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最新专利技术
  • 一种太阳能电池、电池组件和光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511546730.6
    本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统，太阳能电池包括：基底，以及设置于基底的第一侧的多个第一掺杂层和多个第二掺杂层；第一掺杂层和第二掺杂层交替排布；相邻的第一掺杂层和第二掺杂层之间设置有隔离区，隔离区用于隔离第一掺杂层和第二掺杂层...
    2026-02-11
  • 一种背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池_横店集团东磁股份有限公司_202511504635.X
    本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了一种背接触太阳能电池。包括：基底层、位于基底层的背面的第一掺杂区和第二掺杂区以及隔离区；第一掺杂区包括第一连接部和多个第一延伸部，第二掺杂区包括第二连接部和多个第二延伸部；第一连接部和第二连接部沿第一方向...
    2026-02-11
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202510944459.5
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中太阳电池包括晶体硅衬底，晶体硅衬底的背面依次设置有介质层、第一掺杂层和背面表面钝化层，晶体硅衬底的正面具有正面绒面结构，正面绒面结构中包括金字塔状的微单元结构；正面绒面结构包括第一区域和第...
    2026-02-11
  • 一种太阳电池及其制备方法
    一种太阳电池及其制备方法_通威太阳能(金堂)有限公司_202510905195.2
    本发明公开了一种太阳电池及其制备方法，属于太阳电池技术领域。该太阳电池包括电池基底，电池基底包括第一表面及与第一表面相对的第二表面；第一表面由内至外层叠设有钝化层、减反射膜层及第一金属电极，第二表面由内至外层叠设有本征非晶硅层、P型非晶硅层...
    2026-02-11
  • 太阳电池及光伏组件
    太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510902474.3
    本申请提供了一种太阳电池及光伏组件，其中太阳电池包括晶体硅衬底，晶体硅衬底的背面包括交替排列的P型掺杂区和N型掺杂区，在P型掺杂区，晶体硅衬底的背面依次设置有第一隧穿氧化层和P型掺杂层；在N型掺杂区，晶体硅衬底的背面依次设置有第二隧穿氧化层...
    2026-02-11
  • 一种太阳能电池、电池组件以及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件以及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511539962.9
    本申请公开了一种太阳能电池、电池组件以及光伏系统，太阳能电池包括至少一个切割侧面，切割侧面包括沿切割侧面的长度方向X相对设置的第一边缘和第二边缘；切割侧面还包括第一切割区和第二切割区。第一切割区与第一边缘之间的距离大于0，且小于或等于第一预...
    2026-02-11
  • 一种高压集成电路ESD保护用分割型双向SCR器件
    一种高压集成电路ESD保护用分割型双向SCR器件_电子科技大学_202511942844.2
    本发明属于高压集成电路(Integrated Circuits，简称IC)的静电放电(Electrostatic Discharge，简称ESD)保护器件设计领域，针对双向硅控整流器(Dual‑Directional Silicon Con...
    2026-02-11
  • 二极管结构及其制备方法、半导体器件
    二极管结构及其制备方法、半导体器件_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511521274.X
    本发明涉及一种二极管结构及其制备方法、半导体器件，包括基底、浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构，浮空栅极结构、阳极结构、阴极结构、第一电容结构和第二电容结构分别在第一方向上位于基底的一侧，且沿第二方向依次设置，阳极...
    2026-02-11
  • 静电放电保护装置
    静电放电保护装置_旺宏电子股份有限公司_202411071959.4
    本发明提供一种静电放电保护装置，包括基板、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一端以及第二端。第一阱区设置于基板中，且具有第一导电类型。第二阱区设置于第一阱区中，且具有不同于第一导电类型的第二导电类型。第一掺杂区设置于基板中且分离...
    2026-02-11
  • 一种复合型ESD器件
    一种复合型ESD器件_杰平方半导体(上海)有限公司_202410973820.2
    本发明公开了一种复合型ESD器件，属于半导体技术领域，该复合型ESD器件，包括P型衬底；N型阱区，设置在P型衬底的内部，N型阱区中还横向布置有第一N型区和第一P型区，且第一N型区和第一P型区之间具有间隔；P型阱区，设置在N型阱区的一侧，P型...
    2026-02-11
  • 集成电路器件及其制造方法和集成电路布局图的生成方法
    集成电路器件及其制造方法和集成电路布局图的生成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408402.X
    本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件包括隔离结构，该隔离结构在半导体衬底正面沿第一方向在两个位置之间延伸；晶体管，包括在两个位置之间延伸的栅极和MD段，并且栅极和MD段是沿第二方向位于两个位置之间和隔离结构之间的全部栅极和MD段；正...
    2026-02-11
  • 一种抑制闩锁效应的版图结构
    一种抑制闩锁效应的版图结构_北京时代民芯科技有限公司_202511311619.9
    本发明属于抗闩锁效应防护技术领域，涉及了一种抑制闩锁效应的版图结构。旨在解决在改善闩锁效应的同时也会增加版图单元面积，从而引起寄生电容的增加进而降低电路速度的问题。本发明包括P型衬底以及形成于P型衬底上的NMOS管，深N阱，形成于P型衬底中...
    2026-02-11
  • 阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置
    阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置_浙江莱宝显示科技有限公司_202511219708.0
    本申请提供了一种阵列基板、阵列基板的制作方法以及电子纸显示装置，涉及显示技术领域。阵列基板包括衬底基板，衬底基板上设置有多条栅极走线和源极走线，多条栅极走线和源极走线交叉并形成多个像素单元，像素单元包括：像素电极以及薄膜晶体管；薄膜晶体管包...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411001591.4
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括基底、第一晶体管与第一金属栅极。基底具有彼此相对的正面与背面。第一晶体管位于正面上。第一晶体管包括第一通道区。第一金属栅极位于背面上，且对准第一通道区。
    2026-02-11
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788944.4
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板的阵列基板的非显示区包括层叠的衬底、第一金属层、绝缘层和第二金属层和钝化层；第一金属层包括间隔绝缘的第一金属走线和公共电极走线；第二金属层包括第二金属走线，与第一金属走线间隔绝缘且对位，与公共电极...
    2026-02-11
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788426.2
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，显示面板包括显示区和非显示区；显示面板包括：阵列基板，包括：第一衬底；公共电极导通层，设于第一衬底的非显示区，包括依次层叠设置的第一金属层、钝化层、第一透明导电层、第一配向膜；第一配向膜覆盖第一透明导电层...
    2026-02-11
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202511740219.X
    一种显示装置包括：第一数据线，在显示区域中沿第一方向延伸；第二数据线，在显示区域中沿第一方向延伸；第一布线，在显示区域中且连接到第一数据线；以及第二布线，在显示区域中且连接到第二数据线，其中，第一布线和第二布线连接到位于显示区域外部的外围区...
    2026-02-11
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_北京京东方创元科技有限公司_202410961858.8
    本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，其中，阵列基板包括：衬底基板；像素阵列，包括阵列排布于衬底基板上的多个子像素单元，多个子像素单元排布为多行，每行中的多个子像素单元沿第一方向排列，每个子像素单元包括至少一列沿第二方向排列的两个走线区域...
    2026-02-11
  • SOI晶圆及其制造方法
    SOI晶圆及其制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511536046.X
    本发明提供一种SOI晶圆及其制造方法，通过依次执行氢离子注入工艺和氦离子注入工艺，以在器件衬底内形成剥离层，所述氦离子注入工艺的离子束电流小于0.315倍的所述氢离子注入工艺的注入能量；执行剥离处理，以沿剥离层剥离部分厚度的器件衬底。由于所...
    2026-02-11
  • 键合晶圆及其制备方法
    键合晶圆及其制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511536031.3
    本发明提供了一种键合晶圆及其制备方法，包括：提供器件晶圆和支撑晶圆，器件晶圆的表面形成有氧化层；对器件晶圆依次执行氢离子注入工艺和氦离子注入工艺，以在器件晶圆中形成离子注入层，氢离子注入工艺的注入能量为Y11，氦离子注入工艺的注入能量为Y2...
    2026-02-11
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