Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202511639735.3
    在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻...
    2026-02-08
  • 一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片
    一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片_西湖大学_202511964701.1
    本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片，其中，所述方法包括：在氧化钨薄膜上形成有机聚合物软掩膜层；在ICP刻蚀设备中，采用三氟甲烷为主体的刻蚀气体，对具备所述有机聚合物软掩膜层的所述氧化钨薄膜进...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构的刻蚀方法
    一种半导体结构的刻蚀方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511575219.9
    本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，该半导体结构的刻蚀方法包括提供一半导体基底，于半导体基底上依次形成氧化硅层、氮化硅层及光刻胶层，并在光刻胶层上形成光刻胶开口。基于光刻胶开口采用由氢氟烃、氧气及氩气形成的混合气体刻蚀氮化硅层，在刻蚀过程...
    2026-02-08
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品_株式会社国际电气_202510593094.6
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品。课题是提供一种能够高效地进行衬底表面的蚀刻并提高生产率的技术。解决手段具有：(a)形成在处理容器内配置有制品衬底和含氮物的状态的工序；和(b)通过向配置有所述制品衬底和所述含氮物...
    2026-02-08
  • 通过使用低温等离子体蚀刻工艺制造半导体装置的方法
    通过使用低温等离子体蚀刻工艺制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510478224.1
    提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在半导体结构上形成第一模制结构和第二模制结构，第二模制结构在水平方向上与第一模制结构间隔开，第一模制结构包括一个接一个地交替堆叠的第一绝缘膜和与第一绝缘膜不同的第二绝缘膜，并且第二模制结构包括第三...
    2026-02-08
  • 制造半导体结构的方法
    制造半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202511566827.3
    本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。在基板上形成导电结构。形成钨层以覆盖基板与导电结构。在钨层上形成硬遮罩叠层。图案化硬遮罩叠层。通过硬遮罩叠层蚀刻钨层。移除硬遮罩叠层。在钨层上形成硬遮罩叠层包括以下操作。在钨层上形成碳...
    2026-02-08
  • 一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法
    一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法_长春长光圆辰微电子技术有限公司_202511958257.2
    本申请涉及半导体刻蚀技术领域，本申请提供一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀基板于等离子体处理装置的腔室内，所述待刻蚀基板表面至少包含待刻蚀层和掩模层；向所述腔室内通入工艺气体；施加脉冲化的源功率以在所述腔...
    2026-02-08
  • 一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法
    一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202511457978.5
    本发明提供了一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法，所述方法包括以下步骤：(1)预处理过程：预清洁刻蚀腔体；(2)初始化过程：将待刻蚀晶圆放置到所述刻蚀腔体中的静电吸盘上，所述静电吸盘的温度是预设值，所述待刻蚀晶圆包括GaN层和A...
    2026-02-08
  • 半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件
    半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_202410949060.1
    本发明涉及一种半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件，所述制造方法包括：形成第一目标膜层；根据斜坡台面的顶面设计形状和顶面设计尺寸，对所述第一目标膜层进行光刻和第一干法刻蚀，第一干法刻蚀后剩余的第一目标膜层为第一目标结构；所述第一目标结...
    2026-02-08
  • 纳米级条纹阵列图案化的层叠体及其制备方法、二维材料的图案化方法和基底的图案化方法
    纳米级条纹阵列图案化的层叠体及其制备方法、二维材料的图案化方法和基底的图案化方法_清华大学_202410961847.X
    本发明涉及一种纳米级条纹阵列图案化的层叠体及其制备方法、二维材料的图案化方法和基底的图案化方法。本发明的纳米级条纹阵列图案化的层叠体的制备方法包括：(A1)在二维材料层的表面上以与该表面接触的方式通过涂覆墨水形成嵌段共聚物层，所述墨水为包含...
    2026-02-08
  • 碳化硅衬底及其制备方法和碳化硅外延片及其制备方法
    碳化硅衬底及其制备方法和碳化硅外延片及其制备方法_重庆奕欣科技有限公司_202511548981.8
    本公开提供了外延生长用碳化硅衬底及其制备方法、以及碳化硅外延片及其制备方法。在一方面中，提供了一种外延生长用碳化硅衬底的制备方法，该制备方法包括：对碳化硅衬底的表面进行离子注入，以在该表面下方形成损伤区；以及对经过离子注入的碳化硅衬底进行退...
    2026-02-08
  • 氮化物半导体装置的制造方法
    氮化物半导体装置的制造方法_住友电气工业株式会社_202510948350.9
    氮化物半导体装置的制造方法具有以下工序：准备包括沿着第一轴重叠的沟道层和阻挡层并且具有第一面的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及通过溅射法，在腔室内，在第一凹部形成包含镓和杂质的第二氮化物半导体层，在第二凹...
    2026-02-08
  • 一种复合衬底及其制备方法
    一种复合衬底及其制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511948622.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种复合衬底及其制备方法。复合衬底包括4H‑SiC基板，4H‑SiC基板的碳面形成有第一热氧化层。3C‑SiC基板，3C‑SiC基板的表面形成有第二热氧化层。第一热氧化层与第二热氧化层融合形成键合层，以使4H...
    2026-02-08
  • 复合衬底及复合衬底的制备方法
    复合衬底及复合衬底的制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511948619.X
    本申请实施例提供一种复合衬底及复合衬底的制备方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决相关技术中由3C‑SiC衬底与4H‑SiC衬底键合形成的复合衬底键合界面电阻较大的技术问题；该复合衬底包括：3C‑SiC层和4H‑SiC层，4H‑SiC层包括...
    2026-02-08
  • 一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法
    一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法_浙江金瑞泓科技股份有限公司_202511383083.1
    本发明涉及一种硅衬底上具有N型As掺杂缓冲层的外延结构及其生成方法，包括硅衬底(1)、缓冲层(2)和外延层(3)，所述的硅衬底(1)上依次生长有缓冲层(2)和外延层(3)；所述的硅衬底(1)的电阻率在0.0009ohm﹒cm至0.05ohm...
    2026-02-08
  • 一种晶圆键合装置及键合方法、一种介质
    一种晶圆键合装置及键合方法、一种介质_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511713900.5
    本发明涉及了一种晶圆键合装置及键合方法。该键合装置包括第一卡盘、第二卡盘、相机和处理器。该第一卡盘用于吸附待键合的第一晶圆的背面。该第二卡盘在红外波段透明，并包括真空吸附部及多个距离传感器，其中，真空吸附部用于真空吸附待键合的第二晶圆的背面...
    2026-02-08
  • 键合波的测控方法和装置
    键合波的测控方法和装置_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511681397.X
    本发明公开了键合波的测控方法和装置，实现对键合波位置的精准控制，使键合波均匀扩散，提升键合质量。方法包括：卡盘在所有方向上的邻近晶圆中心的第一测距传感器为起始点，先释放第一测距传感器处的真空；在键合波扩散过程中，对各方向上的当前测距传感器到...
    2026-02-08
  • 一种基于MXene中间层的蓝宝石键合方法、异质晶圆及其应用
    一种基于MXene中间层的蓝宝石键合方法、异质晶圆及其应用_北京晨晶电子有限公司_202511365532.X
    本发明提供一种基于MXene中间层的蓝宝石键合方法、异质晶圆及其应用，尤其涉及半导体材料技术领域。本发明的基于MXene中间层的蓝宝石键合方法，以MXene二维材料作为键合中间层，所述键合中间层厚度为1~10nm。本发明的蓝宝石键合方法通过...
    2026-02-08
  • 硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备
    硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511278998.6
    本申请提供一种硅光芯片结构及其制备方法、光子芯片及光计算设备。该硅光芯片结构的制备方法，包括：提供半导体晶圆；所述半导体晶圆具有相背的第一表面和第二表面；对所述半导体晶圆的第一表面进行处理，以形成半导体器件层；从所述半导体晶圆的第二表面对所...
    2026-02-08
  • 半导体器件及其制造方法和电子装置
    半导体器件及其制造方法和电子装置_润芯感知科技(南昌)有限公司_202410968826.0
    本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，半导体器件的制造方法包括：提供第一基底和第二基底，所述第一基底的第一表面与所述第二基底的第二表面相对设置且两者之间具有一预定间隙宽度；对所述第一基底的第一表面进行轰击，以使所产生的溅射粒子在所...
    2026-02-08
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证