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最新专利技术
  • 数据及电力隔离屏障
    数据及电力隔离屏障_德州仪器公司_202511478875.7
    本申请涉及数据及电力隔离屏障。一种半导体封装包含具有初级绕组(L1)及次级绕组(L2)的变压器(T1)。所述初级绕组(L1)具有第一及第二端子以及一对抽头。所述次级绕组(L2)具有第一及第二端子以及一对抽头。所述半导体封装包含第一及第二数据...
    2026-04-25
  • 一种轻质高导热的芯片热管连接结构
    一种轻质高导热的芯片热管连接结构_苏州鸿凌达电子科技股份有限公司_202511663526.2
    本发明涉及导热材料技术领域，公开了一种轻质高导热的芯片热管连接结构，包括：石墨导热单元，包括多个按预设顺序排列的石墨导热单体，石墨导热单体的平面导热方向垂直于芯片与热管的接触面；封装体，填充于石墨导热单元四周，将石墨导热单元集成为一体结构；...
    2026-04-25
  • 一种高效微流道散热冷板
    一种高效微流道散热冷板_南京奕可飞电子科技有限公司_202511504006.7
    本发明公开了一种高效微流道散热冷板，涉及散热板技术领域，包括导热板，所述导热板的底部设置有导热机构，所述侧端壳的内侧设置有交替分流机构；所述导热机构包括架杆，所述架杆固定连接在导热板的底面中部，所述架杆的外表面固定连接有接触底座，所述导热板...
    2026-04-25
  • 一种紧凑型射流式液冷散热装置及其工作方法
    一种紧凑型射流式液冷散热装置及其工作方法_上海应用技术大学_202511260197.7
    本发明属于电子器件热管理技术领域，具体涉及一种紧凑型射流式液冷散热装置及其工作方法。该散热装置包括底板，底板密封连接于安装有芯片的基板上，射流板安装于底板上，盖板安装于射流板上，盖板上设有冷却液入口和冷却液出口，用于安装接头。底板上设有底板...
    2026-04-25
  • 集成压电驱动的微流控液冷散热模块、芯片及应用
    集成压电驱动的微流控液冷散热模块、芯片及应用_甬江实验室_202511236149.4
    本申请公开了一种集成压电驱动的微流控液冷散热模块、芯片及应用，属于芯片液冷式散热技术领域。该微流控液冷散热模块包括微流控基底、压电薄膜；所述压电薄膜覆盖于所述微流控基底一侧的表面；所述微流控基底朝向所述压电薄膜一侧的表面设置有凹槽通道；所述...
    2026-04-25
  • 一种GaN集成功率器件
    一种GaN集成功率器件_上海鸿劢电子科技有限公司_202511363656.4
    本发明公开了一种GaN集成功率器件，涉及半导体器件技术领域，封装壳和基板，基板安装在封装壳内，封装壳的一侧为对流端，且封装壳的另一侧为冷却端，对流端安装有风冷件，且冷却端处设有隔离腔室的罐体，基板处于对流端和冷却端之间，且封装壳内部边缘间隙...
    2026-04-25
  • 一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法
    一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法_厦门大学_202511908190.1
    本发明提供了一种基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明提供的基于小尺寸高电子迁移率晶体管的金刚石散热结构，包括设置在高电子迁移率晶体管外延晶圆底部的散热微孔，其内填充有金刚石2；所述高电子迁...
    2026-04-25
  • 一种半导体封装结构及其制备方法
    一种半导体封装结构及其制备方法_广东省新兴激光等离子体技术研究院_202511416230.0
    本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。一种半导体封装结构，包括沿半导体封装结构的厚度方向层叠设置的基板和互连结构，互连结构包括导电层和导热区；导电层包括导电通道、第一绝缘材料，第一绝缘材料在不同的导电通道之间形成电性隔离；构成导热区的材...
    2026-04-25
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511373116.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底的表面形成多晶硅层，对第二区域上方的多晶硅层进行离子注入，以形成掺杂多晶硅层；在多晶硅层上形成第一介质层；去除位于第一区域上方的多晶硅层和第一介质层，以...
    2026-04-25
  • 一种芯片的制备方法及芯片
    一种芯片的制备方法及芯片_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511907701.8
    本申请公开了一种芯片的制备方法及芯片，芯片的制备方法，包括：在半导体层上依次形成第一导体层和第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成桥墩结构；在所述桥墩结构之间形成牺牲层；在所述桥墩结构上依次形成第三绝缘层和桥梁结构；以及去除所述牺牲层，形成空气...
    2026-04-25
  • 形成钼的金属膜的方法及装置
    形成钼的金属膜的方法及装置_东京毅力科创株式会社_202510902013.6
    本公开提供一种形成钼的金属膜的方法及装置，能够形成电阻率小的钼的金属膜。在基板形成钼的金属膜时，实施以下工序：对基板形成钨的金属基底膜；以及对金属基底膜形成所述金属膜。通过对钨的金属基底膜形成钼的金属膜，钼的晶粒尺寸变大，能够形成电阻率小的...
    2026-04-25
  • 实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法
    实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415530.7
    本发明提供一种实现斜坡状金属导线形貌的工艺方法。该方法包括：对形成于金属层上的光刻胶层进行减薄处理；通过调整光刻工艺的焦距及进行紫外光固化烘烤处理，使光刻胶层形成具有目标倾斜角度的掩模形貌；以该掩模形貌为掩模，采用去耦等离子体源刻蚀设备，通...
    2026-04-25
  • 互连结构及其形成方法
    互连结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510842834.5
    一种互连结构及其形成方法。互连结构包括设置于第一介电层中的第一导电结构、设置于第一介电层上方的第二介电层，以及设置于该第二介电层中及该第一导电结构上方的第二导电结构。第一导电结构包括第一阻障层及第一主导电层。第二导电结构包括第二阻障层、第二...
    2026-04-25
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410940390.4
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括第一金属层和覆盖所述第一金属层顶面的介电层；形成位于所述介电层中的第一开口，且所述第一开口的深度小于所述介电层的厚度；形成位于所述第一开口侧壁的保护层；以及加深所述第一开口，使...
    2026-04-25
  • 降低后段互联接触电阻的方法
    降低后段互联接触电阻的方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511416401.X
    本发明公开了一种降低后段互联接触电阻的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在形成暴露下层铜互连结构的开口后，对衬底进行表面处理。所述表面处理采用包含还原性气体(例如氢气)的处理气体，在等离子体环境中，将所述下层铜互连结构表面的氧化铜还...
    2026-04-25
  • 晶粒制作工艺、晶粒及芯片
    晶粒制作工艺、晶粒及芯片_长沙安牧泉智能科技有限公司_202511489792.8
    本发明公开了一种晶粒制作工艺、晶粒及芯片，本发明的晶粒制作工艺，能加工出侧部形成有PAD的晶粒，将该工艺制得的晶粒用于芯片时，使得其它在侧边留有端口的器件(例如RLC器件)能直接焊接在晶粒侧部的PAD上，实现与晶粒的电连接，无需经由在基板内...
    2026-04-25
  • TSV工艺金属层对准方法
    TSV工艺金属层对准方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511335128.8
    本发明公开了一种TSV工艺金属层对准方法，包括：S1，制作CT层标记；S2，执行CT层金属填充工艺；S3，TSV层光刻定义TSV图形，同时将CT层标记区域光刻胶去除；S4，TSV层刻蚀，利用填充金属与Si刻蚀选择比，反相刻蚀出与CT层标记反...
    2026-04-25
  • DTI结构制作方法及DTI结构
    DTI结构制作方法及DTI结构_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415537.9
    本发明公开了一种DTI结构制作方法，包括以下步骤：S1，衬底上依次形成第一氧化层、第一SiN层、第二氧化层和第二SiN层，并刻蚀形成沟槽；S2，氮化硅回刻；S3，生长第三氧化层，第三氧化层顶部高于第二氧化层，且第一氧化层、第二氧化层和第三氧...
    2026-04-25
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410922104.1
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在衬底中形成用于制造局部氧化层的沟槽，并在沟槽侧壁的衬底中掺杂第一离子而形成侧壁阻挡层，进一步在沟槽中进行硅外延工艺，从而通过将沟槽中的硅氧化来形成局部氧化层，且在局部氧化层形成过程中通过侧壁阻挡层阻挡氧...
    2026-04-25
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410921903.7
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，先在衬底的待形成局部氧化层区域外围上方的刻蚀阻挡层中形成第一沟槽，并对第一沟槽底部的衬底进行第一离子的注入以形成侧部离子掺杂层，之后去除衬底的待形成局部氧化层区域的刻蚀阻挡层以形成第二沟槽，且进一步氧化第...
    2026-04-25
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