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  • 一种用于提升电解水耦合氕氘分离分离比的电解液添加剂及电解液
    一种用于提升电解水耦合氕氘分离分离比的电解液添加剂及电解液_深圳氢致能源有限公司_202410971804.X
    本发明属于电解水技术领域，具体涉及一种用于提升电解水耦合氕氘分离分离比的电解液添加剂及电解液。所述电解液添加剂选自：有机添加剂或无机添加剂中的一种或几种；所述有机添加剂选自羧基类有机物、胺基类有机物、酰胺类有机物中的一种或几种；所述无机添加...
    2026-03-08
  • 一种阴极保护测试桩电位自适应调控系统、装置及方法
    一种阴极保护测试桩电位自适应调控系统、装置及方法_华南建工(北京)科技有限公司_202511288874.6
    本发明公开了一种阴极保护测试桩电位自适应调控系统、装置及方法，包括如下步骤：S1.生成标准化地下结构电位数据集；S2.基于标准化地下结构电位数据集构建三维稀疏卷积神经网络模型并完成训练；S3.利用训练完成的三维稀疏卷积神经网络模型对不同阴极...
    2026-03-08
  • 一种多头螺旋喷液装置
    一种多头螺旋喷液装置_钛默妮(苏州)科技有限公司_202511836596.3
    本发明提出一种多头螺旋喷液装置，包括设置于反应罐底部并围绕罐体中心布置的环状总管，以及沿所述环状总管圆周方向间隔布置的多个喷液支管；所述环状总管上设有至少一个进液口，用于向各喷液支管均匀分配反应液体；各喷液支管的喷射方向相对于总管的径向方向...
    2026-03-08
  • 一种提高铜表面结合力的微孔工艺
    一种提高铜表面结合力的微孔工艺_苏州艾成科技技术有限公司_202511296106.5
    本发明公开了一种提高铜表面结合力的微孔工艺，在AMB/DBC产品的铜表面上形成微孔，增加键合铜的比表面积，产生锚定效应，提高EMC与铜表面的结合力；微孔通过剥离铜形成凹凸的原理，在一定厚度以上不存在氧化层剥离问题；微孔形成方法包括硫酸与过氧...
    2026-03-08
  • 一种石墨泡沫铜银梯度金属复合材料及其制备方法
    一种石墨泡沫铜银梯度金属复合材料及其制备方法_中国人民解放军61699部队_202511382157.X
    本发明提出一种石墨泡沫铜银梯度金属复合材料及其制备方法，制备方法包括清洗石墨泡沫基体，去除表面污染物；采用电镀铜工艺，在处理后的石墨泡沫基体表面电镀铜导电层，形成覆铜石墨泡沫复合材料；将覆铜石墨泡沫复合材料浸泡于化学镀银预浸液中或使用化学镀...
    2026-03-08
  • 一种用于激光熔覆层的生物矿化液及其制备方法与应用
    一种用于激光熔覆层的生物矿化液及其制备方法与应用_中国人民解放军陆军装甲兵学院_202511866746.5
    本发明属于激光熔覆表面改性技术领域，本发明提供了一种用于激光熔覆层的生物矿化液及其制备方法与应用。本发明所述生物矿化液，包括如下质量份数的组分：15~25份菌液、8~12份矿化前驱体、0.5~1.5份分散剂、0.3~0.8份稳定剂和60~7...
    2026-03-08
  • 一种缸套内孔的激光熔覆改性加工辅助设备及方法
    一种缸套内孔的激光熔覆改性加工辅助设备及方法_江苏远方动力科技有限公司_202511703418.3
    本发明公开了一种缸套内孔的激光熔覆改性加工辅助设备及方法，涉及缸套加工的技术领域，包括工作台、夹持旋转机构及熔覆清理机构，夹持旋转机构设于工作台的一侧并用于对缸套进行夹持及在激光熔覆时进行转动，熔覆清理机构设于工作台的另一侧并用对缸套内孔及...
    2026-03-08
  • 一种激光熔覆制备增强型网格状钛基复合材料的方法
    一种激光熔覆制备增强型网格状钛基复合材料的方法_西安赛福斯材料防护有限责任公司_202511642443.5
    本发明属于钛基复合材料技术领域，具体涉及一种激光熔覆制备增强型网格状钛基复合材料的方法，制备混合强化相粉末，后在钛合金基体表面进行网格结构加工，网格结构中，经线与纬线宽度为0.3mm ‑ 0.8mm、深度为0.5mm ‑ 2mm、间距为0....
    2026-03-08
  • 一种高炉内壁耐磨涂层及其制备方法
    一种高炉内壁耐磨涂层及其制备方法_北京精冶源新材料股份有限公司_202511605158.6
    本发明公开了冶金设备防护技术领域的一种高炉内壁耐磨涂层及其制备方法，该涂层由镍粉、铬粉、钼粉、铌粉、硼粉、硅粉、碳化钨粉末以及两种创新增强相，核壳结构碳化钨氮化硼纳米胶囊和钇铬铝氮氧高熵纳米晶，辅以氧化钇组成。其制备过程首先对高炉内壁进行喷...
    2026-03-08
  • 一种铁基合金表面喷涂耐腐蚀涂层的方法
    一种铁基合金表面喷涂耐腐蚀涂层的方法_中核核电运行管理有限公司_202511626532.0
    本发明涉及金属粉末冷喷涂技术领域，具体是一种铁基合金表面喷涂耐腐蚀涂层的方法，包括以下步骤：S1、通过白刚玉对铁基合金表面进行喷砂粗糙化处理，之后通过丙酮进行超声清洗并干燥；S2、向经过步骤S1处理的铁基合金表面喷洒γ‑氨丙基三乙氧基硅烷溶...
    2026-03-08
  • 一种微波等离子体CVD腔体结构及MPCVD设备
    一种微波等离子体CVD腔体结构及MPCVD设备_西安交通大学_202511514523.2
    本发明涉及真空微电子技术领域，公开了一种微波等离子体CVD腔体结构及MPCVD设备，CVD腔体结构包括铜台本体和设于其顶部的衬底承载面，所述铜台本体上方设置有一个铜柱，铜柱相对于所述铜台本体的一侧设置有凹陷部，所述凹陷部对所述衬底承载面形成...
    2026-03-08
  • 沉积设备
    沉积设备_三星显示有限公司_202510920542.9
    本公开公开了沉积设备，该沉积设备包括：台；以及喷嘴组件，设置在台上，并且包括在第一方向上延伸的电极部分和设置在电极部分之下的喷嘴部分。在电极部分中限定有通道，该通道包括：主通道，限定在电极部分的上表面上并且在向下的方向上延伸；第一通道，从主...
    2026-03-08
  • 多温度反应器系统和方法
    多温度反应器系统和方法_ASMIP私人控股有限公司_202510976958.2
    公开了用于快速调节衬底温度的反应器系统和方法。示例性反应器系统可以包括联接到反应器的反应室的一个或多个温度调节气体源。另外或可替代地，示例性反应器系统可包括升降销组件，其可以在处理期间移动衬底远离基座表面。
    2026-03-08
  • 一种气体喷射系统及半导体工艺设备
    一种气体喷射系统及半导体工艺设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511759957.9
    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种气体喷射系统及半导体工艺设备。本发明提供的气体喷射系统，包括：气体供应模块，用于提供工艺气体；分区控制模块，用于接收所述工艺气体并分配至多个独立控制区域；喷嘴模块，包括多个喷头单元，多个喷头...
    2026-03-08
  • 用于沉积含金属层的方法和系统
    用于沉积含金属层的方法和系统_ASMIP私人控股有限公司_202510977362.4
    本公开涉及用于通过选择性沉积过程在衬底上沉积含金属材料的方法和设备。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相将金属醇盐前体提供到反应室中；以及以气相将第二前体提供到反应室中以在衬底上形成含金属材料。根据本公开的第二前体包括硼烷化合物，并且衬底包...
    2026-03-08
  • 多站式反应设备及其分气系统
    多站式反应设备及其分气系统_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511606167.7
    本发明提供了一种多站式反应设备及其分气系统。该多站式反应设备的分气系统包括多条第一工艺气体管道、多条第一废气管道和多条吹扫气体管道。该多条第一工艺气体管道设于多个反应站之上，其一端在多个反应站上方的中心连接第一工艺气体源，另一端分别以相同长...
    2026-03-08
  • 一种碳氮包覆的AB2型储氢合金及其制备方法
    一种碳氮包覆的AB2型储氢合金及其制备方法_中国科学院赣江创新研究院_202511410402.3
    本发明涉及储氢技术领域，公开了一种碳氮包覆的AB22型储氢合金及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：利用甲烷、氨气和氢气对AB22型储氢合金进行化学气相沉积，即得碳氮包覆的AB22型储氢合金；所述甲烷、氨气和氢气的流量比为1 : (1‑3)...
    2026-03-08
  • 成膜装置及其保养方法
    成膜装置及其保养方法_东京毅力科创株式会社_202510914334.8
    本发明提供一种成膜装置及其保养方法。缩短停机时间。成膜装置具备：长方体形状的处理室，其收纳基板；载物台加热器，其配置于处理室的内部；气体供给部，其向处理室的内部供给成膜用的原料气体；以及圆筒形状的套筒，其配置于处理室的内部，套筒以两端的开口...
    2026-03-08
  • 烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物和使用其沉积膜的方法
    烷氧基硅杂环状或酰氧基硅杂环状化合物和使用其沉积膜的方法_弗萨姆材料美国有限责任公司_202511490461.6
    提供了一种通过化学气相沉积制备多孔低k介电膜的方法和组合物。在一个方面中，所述方法包括以下步骤：在反应室内提供衬底；将气体试剂引入所述反应室中，所述气体试剂包括至少一种结构形成前体而具有或不具有成孔剂，所述结构形成前体包含烷氧基硅杂环状或酰...
    2026-03-08
  • 一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法
    一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法_季华实验室_202511956879.1
    本申请涉及半导体领域，主要涉及一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜及其制备方法。一种基于液态金属的硼掺杂金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：对衬底进行预处理；制备Ga‑B合金；将所述Ga‑B合金覆盖于经过预处理的衬底；经排气、通气、控温，实现...
    2026-03-08
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