Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 碳化硅沟槽式MOSFET及其制造方法
    碳化硅沟槽式MOSFET及其制造方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410990925.9
    本发明提供一种碳化硅沟槽式MOSFET及其制造方法。所述的碳化硅沟槽式MOSFET，包括衬底、在衬底上的外延层、沟槽、底部保护区、在外延层内的第一与第二导电型重掺杂区、侧壁保护区、基极区、厚氧化层、栅极氧化层、分离的多个栅极以及绝缘材料层。...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410988551.7
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：内侧墙，位于相邻设置的沟道层和沟道层之间，或者，位于相邻设置的基底和沟道层之间，内侧墙分布在沟道层的两端，且沿内侧墙的厚度方向，内侧墙包括最靠近沟道层的第二子内侧墙、以及位于第二子内侧墙之间的第一...
    2026-02-07
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510959384.8
    本公开的目的在于在具有双面栅极构造的半导体装置中，即使背面栅极动作发生故障也能抑制终端区域的载流子注入。具有双面栅极构造的半导体装置(101)包括设置在漂移层(6)的背面侧的第1导电型的缓冲层(7)、在元件区域(31)中设置在缓冲层和集电极...
    2026-02-07
  • 一种低反向恢复损耗的SiC MPS芯片及制备方法
    一种低反向恢复损耗的SiC MPS芯片及制备方法_扬州杰冠微电子有限公司_202511578256.5
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种低反向恢复损耗的SiC MPS芯片及制备方法。包括从下而上依次设置的背面金属层、SiC Sub层、SiC Epi层、场氧层、钝化层和聚酰亚胺层；所述SiC Epi层上设有：P+区，设有多个，分别从所述S...
    2026-02-07
  • 氧化镓半导体元件、电子器件
    氧化镓半导体元件、电子器件_甬江实验室_202511536737.X
    本发明涉及一种氧化镓半导体元件、电子器件，所述氧化镓半导体元件包括阴极金属电极层以及依次层叠设置于所述阴极金属电极层上的氧化铟锡透明导电层、β相氧化镓单晶衬底层和阳极金属电极层，其中，所述阴极金属电极层与所述氧化铟锡透明导电层形成欧姆接触，...
    2026-02-07
  • 具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件
    具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件_意法半导体股份有限公司_202511512638.8
    本公开的各实施例涉及具有减少的处理步骤SIC电子器件的制造方法和SIC电子器件。一种用于制造基于SiC的电子器件的方法包括在衬底的正侧形成SiC的结构层。衬底具有沿一方向与正侧相对的背侧。电子器件的有源区域在结构层中形成，并且所述有源趋于被...
    2026-02-07
  • 一种快恢复二极管及制造方法
    一种快恢复二极管及制造方法_深圳云潼微电子科技有限公司_202512003052.5
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种快恢复二极管及制造方法，该快恢复二极管包括：衬底、外延层、有源区和环绕有源区的终端区；外延层设置在衬底之上；有源区和终端区设置在外延层上；终端区包括：正面P型过渡区和至少两个正面P型场限环；正面P型过渡...
    2026-02-07
  • 一种硅电容及其制备方法
    一种硅电容及其制备方法_安徽云晶集成电路有限公司_202511571353.1
    本申请公开一种硅电容及其制备方法，涉及电力电子元器件技术领域。该硅电容的制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底，并由第一衬底的上表面内凹形成多个第一孔，由第二衬底的上表面内凹形成多个第二孔；将第一衬底的上表面和第二衬底的上表面相对设置并键合...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511373726.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括：提供半导体结构；半导体结构包括半导体基底和设于半导体基底上的第一极板层和第二极板层；在第二极板层背离半导体基底的一侧设置第一介质层；利用第一掩膜对第二极板层和第一介质层分别进...
    2026-02-07
  • 螺线管型微电感结构及制备方法
    螺线管型微电感结构及制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511542733.2
    本发明公开了一种螺线管型微电感结构及制备方法，螺线管型微电感结构包括衬底、设置于衬底的内部的磁芯，磁芯包括沿衬底的厚度方向层叠的多个磁性薄膜。贯穿衬底的TSV导电柱，TSV导电柱于磁芯的两侧分别设置有多个。以及第一互连层和第二互连层第一互连...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311844856.2
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：提供半导体结构；所述半导体结构包括阵列区和至少部分围绕所述阵列区的虚设区，所述阵列区包括第一堆叠结构，所述虚设区包括第一填充层；在所述第一堆叠结构上形成多条第一导电线且在所述第一填充...
    2026-02-07
  • 一种高密度三维垂直结构存储器及其制备方法
    一种高密度三维垂直结构存储器及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511170399.2
    本发明提供了一种高密度三维垂直结构存储器及其制备方法，包括如下步骤：在衬底上的堆叠结构中形成字线结构；填充绝缘介质，在字线结构两侧的绝缘介质中形成通孔结构；在通孔结构中形成存储介质层；在通孔结构内形成顶电极层。本发明针对叠层孔刻蚀工艺瓶颈，...
    2026-02-07
  • 存储器及其制作方法、操作方法、电子设备
    存储器及其制作方法、操作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411018190.X
    本公开涉及一种存储器及其制作方法、操作方法、电子设备，存储器包括：多个存储单元，沿平行于衬底的第一方向、第二方向以及垂直于衬底的第三方向阵列，每个存储单元包括第一电极、铁电层及第二电极，铁电层环绕第二电极，第一电极环绕铁电层；多个选通线，沿...
    2026-02-07
  • 一种三维铁电存储器及其制备方法
    一种三维铁电存储器及其制备方法_北京超弦存储器研究院_202511818676.6
    本发明公开一种三维铁电存储器及其制备方法，属于半导体存储器领域。本发明通过将相邻层的位线设计为正交结构，将其从大面积的平行板减小为垂直方向的交叉点区域，从而将层间寄生电容降低约一倍。本发明可直接减小RC延迟，使得读写信号的建立速度更快，从而...
    2026-02-07
  • 基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法
    基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法_材料科学姑苏实验室_202511999604.6
    本申请实施例涉及一种基于铁电薄膜晶体管的非易失存储器及其制备方法，包括采用等离子体增强原子层沉积(PE‑ALD)工艺生长异质多层薄膜(包括铁电层)。采用PE‑ALD工艺外延生长的铁电薄膜晶体管，铁电层的极化状态直接改变晶体管的阈值电压，铁电...
    2026-02-07
  • 一种FLASH器件及基于FLASH器件的快速擦除方法
    一种FLASH器件及基于FLASH器件的快速擦除方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511486153.6
    本发明公开了一种FLASH器件及基于FLASH器件的快速擦除方法，FLASH器件包括两个FLASH器件控制栅引出端。方法包括分别在第二FLASH器件控制栅引出端3和第一FLASH器件控制栅引出端2施加电压，使FLASH器件控制栅1中产生电流...
    2026-02-07
  • 包括外延多晶硅源极触点的电子装置及相关系统及方法
    包括外延多晶硅源极触点的电子装置及相关系统及方法_美光科技公司_202511022407.9
    公开包括外延多晶硅源极触点的电子装置及相关系统及方法。一种电子装置包括：源极堆叠，其包括一或多种导电材料；源极触点，其邻近于所述源极堆叠；交替导电材料及介电材料的层级，其邻近于所述源极触点；及支柱，其延伸穿过所述层级及所述源极触点而到所述源...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411004401.4
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括堆叠结构、选择栅切线结构和第一沟道结构，所述选择栅切线结构沿第一方向位于所述堆叠结构的至少一部分的一侧，所述第一沟道结构沿所述第一方向贯穿所述堆叠结构，所述第一沟道结构包括沟道...
    2026-02-07
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411002049.0
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括堆叠结构、选择栅切线结构和第一沟道结构。选择栅切线结构位于堆叠结构在第一方向上的一侧。第一沟道结构位于选择栅切线结构在第二方向上的一侧且沿第一方向延伸并贯穿堆叠结构。第一方向...
    2026-02-07
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411000935.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括堆叠结构、第一栅线隔离结构和第二栅线隔离结构，堆叠结构包括栅极层以及与栅极层同层设置的第一介质层，第一栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构，第二栅线隔离结构沿第一方向贯穿堆叠结构...
    2026-02-07
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证