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最新专利技术
  • 封测设备的控制方法、存储介质、程序产品和电子设备
    封测设备的控制方法、存储介质、程序产品和电子设备_珠海格力电子元器件有限公司_202511507763.X
    本申请提供了一种封测设备的控制方法、存储介质、程序产品和电子设备，该方法包括：在封测设备与EAP服务器的网络联通的情况下，确定是否接收到EAP服务器发送的EAP事件；在接收到EAP事件时，根据EAP事件，发送第一模拟指令至封测设备，以使得封...
    2026-02-08
  • 舱门锁紧装置及包括其的反应腔
    舱门锁紧装置及包括其的反应腔_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511433572.3
    本发明公开了一种舱门锁紧装置及包括其的反应腔。根据本发明实施例的舱门锁紧装置包括：升降杆与舱盖相连接，以驱动舱盖的移动；连杆施力端主体与升降杆相连接，并在升降杆的带动下移动；施力连杆的第一端和第二端分别设置有第一球形关节和第二球形关节，第一...
    2026-02-08
  • 一种半导体栅叠层制备装置及控制方法
    一种半导体栅叠层制备装置及控制方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511415105.8
    本申请实施例提供一种半导体栅叠层制备装置及控制方法，半导体栅叠层制备装置包括转接部、多个工艺腔、晶圆片盒站和真空系统，所述转接部为正多边形结构，并在每个侧边设置有一个端口，多个所述工艺腔和所述晶圆片盒站分别设置在所述转接部不同的侧边并对应连...
    2026-02-08
  • 一种预测焦点偏移的方法
    一种预测焦点偏移的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511368514.7
    本申请公开了一种预测焦点偏移的方法，包括：提供第一器件，第一器件表面形成有第一多晶硅和第二多晶硅；确定第一多晶硅的第一厚度H1和第二多晶硅的第二厚度H2；确定第一器件中的第一多晶硅的覆盖率C1和第二多晶硅的覆盖率C2；基于第一器件进行设计变...
    2026-02-08
  • 双工作台全自动焊线机的上下料方法
    双工作台全自动焊线机的上下料方法_广东科杰技术股份有限公司_202511355985.4
    本发明涉及双工作台全自动焊线机的上下料方法，其方法包括：待用于下料的第一吸嘴吸起成品工件后，上述第一吸嘴下移将成品工件放入第一料盘内，用于上料的第一吸嘴下移吸起第一料盘内的胚料工件后，第一机械手直至接收到焊头移动到第二工作台的指令后，判断第...
    2026-02-08
  • 工艺腔室清理方法及半导体工艺设备
    工艺腔室清理方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511340910.9
    本发明提供了工艺腔室清理方法及半导体工艺设备；其中，工艺腔室包括设置在腔室上半部的第一部件和设置在腔室下半部的第二部件；在工艺腔室清理方法中，首先采用第一工艺气体清理第一部件表面含硅元素的聚合物，然后采用第二工艺气体清理第二部件表面含硅元素...
    2026-02-08
  • 用于改善室匹配的混合流量计量
    用于改善室匹配的混合流量计量_朗姆研究公司_202511191728.1
    一种衬底处理系统的气体输送系统包含气箱，气箱包含质量流量控制器以控制来自气体源的气流。气流路径与所述气箱流体连通。混合流量计量系统与所述气流路径流体连通，并且包含控制器，所述控制器被设置成：执行第一流量计量，以在由所述质量流量控制器中的至少...
    2026-02-08
  • 适配器、基板处理装置以及基板的工艺副产物的去除方法
    适配器、基板处理装置以及基板的工艺副产物的去除方法_TES股份有限公司_202510992136.3
    本发明涉及一种适配器、基板处理装置以及基板的工艺副产物的去除方法，更详细而言，涉及一种在蚀刻(etching)基板时，在一个腔体中执行至热处理而可以有效地执行基板的蚀刻的适配器、基板处理装置以及基板的工艺副产物的去除方法。基板处理装置具备：...
    2026-02-08
  • 介质窗均温散热装置、介质窗均温散热方法、刻蚀设备
    介质窗均温散热装置、介质窗均温散热方法、刻蚀设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410974993.6
    本申请实施例提供一种介质窗均温散热装置、介质窗均温散热方法、刻蚀设备，涉及半导体制造技术领域，介质窗均温散热装置包括风扇、风板、导电线圈和冷却液进出接头，风板位于风扇和介质窗之间且三者同轴布置，风板包括中心孔和位于中心孔四周的风板主体，风板...
    2026-02-08
  • 晶圆清洗机和晶圆清洗方法
    晶圆清洗机和晶圆清洗方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511974115.5
    本申请公开了一种晶圆清洗机和晶圆清洗方法，涉及半导体技术领域。晶圆清洗机包括：承载台用于承载形成有接触孔的待清洗晶圆，接触孔中具有颗粒；第一清洗模组用于将混合清洗剂喷射至接触孔中，颗粒位于混合清洗剂中；混合清洗剂包括多元醇清洗剂和异氰酸酯清...
    2026-02-08
  • 一种实现蓝膜上半导体器件表面脏污清洗方法
    一种实现蓝膜上半导体器件表面脏污清洗方法_常州瀚镓半导体有限公司_202511717024.3
    本发明提供了一种实现蓝膜上半导体器件表面脏污清洗方法，涉及半导体器件清洗技术领域，包括：步骤S1：配置清洗药水；步骤S2：采用毛刷蘸取清洗药水后对半导体器件刷洗；步骤S3：使用纯水冲洗半导体器件表面残留的药水；步骤S4：使用氮气枪对半导体器...
    2026-02-08
  • 一种晶圆SiO2背膜残胶的去除方法
    一种晶圆SiO2背膜残胶的去除方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511600523.4
    本发明公开了一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法，涉及计算机技术领域，一种晶圆SiO₂背膜残胶的去除方法包括以下步骤：步骤一：残胶晶圆筛选；步骤二：清洗液制备；步骤三：残胶清洗处理；步骤四：清洗后漂洗；步骤五：干燥与良品筛选。本发明通过构建初...
    2026-02-08
  • 一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法
    一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511600517.9
    本发明公开了一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法，具体涉及半导体制造技术领域，S1：预清洗处理、S2：主清洗序列、S3：靶向碱洗处理和S4：深度漂洗与干燥。本发明所述的一种去除晶圆腐蚀污迹与药液残留的方法，本发明主清洗阶段采用梯度HF、层流...
    2026-02-08
  • 晶圆表面残胶的去除方法和晶圆
    晶圆表面残胶的去除方法和晶圆_珠海格力电子元器件有限公司_202511499680.0
    本申请提供了一种晶圆表面残胶的去除方法和晶圆，去除方法包括：采用至少一种清洗工艺对待处理晶圆的正面残胶进行去除，得到第一晶圆，清洗工艺包括激光清洗工艺和超声波联合臭氧清洗工艺；采用包括超临界二氧化碳的溶剂去除第一晶圆的正面的残留物，残留物为...
    2026-02-08
  • 一种多工位晶圆单片清洗设备及晶圆单片清洗方法
    一种多工位晶圆单片清洗设备及晶圆单片清洗方法_杭州翼菲机器人智能制造有限公司_202511380887.6
    本申请公开了一种多工位晶圆单片清洗设备及晶圆单片清洗方法，晶圆单片清洗设备包括机体，机体设有清洗单元、上料单元与转运单元；清洗单元包括多个清洗部，各清洗部能够独立执行晶圆清洗工作；上料单元包括多个晶圆取放位，各晶圆取放位能够单独放置晶圆；转...
    2026-02-08
  • 晶圆卡盘冷却站分离装置
    晶圆卡盘冷却站分离装置_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511533700.1
    本发明涉及临时晶圆键合技术领域，具体涉及一种晶圆卡盘冷却站分离装置，主要解决现有冷却站分离装置晶圆对与晶圆卡盘分离难度较大的技术问题。本装置包括冷却机构、测温机构、驱动机构、正压分离机构、吹气分离机构和提升机构，冷却机构包括支撑件和冷却板，...
    2026-02-08
  • 晶圆沟槽的加工方法及其相关装置
    晶圆沟槽的加工方法及其相关装置_沈阳和研科技股份有限公司_202511971494.2
    本发明提供了一种晶圆沟槽的加工方法及其相关装置，涉及晶圆加工技术领域，晶圆沟槽的加工方法，用于晶圆加工设备，晶圆加工设备包括刀具，加工方法包括：对晶圆进行识别，确定晶圆的外轮廓；获取晶圆的预设开槽轨迹；基于晶圆的预设开槽轨迹和晶圆的外轮廓确...
    2026-02-08
  • 基底切边方法及基底切边控制系统
    基底切边方法及基底切边控制系统_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410966567.8
    本申请公开了一种基底切边方法及基底切边控制系统，包括：选择性地执行第一种切边作业模式或第二种切边作业模式；执行第一种切边作业模式时，控制载台按照预设速度从初始位置匀速旋转至目标位置，同时控制两个刀头以相同的切边尺寸同时对载台上的基底进刀切边...
    2026-02-08
  • 一种单片式砷化镓衬底的高效腐蚀方法
    一种单片式砷化镓衬底的高效腐蚀方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202511701963.9
    本发明公开了一种单片式砷化镓衬底的高效腐蚀方法，将砷化镓衬底晶圆置于腐蚀液中并在浸泡过程中持续运动，以抑制气泡附着；将经浸泡的晶圆绕其轴心旋转，同时向晶圆表面持续供给NH₄OH与H₂O₂混合药液，借助旋转产生的离心力与药液冲刷力实时去除腐蚀...
    2026-02-08
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202511639735.3
    在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻...
    2026-02-08
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