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最新专利技术
  • 相变散热系统用蒸发器、及泵驱低高度相变散热系统
    相变散热系统用蒸发器、及泵驱低高度相变散热系统_桂林电子科技大学_202511556523.9
    本发明涉及电子设备散热技术领域，公开一种相变散热系统用蒸发器以及一种泵驱低高度相变散热系统。所述蒸发器由底板和盖板形成蒸发腔体，底板设有平行阵列齿片，相邻的齿片之间构成用于产生毛细力并用于输送液态工质的微通道，盖板设置有针刺，针刺间隔地插入...
    2026-01-26
  • 冷却装置和芯片模块总成
    冷却装置和芯片模块总成_采埃孚股份公司_202410950200.7
    本发明涉及汽车零部件技术领域，提供冷却装置和芯片模块总成。冷却装置包括：冷却件，设置有不连通且共用热交换面的第一冷却空间和第二冷却空间；导流件，与冷却件密封装配，导流件设置有导流腔和带通孔的安装槽；其中，导流腔和第一冷却空间设置有相配合的挡...
    2026-01-26
  • 用于光电融合集成组件的微流道散热结构
    用于光电融合集成组件的微流道散热结构_中国科学院半导体研究所_202410944598.3
    本公开提供了一种用于光电融合集成组件的微流道散热结构，该微流道散热结构包括：光组件热沉，贴合在光组件下方，底部刻蚀有多条第一直流微通道；管壳，设于光组件热沉下方，设有垂直于第一直流微通道的第一进液口和第一出液口；光组件岐管层，设于管壳下方，...
    2026-01-26
  • 芯片封装结构及芯片封装方法
    芯片封装结构及芯片封装方法_长江存储科技有限责任公司_202410940368.X
    本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种芯片封装结构及芯片封装方法。芯片封装结构包括封装基板、第一导热部以及至少一个芯片，所述第一导热部嵌设于所述封装基板；至少一个所述芯片嵌设于所述封装基板，所述芯片与所述第一导热部接触。通过将第一导热部和...
    2026-01-26
  • 一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法
    一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法_中山大学_202511892601.2
    本发明提供了一种直接液冷功率芯片结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域，包括以下步骤：对封装基板的金属层进行表面预处理，以去除表面氧化物和有机污染物；在金属层中加工出微流道结构；将功率芯片的底部焊盘与金属层表面进行电气和热学互连，并使功率...
    2026-01-26
  • 一种基于金刚石-硅复合微通道的高效散热结构及其制造方法
    一种基于金刚石-硅复合微通道的高效散热结构及其制造方法_北京科技大学_202511292550.X
    本发明提供了一种金刚石‑硅复合微通道散热器的制备方法，涉及微电子封装与热管理技术领域。包括：步骤S1、制备金刚石膜；步骤S2、金刚石膜研磨抛光；步骤S3、硅片减薄；步骤S4、深硅刻蚀；步骤S5、键合歧管结构。本发明直接键合金刚石薄膜增强热扩...
    2026-01-26
  • 用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法
    用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法_西门子股份公司_202510952703.2
    本发明涉及用于制造用于半导体组件的冷却装置的方法。为了实现简单且成本适宜的制造，提出了以下步骤：制造基体、特别是金属的基体，该基体具有平坦的表面、第一侧面和与第一侧面相对布置的第二侧面，其中，向基体中引入从第一侧面到第二侧面连续伸展并且平行...
    2026-01-26
  • 导线和互连结构体以及半导体器件
    导线和互连结构体以及半导体器件_三星电子株式会社_202510914687.8
    导线、互连结构体、以及半导体器件，所述导线包括拓扑半金属和二维材料，所述互连结构体包括一个或多个介电层和第一导线，所述第一导线包括拓扑半金属和二维材料，所述半导体器件包括所述导线或所述互连结构体。
    2026-01-26
  • 使用多个电源电压的集成电路以及设计该集成电路的方法
    使用多个电源电压的集成电路以及设计该集成电路的方法_三星电子株式会社_202510973040.2
    一种集成电路，包括：多个器件，布置在衬底的正面上；第一背面图案和第二背面图案，其中，所述第一背面图案和所述第二背面图案沿第一背面布线层中的第一轨道在第一方向上延伸，其中，所述第一背面布线层在所述衬底的背面上，并且其中，所述第一背面图案和所述...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511935769.7
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成虚拟栅极以及包围虚拟栅极侧壁的第一层间介质层，去除虚拟栅极，在第一层间介质层内形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成牺牲层；在第一沟槽内形成第一金属层；去除部分厚度的第一...
    2026-01-26
  • 一种堆叠结构及其制备方法
    一种堆叠结构及其制备方法_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511557000.6
    本发明公开了一种堆叠结构及其制备方法。堆叠结构，包括：晶圆和N个功能集成片，N取大于1的整数；所述晶圆表面包括互连区；所述N个功能集成片固定于所述互连区，并通过所述互连区实现所述功能集成片之间的互连。通过本申请提供了一种突破了中介层尺寸的限...
    2026-01-26
  • 通孔的制造方法
    通孔的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202410931703.X
    本发明公开了一种通孔的制造方法，包括：在底层结构的表面上形成第一介质层。对第一介质层进行图形化刻蚀形成通孔开口。形成第一金属层。进行第一次金属CMP将通孔开口外表面上的第一金属层去除，通孔开口中的第一金属层的顶部表面位于第一介质层的顶部表面...
    2026-01-26
  • 一种半导体器件多层互连结构制备方法
    一种半导体器件多层互连结构制备方法_上犹县宇平电子科技有限公司_202511537771.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件多层互连结构制备方法，包括：步骤1：提供具有下层互连结构的半导体衬底；步骤2：在所述半导体衬底表面沉积复合阻挡层；步骤3：在所述复合阻挡层上沉积铜种子层；步骤4：在所述铜种子层上电镀铜；步...
    2026-01-26
  • 快速热退火方法
    快速热退火方法_杭州富芯半导体有限公司_202511566028.6
    本申请公开了一种快速热退火方法，快速热退火腔室内放置晶圆，所述快速热退火腔室内设置多个加热区域，所述快速热退火腔室内设置有用于分别加热所述多个加热区域的多个加热装置，所述方法包括：对所述快速热退火腔室进行预热；提供开环功率对所述晶圆进行加热...
    2026-01-26
  • 沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置
    沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置_芯联集成电路制造股份有限公司_202511513278.3
    本发明提供了一种沟槽留膜厚度检测方法、半导体结构形成方法及装置，通过两个第一沟槽接触结构，在第一连线方向上施加检测电流；通过两个第二沟槽接触结构，在第二连线方向上获取检测电压；并能够根据获取的所述检测电压推算沟槽底部的留膜厚度，从而能够快速...
    2026-01-26
  • 一种用于红外探测器芯片的监测方法
    一种用于红外探测器芯片的监测方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511421044.6
    本申请公开了一种用于红外探测器芯片的监测方法，涉及红外探测器、半导体技术，包括：在刻蚀制备红外探测器芯片光敏芯片的台面结构过程中，在光敏芯片区域之外的区域刻蚀监控结构；测量所刻蚀的光敏芯片区域的台面结构以及各深沟槽结构在不同线宽处的刻蚀深度...
    2026-01-26
  • 一种电极沉积角度的测量方法及系统
    一种电极沉积角度的测量方法及系统_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511421031.9
    本申请公开了一种电极沉积角度的测量方法及系统，涉及半导体、芯片技术，包括：通过光刻在衬底的表面制备具有深宽比结构的标识以及无深宽比结构的图案；去除显影后光刻胶底膜，测量光刻胶厚度；制备金属电极；去除光刻胶，仅保留孔底金属并测量金属厚度；计算...
    2026-01-26
  • 一种可变直径的晶圆吸盘装置
    一种可变直径的晶圆吸盘装置_盛吉盛精密装备(上海)有限公司_202511938965.X
    本发明公开了一种可变直径的晶圆吸盘装置，属于半导体制造设备技术领域。该装置包括机架、吸盘调节机构和边缘检测机构。吸盘调节机构设于机架上，其核心在于包括旋转电机、由旋转电机驱动水平旋转的转动盘、高度调节机构以及吸盘组件。旋转电机固定于机架底部...
    2026-01-26
  • 一种晶圆吸盘及其加工方法
    一种晶圆吸盘及其加工方法_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202511685713.0
    本发明提供了一种晶圆吸盘的加工方法以及一种晶圆吸盘。晶圆吸盘的加工方法包括以下步骤：获取待加工的晶圆吸盘表面的面型数据，并据此确定对所述晶圆吸盘表面的至少一个第一位置的目标加工量；根据所述至少一个第一位置的目标加工量，对所述晶圆吸盘的表面进...
    2026-01-26
  • 一种晶圆高精度对准机构
    一种晶圆高精度对准机构_三河建华高科有限责任公司_202511559161.9
    本发明公开了一种晶圆高精度对准机构，涉及半导体制造及封装技术领域，包括机壳，以及一体式固定连接在机壳后侧上部的立箱，立箱前侧上部中心固定连接有悬臂，所述悬臂和机壳上壁之间设置有用于对晶圆进行光学探测的探测机构，机壳上壁开设有圆形的活动孔，活...
    2026-01-26
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