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最新专利技术
  • 自动化基板引线键合生产线
    自动化基板引线键合生产线_山东墨氪智能科技有限公司_202511434960.3
    一种自动化基板引线键合生产线，包括输送线体，输送线体上设有物料检测工位；与输送线体对接的键合设备；位于键合设备的内部的键合工装，键合工装包括吸盘组件，吸盘组件上设有多个与基板对应的吸附部，每个吸附部上均设有吸口，键合工装还包括与每个吸附部的...
    2026-02-04
  • 一种大规格晶圆的分离设备及其使用方法
    一种大规格晶圆的分离设备及其使用方法_厦门特仪科技有限公司_202511346734.X
    本发明公开了一种大规格晶圆的分离设备及其使用方法包括：安装在机台上的支撑板、贯穿安装固定在所述支撑板上方的第一筒体，所述第一筒体上方覆盖放置贴附有若干个晶圆的底膜；设置在所述第一筒体上方的限位组件，通过所述限位组件将所述底膜固定安装在所述第...
    2026-02-04
  • 基板热处理装置、热处理方法及涂覆显影设备
    基板热处理装置、热处理方法及涂覆显影设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411002929.8
    本申请公开了一种基板热处理装置、热处理方法及涂覆显影设备。该基板热处理装置包括：腔体、热板、换气机构和控制部。腔体设置有可闭合的基板输送口；热板用于承载和加热基板；换气机构用于对腔体做进排气处理。其中，控制部被配置为：在热处理基板期间，控制...
    2026-02-04
  • 加热装置及半导体工艺设备
    加热装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411000678.X
    本申请公开了一种加热装置及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种加热装置，包括：壳体、第一加热组件、搅拌组件和循环组件；所述壳体具有用于接收工艺药液的进液口、输出所述工艺药液的出液口和用于回流所述工艺药液的回液口；所述第一加热组件设于所述壳体...
    2026-02-04
  • 检测反应腔室中晶圆的温度的方法和反应腔室
    检测反应腔室中晶圆的温度的方法和反应腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410993848.2
    本申请公开一种检测反应腔室中晶圆的温度的方法，反应腔室包括腔体、加热灯、红外测温装置和发射率检测装置；其中，加热灯用于加热晶圆，发射率检测装置的工作波长为第一波长，红外测温装置的工作波长为第二波长，第二波长位于加热灯发出的加热光的波长范围内...
    2026-02-04
  • 一种去除光伏BC电池片划片后残留水渍装置及方法
    一种去除光伏BC电池片划片后残留水渍装置及方法_安徽宇邦新型材料有限公司_202511577108.1
    本发明公开了一种去除光伏BC电池片划片后残留水渍装置及方法，涉及BC光伏组件焊接技术领域，包括输送组件和传送通道，所述输送组件包括两个相互平行的水平辊，两个水平辊上安装有两条输送带；两条输送带之间的距离小于电池片的宽度。传送通道包括盖体以及...
    2026-02-04
  • 一种晶硅电池片自动化喷淋清洗装置
    一种晶硅电池片自动化喷淋清洗装置_苏州普伊特自动化系统有限公司_202511555584.3
    本发明公开了一种晶硅电池片自动化喷淋清洗装置，包括清洗箱，所述清洗箱内壁的底部放置有收集盒，且清洗箱的上方安装有储液盒，所述清洗箱上表面的左侧固定有电机，且清洗箱的上表面安装有限位框；还包括升降板，所述升降板的正面固定连接有固定主管。本发明...
    2026-02-04
  • 一种用于半导体制程的清洗装置
    一种用于半导体制程的清洗装置_苏州高芯众科半导体有限公司_202511534040.9
    本申请涉及一种用于半导体制程的清洗装置，涉及半导体制造技术领域，旨在改善半导体清洗过程中清洗装置腔体内部残留物影响半导体清洗效果的问题。一种用于半导体制程的清洗装置，包括用于存放半导体的腔体和设置于腔体内部的固定盘，所述固定盘上沿着固定盘的...
    2026-02-04
  • 集成电路封装及其制造方法
    集成电路封装及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511319717.7
    本申请公开了集成电路封装及其制造方法。本公开的实施例提供了具有圆化拐角的IC管芯。在一些实施例中，IC管芯是SOIC(集成芯片上系统)。圆化拐角防止可能不利地影响SOIC的电路结构的尖端放电。具有圆化拐角的IC管芯提高了IC封装中的间隙填充...
    2026-02-04
  • 薄膜处理方法及存储装置制造方法
    薄膜处理方法及存储装置制造方法_株式会社EGTM_202510478928.9
    本发明的薄膜处理方法，包括：改性剂供应步骤，向置有基板的腔体内部供应改性剂，以将所述改性剂吸附到所述基板上形成的薄膜上；净化所述腔体内部的步骤；蚀刻活性剂供应步骤，向所述腔体内部供应蚀刻活性剂，使该蚀刻活性剂与所述被吸附的改性剂反应并处理所...
    2026-02-04
  • 一种空气环境下逐原子层刻蚀半导体的装置及刻蚀方法
    一种空气环境下逐原子层刻蚀半导体的装置及刻蚀方法_浙江大学_202511962311.0
    本发明涉及一种空气环境下逐原子层刻蚀半导体的装置及刻蚀方法，属于原子及近原子尺度极端制造领域，其先在装置内循环供给干燥空气或潮湿空气，控制腔体内的湿度，之后通过xy轴电机运动平台将工件移动到待刻蚀位置，并通过z轴电机运动平台和xyz轴压电陶...
    2026-02-04
  • 用于膜的电子增强化学气相蚀刻的方法
    用于膜的电子增强化学气相蚀刻的方法_三星电子株式会社_202511020310.4
    用于膜的电子增强化学气相蚀刻的方法包括：进行利用电子和至少一种反应性背景气体的电子增强化学气相蚀刻，以蚀刻在具有正基底电压的基底上的膜(例如，薄膜)。在实施例中，所述方法是用于蚀刻硅薄膜的方法，所述方法包括：进行利用电子和至少一种反应性背景...
    2026-02-04
  • 一种纵向均匀掺杂的离子注入方法
    一种纵向均匀掺杂的离子注入方法_重庆伟特森电子科技有限公司_202511502736.3
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种纵向均匀掺杂的离子注入方法，其包括以下步骤：步骤S1，设置离子注入机的能量为所需掺杂深度对应的最大能量Emax；步骤S2，在离子注入机的离子出口与待注入材料之间施加交变电场；步骤S3，根据注入离子的极...
    2026-02-04
  • 离子注入剥离方法、装置、系统及存储介质
    离子注入剥离方法、装置、系统及存储介质_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511293069.2
    本申请提供了一种离子注入剥离方法、装置、系统及存储介质，该方法应用于离子注入剥离系统，该方法包括：提供第一材料衬底和第二材料衬底；向第一材料衬底内注入第一离子束和第二离子束，形成包含第一离子和第二离子的损伤层，其中，第一离子束与第二离子束在...
    2026-02-04
  • ALD沉积方法和太阳能电池
    ALD沉积方法和太阳能电池_天合光能(东台)光电有限公司_202511612978.8
    本申请涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种ALD沉积方法和太阳能电池。旨在解决载板需要较长的波动时间才能使载板达到指定温度，会影响ALD设备的产能的问题。为此，本申请提供了一种ALD沉积方法，包括：i)初始化阶段：采用温度模式运行，采集每个...
    2026-02-04
  • 一种菱方相锰锆共掺二氧化铪铁电薄膜材料及其制备方法
    一种菱方相锰锆共掺二氧化铪铁电薄膜材料及其制备方法_清华大学_202411083960.9
    本发明公开了一种菱方相锰锆共掺二氧化铪铁电薄膜材料及其制备方法。该铁电薄膜材料结构由下至上依次为：单晶基底层、底电极层和铁电材料层；其中，铁电材料层由单层均匀薄膜组成，构成铁电材料层的材料是具有铁电性的稳定菱方相结构的锰锆共掺杂二氧化铪。制...
    2026-02-04
  • 形成薄膜晶体管的方法
    形成薄膜晶体管的方法_应用材料公司_202511351529.2
    本文披露的实施方式大体涉及形成薄膜晶体管(TFT)的方法。所述方法包括形成一个或多个金属氧化物层和/或多晶硅层。使用具有电感耦合等离子体(ICP)的高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)工艺将栅极界面(GI)层沉积在一个或多个金属氧化...
    2026-02-04
  • 一种集成薄膜电阻及其制备方法
    一种集成薄膜电阻及其制备方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202411008376.7
    本发明公开了一种集成薄膜电阻及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、对前层工艺中的金属间电介质平坦化后形成氧化层；S2、在氧化层上方进行第一次SiON沉积后形成隔绝层；S3、在隔绝层上方依次进行铬硅和TiN沉积，分别形成铬硅层和窗口层后回...
    2026-02-04
  • MXene-BTCN忆阻器及其制备方法
    MXene-BTCN忆阻器及其制备方法_无锡微纳核芯电子科技有限公司_202511563955.2
    本申请涉及MXene‑BTCN忆阻器及其制备方法、数据存储结构，包括导电基底层、设置在导电基底层上的金属电极层以及位于导电基底层与金属电极层之间的MXene‑BTCN功能层，MXene‑BTCN功能层由MXene与有机半导体BTCN复合形成...
    2026-02-04
  • 一种阈值开关器件及其制备方法
    一种阈值开关器件及其制备方法_深圳大学_202511561153.8
    本发明涉及一种阈值开关器件及其制备方法，属于半导体器件与微电子技术领域。该器件自下而上依次包括衬底、第一电极层、异质结材料层和第二电极层；其中异质结材料层由金属性材料ATe22组成的第一子层与由半导体性材料MX22组成的第二子层交替堆叠构成...
    2026-02-04
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