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最新专利技术
  • 具有氢阻挡层的薄膜晶体管及包括其的显示设备
    具有氢阻挡层的薄膜晶体管及包括其的显示设备_乐金显示有限公司_202510878398.7
    公开了具有氢阻挡层的薄膜晶体管及包括其的显示设备。该薄膜晶体管包括有源层、在有源层上的栅电极、在栅电极上的绝缘层、在绝缘层上的氢阻挡层、连接到氢阻挡层的第一隔板、以及与第一隔板间隔开并且连接到氢阻挡层的第二隔板。第一隔板从氢阻挡层延伸，穿透...
    2026-02-11
  • 薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
    薄膜晶体管、阵列基板及显示面板_合肥鑫晟光电科技有限公司_202410983767.4
    本公开的实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板，涉及显示技术领域，用于提高薄膜晶体管的迁移率和电学稳定性。该薄膜晶体管包括：位于衬底一侧的有源层，以及，位于所述有源层远离所述衬底一侧的栅极层；其中，所述有源层包括：第一子层以及位于所...
    2026-02-11
  • 改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片
    改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202511971832.2
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过设置第一P型阱区形成于顶部外延区中，形成于第一P型阱区上的P型重掺杂区，相邻的第二P型阱区之间由所顶部外延区隔离，至少所述第二P型阱区以P型重掺杂...
    2026-02-11
  • 改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片
    改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202511971550.2
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善续流的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过设置第一P型阱区形成于顶部外延区中，形成于第一P型阱区上的P型重掺杂区，相邻的第二P型阱区之间由所顶部外延区隔离，至少所述第二P型阱区以P型重掺杂区对称设...
    2026-02-11
  • 一种平面栅功率器件及其制备方法
    一种平面栅功率器件及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511792098.3
    本发明公开了一种平面栅功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：有源区和围绕所述有源区的边缘终端区；还包括：衬底；外延层，位于衬底的上表面，外延层中设置有终端保护环，终端保护环位于边缘终端区，且环绕有源区；外延层中还设置有JFET注入...
    2026-02-11
  • 沟槽栅场效应管、芯片及电子设备
    沟槽栅场效应管、芯片及电子设备_深圳方正微电子有限公司_202511697041.5
    一种沟槽栅场效应管、芯片及电子设备，沟槽栅场效应管包括：衬底、漂移层、第一离子掺杂层、第二离子掺杂层、栅极、隔离层、漏极、源极和屏蔽层。漏极、衬底、漂移层、第一离子掺杂层、第二离子掺杂层和源极依次层叠设置；第一离子掺杂层与第二离子掺杂层的掺...
    2026-02-11
  • 具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法
    具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法_德州仪器公司_202510875947.5
    本申请涉及具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法。例如，一种半导体装置[100]包含半导体层[108]、设置在所述半导体层中的源极区[110]、设置在所述半导体层中的漏极区[114]、在所述源极区与所述漏极区之间设置在所述半导体层中的绝缘...
    2026-02-11
  • 具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法
    具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法_德州仪器公司_202510847915.4
    本公开涉及具有不对称绝缘层的半导体装置及其制造方法。举例来说，一种半导体装置[100]包含半导体层[108]、安置在所述半导体层中的源极区[110]、安置在所述半导体层中的漏极区[114]、栅极电极[122]及安置在所述栅极电极的一部分与所...
    2026-02-11
  • 一种侧栅铁电可重构场效应晶体管及制备方法
    一种侧栅铁电可重构场效应晶体管及制备方法_上海大学_202511789252.1
    本发明涉及半导体器件技术领域，提供一种侧栅铁电可重构场效应晶体管，该晶体管器件在绝缘层、上栅极和下栅极的侧面区域设置有铁电介电层，所述铁电介电层完全覆盖第一至第三绝缘层及侧面区域；所述铁电介电层侧面设置有Z形垂直沟道层，利用Z形垂直沟道结构...
    2026-02-11
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511540384.0
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括半导体衬底，半导体衬底具有第一区域，在半导体衬底上设置有第一CESL层，在第一区域的第一CESL层上设置有第二CESL层，在第一CESL层和第二CESL层上形成有层间介质层，第一区域设置有...
    2026-02-11
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511452430.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件包括：衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；外延层，位于第一表面上且具有第一掺杂类型，外延层包括JFET层；阱区，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反...
    2026-02-11
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202511400778.6
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、外延层、阱区、源区、第一绝缘层以及第一电极层；外延层设置于衬底沿厚度方向的一侧；阱区位于外延层内，源区位于阱区内；第一绝缘层设置于外延层背向衬底的一侧；第一电极层设置于第一绝缘层背...
    2026-02-11
  • 一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法
    一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法_北京时代民芯科技有限公司_202511323230.6
    本发明提供一种抗单粒子栅穿的SiC平面型MOS器件结构及制备方法，所述SiC平面型MOS器件结构包括：漏极金属层、N+衬底层、N‑漂移层、第一电流扩展层、埋置P区、第二电流扩展层、P+连接区、P基区、N+源区、栅介质、栅多晶硅、源极金属层。...
    2026-02-11
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510937658.3
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括衬底层；位于衬底层上且沿第一方向延伸的第一栅极和第一绝缘介质层，第一绝缘介质层覆盖于第一栅极的上表面和侧表面；第二绝缘介质层，位于第一绝缘介质层背离衬底层的一侧且沿第二...
    2026-02-11
  • 横向功率半导体器件、芯片及电子设备
    横向功率半导体器件、芯片及电子设备_华为技术有限公司_202410970503.5
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种横向功率半导体器件、芯片及电子设备，横向功率半导体器件包括衬底以及设置在衬底上方的第一源极、第一漏极、第一栅极、第二栅极、第一隔离层和第二隔离层；其中，第一源极、第一栅极、第二栅极以及第一漏极依次排列；第...
    2026-02-11
  • 一种氮化镓器件及其制备方法
    一种氮化镓器件及其制备方法_湖南国芯半导体科技有限公司_202511610098.7
    本发明涉及氮化镓器件技术领域，特别涉及一种氮化镓器件及其制备方法。氮化镓器件由下至上依次包括：衬底；缓冲层；GaN沟道层；AlGaN势垒层；栅极；源极；漏极；在所述栅极靠近漏极侧面的竖直方向投影处，缓冲层对应有一厚度落差，其靠近漏极侧区域厚...
    2026-02-11
  • 氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法
    氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511541007.9
    本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法。氮化镓基半导体器件包括：具有异质结的半导体功能层，以及与异质结匹配的源漏栅结构或源漏结构；氮化镓基半导体器件还包括二维电子气调节层；二维电子气调节层为SixxGe1‑x1‑x混合层，...
    2026-02-11
  • 一种氮化镓器件以及方法
    一种氮化镓器件以及方法_英诺赛科(苏州)半导体有限公司_202511516532.5
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件以及方法，其中氮化镓器件包括：二维电子气层组，用于形成二维电子气；第一氮化镓层，设置于二维电子气层组上；渐变层组，设置于第一氮化镓层上；栅极金属层，设置于渐变层组上。通过渐变层组在金属层与第一氮化...
    2026-02-11
  • 一种二维晶体管及其制备方法
    一种二维晶体管及其制备方法_湖南大学_202511504387.9
    本发明公开了一种二维晶体管及其制备方法，所述底部偏置栅极设有两个，且间隔设置于所述绝缘衬底的上表面，所述底部偏置栅极的上表面完全被所述介电层覆盖，所述介电层的上表面被所述二维半导体材料完全覆盖，所述二维半导体材料的上表面设有间隔设置的所述漏...
    2026-02-11
  • 一种新型氮化镓HEMT器件
    一种新型氮化镓HEMT器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511442225.7
    本发明涉及一种新型氮化镓HEMT器件，其中新型氮化镓HEMT器件包括半导体层、位于半导体层上方的第一栅极金属层；设置在半导体层、第一栅极金属层之间的栅极机构，栅极机构包括沿第一方向延伸的第一场板、第二场板、第三场板，第一场板位于半导体层的上...
    2026-02-11
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