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最新专利技术
  • 快闪存储器单元及三维快闪存储器装置
    快闪存储器单元及三维快闪存储器装置_华邦电子股份有限公司_202510985302.7
    一种快闪存储器单元及三维快闪存储器装置，该快闪存储器单元包括沟道结构、第一栅极、第二栅极、存储结构、源极线柱和位线柱。沟道结构形成在基底上方。第一栅极邻近于沟道结构。第二栅极与第一栅极和沟道结构相隔开。存储结构邻近于沟道结构。源极线柱和位线...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410867626.6
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干闪存单元，所述闪存单元包括依次堆叠于所述半导体衬底表面的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述控制栅层与所述栅间介质层的厚度之比为(5...
    2026-01-28
  • 半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统
    半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统_三星电子株式会社_202510372511.4
    提供了一种具有改善的电特性和可靠性的半导体存储器件及包括该半导体存储器件的电子系统。该半导体存储器件可以包括：衬底；模制结构，包括在第一方向上交替堆叠在衬底上的多个模制绝缘层和多个栅电极；以及沟道结构，穿过模制结构形成，并且在第一方向上延伸...
    2026-01-28
  • 存储器件
    存储器件_三星电子株式会社_202510304307.9
    一种存储器件包括：衬底；栅极线接触部，电连接到从多条栅极线之中选择的栅极线；导电布线结构，连接到栅极线接触部；以及接合焊盘，布置在导电布线结构上。接合焊盘包括：第一接合焊盘；第二接合焊盘；第三接合焊盘，在第一水平方向上与第一接合焊盘间隔开；...
    2026-01-28
  • 具有电阻修改掺杂区的半导体元件及其制造方法
    具有电阻修改掺杂区的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510145008.5
    本申请案公开一种半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板；一井区，位于该基板内；一隔离结构，位于该井区中；一熔丝介质，位于该井区之上；一栅极电极，位于该熔丝介质之上；一熔丝掺杂区，位于该熔丝介质之下及该井区内；一源极/漏...
    2026-01-28
  • 一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法
    一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法_华中科技大学_202511936461.4
    本申请属于芯片结构设计相关技术领域，更具体地，涉及一种存储时间动态可调的动态随机存储器及其制备方法。本发明所涉及的动态随机存储器，具有异质集成的感存算一体结构，其中第一场效应晶体管的漏极与第二浮栅晶体管的底栅电极相连通，工作时通过对第一场效...
    2026-01-28
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511916620.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：字线结构，位于衬底上且沿第一方向延伸，字线结构包括沿第二方向自下至上排布的字线材料层和功能层以及位于字线材料层和功能层之间的介质层；字线材料层邻近功能层的一侧设置有沿第一方向延伸...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511916482.X
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底以及位于衬底上的至少一个电容器，电容器包括：多个第一纳米片，沿第一方向延伸，并沿第二方向和第三方向呈阵列排布；其中，第一方向和第二方向相交并与衬底的表面平行，第三方向垂...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510963155.3
    一种半导体装置包括：晶体管，在基底上；第一布线结构，在晶体管上并且电连接到晶体管；绝缘图案，延伸穿过基底；第二布线结构，在基底下方；多个贯穿过孔，在绝缘图案中并且在水平方向上彼此间隔开，所述多个贯穿过孔中的每个延伸穿过绝缘图案并接触第一布线...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510305138.0
    提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一存储器图案，其包括在第一方向上延伸的第一字线和第二字线、在第一方向上延伸并且在第二方向上与第一字线和第二字线间隔开的背栅电极、具有接触第一有源图案和第二有源图案的下表面的一个端部和接触数据存储图案...
    2026-01-28
  • 包括垂直沟道晶体管的半导体器件
    包括垂直沟道晶体管的半导体器件_三星电子株式会社_202510179167.7
    一种包括垂直沟道晶体管的半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、位于所述位线上的半导体图案、第一字线和第二字线以及背栅电极。所述半导体图案包括在所述第一方向上彼此间隔开的第一垂直部分和第二垂直部分以及设置在所述第一垂直部分和所述第二垂直部分之...
    2026-01-28
  • 制造半导体元件的方法
    制造半导体元件的方法_南亚科技股份有限公司_202411489353.2
    提供一种制造半导体元件的方法，包括：提供基板，包括单元区以及周边区；形成晶胞触点、位元线结构以及间隔件于单元区上，其中间隔件分隔晶胞触点以及位元线结构；形成经掺杂多晶硅层于晶胞触点上，从而形成包括经掺杂多晶硅层以及晶胞触点的晶胞触点结构，其...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其制备方法、以及存储系统
    半导体结构及其制备方法、以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410981274.7
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统，其中，半导体结构包括：第一导电线组，多个第一导电线组沿第一方向间隔排布，第一导电线组包括沿第二方向延伸的第一导电线；第一延伸结构，多个第一延伸结构位于第一导电线组沿第三...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其制备方法、以及存储系统
    半导体结构及其制备方法、以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410978402.2
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、以及存储系统，其中，半导体结构包括第一结构，第一结构包括第一导电线组和第一延伸结构；多个第一导电线组沿第一方向间隔排布，第一导电线组包括沿第二方向延伸的第一导电线；第一延伸结构位于第...
    2026-01-28
  • 存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备_华为技术有限公司_202410971501.8
    本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器和电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何提高存储密度的问题。该存储阵列包括多个存储单元，存储单元包括第一栅极、第二栅极、沟道结构、绝缘层和栅介质层，沟道结构在第一方向上延伸设置，第一栅极和第二栅...
    2026-01-28
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410961866.2
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：于衬底上形成堆叠结构；于堆叠结构内形成沿第二方向间隔排列的多个第二隔离层；于堆叠结构内形成多个晶体管结构；于晶体管结构在第三方向上的一侧形成位线结构；于晶体管结构在第三方向上的另一侧形成沿第二方向...
    2026-01-28
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511534961.5
    一种半导体结构的形成方法，包括：形成器件层，所述器件层包括若干存储单元；在所述器件层上形成介质层和位于介质层内的插塞结构，所述插塞结构与所述存储单元电连接；对所述半导体结构进行退火处理，所述退火处理包括第一处理过程和第二处理过程，所述第一处...
    2026-01-28
  • 一种天线贴敷机构
    一种天线贴敷机构_深圳市富泰鑫科技有限公司_202511895301.X
    一种天线贴敷机构，它涉及天线组装技术领域。它包括：天线供料装置、壳体供料装置、贴料装置以及移料装置。其中天线供料装置用于输送天线；壳体供料装置用于放置壳体；移料装置用于将天线与壳体移至所述贴料装置上，并在所述贴料装置上将壳体与天线压合；所述...
    2026-01-28
  • 一种磁性吸波复合材料及其制备方法与应用
    一种磁性吸波复合材料及其制备方法与应用_华东理工大学_202511946759.3
    本发明涉及一种磁性吸波复合材料及其制备方法与应用，涉及电磁波吸收材料技术领域，所述复合材料包括磁性混编纤维网胎预制体，和填充于所述磁性混编纤维网胎预制体间隙的树脂基体；所述磁性混编纤维网胎预制体包括：由磁性吸波纤维和透波纤维混编而成的磁性混...
    2026-01-28
  • 电气构件和屏蔽组件
    电气构件和屏蔽组件_通用电气航空系统有限责任公司_202510648280.5
    本发明涉及电气构件和屏蔽组件。一种电气构件和屏蔽组件可包括一组导体，其中屏蔽组件具有至少部分地环绕一组导体的本体。屏蔽组件可包括与第二屏蔽层径向地隔开的第一屏蔽层。第一屏蔽层可包括磁性材料。第二屏蔽层可包括导电材料。
    2026-01-28
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