芯片包括LED本体和第一电极及第二电极,第一电极与第二电极其中之一为具有磁性的电极;LED芯片混晶设备包括磁性底座以及混晶箱体,混晶箱体用于对LED芯片进行混晶,混晶箱体的内侧底部设有载板,载板上设有...
太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件
本申请实施例涉及半导体技术领域,提供一种太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件,太阳能电池包括:基底,基底包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面包括沿第一方向间隔设置的第一区域和第二区域,第一区域包括发射极,发射极与第一电极电连接;第...
一种带有高速差分同轴接头的光电子封装底座
本发明涉及一种带有高速差分同轴接头的光电子封装底座,包括:底座,其开口端设有盖板;底座的侧部贯穿设置有伸入容纳腔的射频连接器与引脚;光电转换组件,安装于容纳腔内,包括第一基板、第二基板、光电二极管和跨阻放大器;光电二极管设置于第二基板上;光...
一种具有复合变形缓冲层的长波长光电器件
本发明公开了一种具有复合变形缓冲层的长波长光电器件,涉及半导体技术领域,包括相互堆叠的GaAs基化合物层、复合变形缓冲层和InP基化合物层,所述复合变形缓冲层包括变形生长层和缺陷阻挡层,所述变形生长层用于实现GaAs基化合物层和InP基化合...
一种TOPCon太阳能电池结构及其制备方法
本发明涉及电池技术领域,尤其涉及一种TOPCon太阳能电池结构及其制备方法。主体为N型硅基底。正面设置硼扩散掺杂区、氧化铝钝化层、氮化硅减反层及电极。背面依次为:第一隧穿氧化层SiOx1与轻掺杂poly‑Si(n+)1;接触区上方有第二隧穿...
片上光谱传感结构、像素单元及其制备方法和应用
本发明公开了一种片上光谱传感结构、像素单元及其制备方法和应用。所述片上光谱传感结构包括金属层、介质层和探测器,金属层和介质层中设置有纳米孔道,纳米孔道自金属层的表面延伸至介质层中;近红外光在纳米孔道中的金属层和介质层的界面处形成表面等离激元...
太阳能电池及其制造方法
本发明提供一种太阳能电池,其特征在于,包括:半导体基板;第一导电型区域及第二导电型区域,位于所述半导体基板的后面侧,并且具有相互不同的导电型;电极,电连接于所述第一导电型区域及所述第二导电型区域;及膜,位于半导体基板的前面上。
一种空间用热胀系数匹配的太阳电池结构与焊接方法
本发明公开了一种空间用热胀系数匹配的太阳电池结构与焊接方法,包括砷化镓三结电池层、过渡层、玻封合金层和银层;方法包括:步骤一,太阳电池制备;步骤二,正向电流焊接;步骤三,反向电流焊接;本发明采用电极异侧设计,将下电极移至背面银层,降低了电池...
一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
本申请公开了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统。太阳能电池包括:边缘区和中央区的第一串接区中包括第一辅助连接线,边缘区和中央区的第二串接区中包括第二辅助连接线,第一辅助连接线与至少两个第二收集栅线连接,第二辅助连接线与至少两个第一收集栅线连...
太阳能电池和光伏组件
本申请公开了一种太阳能电池和光伏组件,太阳能电池包括:半导体基底,沿其厚度方向包括相对的第一表面和第二表面;掺杂导电层,设置在第一表面和第二表面的至少一者上;以及多个集电电极,集电电极与掺杂导电层电连接;集电电极包括多个金属颗粒和互连结构,...
太阳能电池
本发明提供了一种太阳能电池,包括沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的多条主栅线,以及沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布的多条细栅线,第一方向与第二方向不平行,且多条主栅线分别与多条细栅线电性连接,太阳能电池包括栅线结构,栅线结构包括基础栅线...
太阳能电池及其制造方法
本发明提供一种太阳能电池,其特征在于,包括:半导体基板;导电型区域,位于所述半导体基板或者所述半导体基板上;及电极,电连接于所述导电型区域;其中,所述电极是插入于所述导电型区域的一部分的结构。
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