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最新专利技术
  • 芯片封装结构及电子设备
    芯片封装结构及电子设备_北京玄戒技术有限公司_202511554629.5
    本申请涉及一种芯片封装结构及电子设备，芯片封装结构包括导热腔体、散热组件和风扇。导热腔体设于芯片组件上方并与其导热连接。散热组件设置于导热腔体内，包括多个间隔排布的散热件。风扇设于导热腔体内。散热组件与风扇在平行于基板的平面内间隔布置，其中...
    2026-02-08
  • 一种空间散热IGBT模块及其封装方法
    一种空间散热IGBT模块及其封装方法_成都环宇芯科技有限公司_202511420730.1
    一种空间散热IGBT模块及其封装方法，涉及集成电路封装技术领域，IGBT模块的主要结构为：两个塑料框架上下叠放，上部塑料框架的下端面与下部塑料框架的上端面固定连接，两个散热铜底板分别与上部塑料框架的上端及下部塑料框架的下端固定连接，分别围合...
    2026-02-08
  • 封装器件及其制造方法
    封装器件及其制造方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511397349.8
    本发明涉及一种封装器件及其制造方法。所述封装器件包括：转接板，包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面；第一芯片，贴装于所述转接板的所述第一主面上且与所述转接板电连接；桥接结构，连接于所述转接板的所述第一主面上；第二芯片，贴装于所述桥接结...
    2026-02-08
  • 一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺
    一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺_广东畅能投资控股有限公司_202511170103.7
    本发明提出了一种高效散热的IGBT模组结构及制造工艺，高效散热的IGBT模组结构包括导热绝缘基座，自上而下包括上金属层、绝缘层和下金属层；相变均热板，包括密封连接的上壳板与下壳板，上壳板和下壳板之间设有真空腔，真空腔内设有吸液芯结构和相变工...
    2026-02-08
  • 具有固态硬盘的模块、多芯片模块及散热方法
    具有固态硬盘的模块、多芯片模块及散热方法_旺宏电子股份有限公司_202411062071.4
    本公开提供了一种具有固态硬盘的模块。该模块包含具有上表面的基板、配置于基板的上表面上且具有第一阈值工作温度的控制单元、配置于基板的上表面上且具有第二阈值工作温度的第一储存单元、配置于该控制单元上的第一导热元件、以及配置于第一储存单元上的第二...
    2026-02-08
  • 一种具有金属外壳的产品封装结构及其制备方法
    一种具有金属外壳的产品封装结构及其制备方法_北京新雷能科技股份有限公司_202410960931.X
    本发明提供了一种具有金属外壳的产品封装结构及其制备方法，涉及混合集成电路封装技术领域。其中散热齿结构可提升散热性能，并实现减重和轻型化设计的目的。基于高度较高的台阶区域设置的绝缘子结构可提升其强度，降低缺陷率。基于导热灌封胶和导热绝缘膜设置...
    2026-02-08
  • 半导体器件的介电层结构及其制造方法
    半导体器件的介电层结构及其制造方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511369411.2
    本发明提供一种半导体器件的介电层结构及其制造方法。该介电层结构包括：设置在金属布线层上的覆盖层；以及设置在覆盖层上的介电堆叠层。介电堆叠层包括依次设置的第一介电层、用以补偿覆盖层应力的应力补偿层、以及第二介电层。该形成方法包括依次沉积上述各...
    2026-02-08
  • 自对准双重图形化方法及半导体器件
    自对准双重图形化方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511366764.7
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种自对准双重图形化方法及半导体器件。所提供的自对准双重图形化方法，包括：提供衬底，于衬底上形成硬掩膜层和初始侧墙层，初始侧墙层包括不对称部分，不对称部分包括相对设置的、具有不对称性的第一侧面和第二侧面...
    2026-02-08
  • 金属互连结构、其制备方法以及半导体器件
    金属互连结构、其制备方法以及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511366757.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种金属互连结构、其制备方法以及半导体器件。所提供的金属互连结构，包括：依次层叠设置的衬底、阻挡层、堆叠层和上层金属层；贯穿所述阻挡层、所述堆叠层和上层金属层的开孔；以及，填充于开孔内的介质层；其中，堆叠层...
    2026-02-08
  • 半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装
    半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装_三星电子株式会社_202510857455.3
    公开了半导体芯片和包括该半导体芯片的半导体封装。该半导体芯片可以包括：半导体基板；贯穿硅通路，垂直穿透半导体基板；集成器件层，在半导体基板的第一表面上并包括集成器件；多布线层，在集成器件层上并包括多层布线；上金属层，在多布线层上并连接到布线...
    2026-02-08
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510545267.7
    一种半导体封装包括：封装衬底，包括在封装衬底的顶表面上的第一上连接焊盘和第二上连接焊盘；第一半导体芯片堆叠，包括多个第一半导体芯片和第一芯片焊盘；第二半导体芯片堆叠，包括第二芯片焊盘和以阶梯状形状堆叠在第一半导体芯片堆叠上的多个第二半导体芯...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路
    一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511971881.6
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及集成电路，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括以下步骤：蚀刻多层层间介质层，在器件区形成垂直接触孔，在密封环区形成异形接触孔，且异形接触孔的径向尺寸随着深度增加而减小；蚀刻垂直接触孔外围...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410955177.0
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一金属层和位于所述第一金属层表面的介质层；第二金属层，位于所述介质层中并且所述第二金属层的顶面与所述介质层的顶面平齐；覆盖层，覆盖所述介质层和第二金属层表面。本申...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410955173.2
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一金属层和位于所述第一金属层表面的介质层；第二金属层，位于所述介质层中并且所述第二金属层的顶面高于所述介质层的顶面；覆盖层，覆盖所述介质层和第二金属层表面。本申请...
    2026-02-08
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏新旭技术有限公司_202511553391.4
    本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体制造方法包括：在半导体衬底上形成第一刻蚀阻挡层，使半导体衬底的连接金属结构与第一刻蚀阻挡层相接触；在第一刻蚀阻挡层形成第一沟槽并暴露连接金属结构；在第一沟槽内形成覆盖连接金属结构的牺牲结构；然后...
    2026-02-08
  • 封装件结构及其形成方法
    封装件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511482293.6
    本发明的实施例提供了一种封装件结构，包括桥式管芯。桥式管芯包括半导体衬底；以及位于半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括介电层和位于介电层中的导线，将桥式管芯密封在其中的密封剂，以及位于桥式管芯上方的再分布结构。再分布结构中包括再分布线。第...
    2026-02-08
  • 深硅刻蚀方法
    深硅刻蚀方法_甬江实验室_202511428639.4
    本申请涉及一种深硅刻蚀方法，通过在多层掩模体系中引入中间牺牲层，并经湿法刻蚀，使所述牺牲层通孔内凹于所述硬掩模层通孔和光刻胶层通孔，在所述光刻胶层上形成“悬臂”特征的结构。一方面，由所述光刻胶层及其通孔、牺牲层及其通孔和硬掩模层及其通孔构成...
    2026-02-08
  • 一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法
    一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法_北京晨晶电子有限公司_202511373248.7
    本发明提供一种基于系统级封装的本振锁定组件及其制备方法，属于半导体器件技术领域，本振锁定组件包括：顶层晶圆、底层晶圆和中间层晶圆，中间层晶圆位于顶层晶圆和底层晶圆之间，中间层晶圆分别与顶层晶圆键合和底层晶圆键合以形成系统级封装；中间层晶圆和...
    2026-02-08
  • 堆叠的半导体装置
    堆叠的半导体装置_三星电子株式会社_202510772743.9
    一种堆叠的半导体装置包括：基础半导体管芯和多个核心半导体管芯，在垂直方向上堆叠；多个温度感测电路，分别包括在所述多个核心半导体管芯中；转换电路，被包括在基础半导体管芯中；以及多个垂直导电路径，电连接基础半导体管芯和所述多个核心半导体管芯，贯...
    2026-02-08
  • 接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法
    接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511535232.1
    本发明提供一种接触孔形成方法、半导体器件及其制备方法，该接触孔形成方法包括：提供包括器件区域和边缘区域的前端器件，并在器件顶面形成非金属缓冲层和氮化硅阻挡层，其中器件区域包括需要形成接触孔的第一区域；对边缘区域顶面的氮化硅阻挡层注入预设剂量...
    2026-02-08
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