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最新专利技术
  • HBC电池的制备方法及HBC电池
    HBC电池的制备方法及HBC电池_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202411014390.8
    本发明公开了一种HBC电池的制备方法及HBC电池，所述制备方法包括以下步骤：提供硅片；在第二表面上依次制备第一掩膜和第二掩膜；通过激光工艺对第一区域上的第二掩膜进行图形化开膜，并通过湿法刻蚀工艺去除第一区域上的第一掩膜；在第二表面上依次制备...
    2026-02-06
  • 一种汇流带焊接方法及焊接设备
    一种汇流带焊接方法及焊接设备_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202411014189.X
    本发明涉及光伏组件生产领域，具体涉及一种汇流带焊接方法及焊接设备。本发明提供的汇流带焊接方法，用于将汇流带焊接在背接触电池组上，背接触电池串组放置于玻璃板上，使汇流带与绝缘区内裸露的焊带搭接，实施焊接，焊接过程中背接触电池串组位于玻璃板上，...
    2026-02-06
  • 一种背接触电池的组件互联方法、太阳能组件及光伏系统
    一种背接触电池的组件互联方法、太阳能组件及光伏系统_东方日升新能源股份有限公司_202411011283.X
    本发明公开了一种背接触电池的组件互联方法、太阳能组件及光伏系统，涉及太阳能电池技术领域。本发明将金属薄膜与第一电池片贴合并与金属电极连接后，对金属薄膜进行切割成相互独立的正极金属薄膜和负极金属薄膜，在形成电池串和组件时不再需要焊带与一种电极...
    2026-02-06
  • 一种硅基异质结电池的整形激光退火设备及退火方法
    一种硅基异质结电池的整形激光退火设备及退火方法_浙江华工光润智能装备技术有限公司_202410988818.2
    本发明公开了一种硅基异质结电池的整形激光退火设备及退火方法，包括激光器、光路和快接组件激光器的输出端上固定连接有光路，光路上固定连接有扩束镜，本发明，利用快接组件将衍射光学元件固定在光路上，后期维护时取出衍射光学元件即可，维护简单方便；加工...
    2026-02-06
  • 高信噪比全局快门复合介质栅光敏探测器及其工作方法
    高信噪比全局快门复合介质栅光敏探测器及其工作方法_南京大学_202511550602.9
    本发明公开一种高信噪比全局快门复合介质栅光敏探测器及其工作方法，属于光电探测与成像传感器研究领域。像素左右两侧设置短埋栅，前表面下方设N型梯度收集区；曝光结束后，电荷先转移至前表面浮置节点邻近区域，随后通过对侧栅加压，在近表面形成横向漂移电...
    2026-02-06
  • 集成芯片及其形成方法
    集成芯片及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413143.X
    本公开的各个实施例针对集成芯片(IC)。IC包括第一像素区域，第一像素区域包括位于衬底中的第一光电探测器。包括第二光电探测器的第二像素区域位于衬底中并且与第一像素区域相邻。隔离结构位于衬底中，并且包括位于第一像素区域和第二像素区域之间的第一...
    2026-02-06
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510176914.1
    一种图像传感器，包括衬底、衬底中的多个光电二极管、元件隔离图案和光电二极管隔离图案。光电二极管隔离图案包括：导电隔离图案，延伸到衬底的至少一部分中；绝缘隔离图案，在导电隔离图案周围延伸。绝缘隔离图案的与衬底的第一表面相邻的第一表面在第一方向...
    2026-02-06
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411054694.7
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、光电二极管、层间介电层以及电容器。基底包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面。光电二极管设置于基底中。层间介电层设置于基底的第一表面上且覆盖光电二极管，其中层间介电层包括沟槽。...
    2026-02-06
  • 一种图像传感器及其制备方法及电子设备
    一种图像传感器及其制备方法及电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410991288.7
    本申请公开了一种图像传感器及其制备方法及电子设备，涉及光电图像传感器设计与制造技术领域，图像传感器的制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成像素单元，像素单元包括至少两种用于感测不同波段光线的子像素；在像素单元的入光侧形成透镜层，透...
    2026-02-06
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512003159.X
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供含衬底、浮置扩散区及源极跟随器的基底，源极跟随器的栅极结构位于衬底上表面，浮置扩散区在第一方向上位于栅极结构两侧；形成覆盖衬底与栅极结构的层间介质层；在层间介质层中形成位于栅极结构两侧的凹槽，...
    2026-02-06
  • 一种基于垂直内建电场调控的异质结光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于垂直内建电场调控的异质结光电探测器及其制备方法和应用_广东工业大学_202511414687.8
    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种基于垂直内建电场调控的异质结光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器是将MoS22薄膜覆盖到SiO22/Si衬底上的WSe22纳米片和Cr/Au电极上，且WSe22纳米片和Cr/Au电极不接触，源电...
    2026-02-06
  • 一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法
    一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512021380.8
    本发明公开了一种GaAs基长波长雪崩光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括GaAs衬底、变形生长层、InP基APD功能层；所述变形生长层用于实现GaAs衬底到InP基APD功能层的晶格常数过渡；所述InP基APD功能层包括n型接触...
    2026-02-06
  • 一种雪崩光电二极管及其制备方法
    一种雪崩光电二极管及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511597167.5
    本公开提供了一种雪崩光电二极管及其制备方法。该二极管包括自下而上依次设置的阳极电极、p型金刚石衬底层、金刚石倍增层、n型氧化镓吸收层、n型窗口层和阴极电极；以及钝化层。还公开了上述二极管的制备方法。本公开通过采用宽禁带宽度的铝镓氧化物作为窗...
    2026-02-06
  • 一种镓酸镁雪崩探测器及其制备方法
    一种镓酸镁雪崩探测器及其制备方法_浙江大学_202511497253.9
    本发明公开了一种镓酸镁雪崩探测器及其制备方法。镓酸镁雪崩探测器包括从下到上依次设置的Nb : STO层、MgO : Al层和MgGa22O44层，Nb : STO层和MgGa22O44层分别通过第一电极和第二电极引出。Al掺杂MgO后会形成...
    2026-02-06
  • 一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法
    一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512021379.5
    本发明公开了一种具有复合式本征区的长波长PIN光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述长波长PIN光电二极管包括GaAs衬底、DBR层、变形生长层和吸收层；所述DBR层、变形生长层与吸收层共同构成复合式本征区；所述复合式本征区的光学...
    2026-02-06
  • 一种带有集成式DBR的短波长PIN光电二极管及其制备方法
    一种带有集成式DBR的短波长PIN光电二极管及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512021358.3
    本发明公开了一种带有集成式DBR的短波长PIN光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述短波长PIN光电二极管包括GaAs衬底、n型接触层、本征区和p型接触层；所述本征区包括吸收层和位于所述吸收层下方的DBR层，所述DBR层由多对本征...
    2026-02-06
  • 一种集合压力传感与紫外探测的超薄薄膜AlGaN/GaN HEMT结构
    一种集合压力传感与紫外探测的超薄薄膜AlGaN/GaN HEMT结构_江南大学_202511288737.2
    本发明公开了一种集合压力传感与紫外探测的超薄薄膜AlGaN/GaN HEMT结构及其制备方法，通过在AlGaN/GaN基薄膜的中心区域刻蚀形成HEMT晶体管，将该晶体管的结构设置为双插指结构，以充分收集薄膜因形变而产生极化电荷；并且在背面深...
    2026-02-06
  • 一种基于PdSe2/PbS异质结的红外光电探测器及其制备方法
    一种基于PdSe2/PbS异质结的红外光电探测器及其制备方法_天津大学_202511810938.4
    本发明提出了一种基于PdSe22/PbS异质结的红外光电探测器及其制备方法，属于光电材料与器件的技术领域，用以解决。包括基底、电极层、异质结功能层；所述电极层为间隔分布于基底上的两个金属电极，两个金属电极之间形成沟道，所述异质结功能层设置于...
    2026-02-06
  • 具备外延层应力约束功能的碲镉汞单极势垒结构及制备方法
    具备外延层应力约束功能的碲镉汞单极势垒结构及制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511445017.2
    本申请公开了一种具备外延层应力约束功能的碲镉汞单极势垒结构及制备方法，涉及红外焦平面技术，包括：衬底；预应力层，沉积于所述衬底的表面，用于在外延过程中提供初始应力约束；应变缓冲层，位于所述预应力层与吸收层之间，其结构为对称超晶格，用于在外延...
    2026-02-06
  • X射线检测器
    X射线检测器_韩国睿恩斯有限公司_202511026390.4
    本发明提供一种X射线检测器，包括：检测器模块，包括形成有利用钙钛矿构成的光导电层的传感器组件；壳体，提供所述检测器模块所在的空间，并包括至少一个金属层；以及除湿剂，在收容有所述检测器模块的状态下填充所述壳体的内部空间。
    2026-02-06
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