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最新专利技术
  • 一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜
    一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜_新美光(苏州)半导体科技有限公司_202511906305.3
    本申请提供了一种半导体刻蚀的优化控制方法和刻蚀控制柜，该方法包括构建至少两个级联的第一类残差模块、第一刻蚀误差预测模块，根据原始特征图产生第一刻蚀误差预测结果；构建增强图像获取模块、至少两个级联的第二类残差模块、第二刻蚀误差预测模块，根据增...
    2026-04-26
  • 面型处理方法、系统、电子设备
    面型处理方法、系统、电子设备_中山市博顿光电科技有限公司_202511615545.8
    本申请实施例提供了一种面型处理方法、系统、电子设备，涉及离子束领域。包括：确定工件置于真空腔体；指示发射器对工件执行至少一轮刻蚀操作，直至满足第一条件，确定将工件从真空腔体中移出；第一条件包括刻蚀操作后的面型与目标面型的差异小于第一阈值：每...
    2026-04-26
  • 刻蚀方法及半导体工艺设备
    刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511573843.5
    本申请提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该方法包括：执行第一刻蚀步，刻蚀膜层的部分深度，以在膜层内形成至少两个沟槽；在沟槽的部分深度内填充牺牲层，每个沟槽内的牺牲层的顶面齐平；执行第二刻蚀步，刻蚀牺牲层以及至少部分沟槽...
    2026-04-26
  • 深沟槽的形成方法
    深沟槽的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415534.5
    本发明公开了一种深沟槽的形成方法，包括：在半导体衬底表面依次形成硬质掩膜层和光刻胶，对光刻胶进行图形化以在深沟槽的形成区域形成第一开口。对硬质掩膜层进行刻蚀形成穿过硬质掩膜层的第二开口。对半导体衬底进行第一次浅表刻蚀形成第一浅表沟槽，第一浅...
    2026-04-26
  • 一种刻蚀精度高的刻蚀机
    一种刻蚀精度高的刻蚀机_柏耕(厦门)科技有限公司_202511607228.1
    本发明公开了一种刻蚀精度高的刻蚀机，涉及刻蚀技术领域，包括安装机构，所述安装机构包括安装机架，所述安装机架内腔的下端设置下端安装腔，所述下端安装腔的上方设置有刻蚀腔，所述刻蚀腔的上方设置有上端安装腔，所述安装机架的正面设置有控制面板。本发明...
    2026-04-26
  • 一种图像传感器的离子注入工艺
    一种图像传感器的离子注入工艺_格科半导体(上海)有限公司_202410854882.1
    本发明公开了一种图像传感器的离子注入工艺，包括：提供一离子注入机台；所述离子注入机台连续运行第一时间的第n离子注入工序，所述n取正整数；基于所述第一时间的第n离子注入工序，所述离子注入机台自动切源，连续运行第二时间的第n+1离子注入工序；所...
    2026-04-26
  • 衬底的氧化方法及半导体器件
    衬底的氧化方法及半导体器件_上海新傲芯翼科技有限公司_202511923054.X
    本发明提供一种衬底的氧化方法及半导体器件，在衬底的氧化方法中，确定待形成的氧化层的目标厚度，氧化层的目标厚度大于0μm且小于等于4μm；根据目标厚度，确定衬底的目标氧含量和衬底的目标氮含量，衬底的目标氧含量为6new ppma~18new ...
    2026-04-26
  • 栅极氧化层及栅极的制备方法
    栅极氧化层及栅极的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410924076.7
    本发明提供一种栅极氧化层及栅极的制备方法，在形成第一栅极氧化层后，通过在第二功能区的第一栅极氧化层表面上形成抑制ALD材料层，该抑制ALD材料层可以有效抑制ALD工艺在其表面成膜，所以ALD工艺形成的第二栅极氧化层会在第一功能区成膜而不会在...
    2026-04-26
  • 一种氮化镓外延结构及其制备方法
    一种氮化镓外延结构及其制备方法_广汽埃安新能源汽车股份有限公司_202511506157.6
    本申请涉及一种氮化镓外延结构及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。该氮化镓外延结构的制备方法包括以下步骤：于衬底层的表面沉积形成SiO22掩膜，SiO22掩膜具有窗口区域，至少部分衬底层由窗口区域露出；于SiO22掩膜背离衬底层的表面沉...
    2026-04-26
  • 一种硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件
    一种硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件_南昌大学_202511456919.6
    本申请涉及硅基氮化物薄膜及其制备方法、半导体器件，制备方法包括：提供硅衬底，将硅衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氢气以对硅衬底进行表面预处理；向反应腔中通入氮源气体以在硅衬底表面形成氮化层；向反应腔中通入铝源气体，以使氮化层表面的氮原子与铝...
    2026-04-26
  • 一种晶圆背金之方法
    一种晶圆背金之方法_重庆凌芯微电子有限公司_202511680904.8
    本发明公开了一种晶圆背金之方法，确认待作业晶圆的背面已完成抛光作业或蚀刻作业，其中背面抛光作业后晶圆背面的表面粗糙度Ra范围为0.1‑0.5μm区间，背面蚀刻作业的蚀刻深度为5‑20μm；本发明通过创新的低温无加热设计、纯公转镀锅结构及动态...
    2026-04-26
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410948598.0
    本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底；位于衬底上方的支撑结构以及间隔排布的电容孔，电容孔贯穿支撑结构；位于电容孔内的下电极，其中，下电极包括第一下电极层、第二下电极层和第三下电极层，第一下...
    2026-04-26
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410940549.2
    本申请提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底的表面形成硬掩膜层，刻蚀所述衬底和所述硬掩膜层形成深沟槽，所述深沟槽的侧壁包括带有尖角的突起部；对所述深沟槽的侧壁和底部进行掺杂，形成掺杂层；以及去除所述掺杂层。本申请还提供一种...
    2026-04-26
  • 一种高良率存算一体阵列及其制备方法
    一种高良率存算一体阵列及其制备方法_南京大学_202511504728.2
    本发明公开了一种高良率存算一体阵列及其制备方法，所述阵列包括衬底、场效应晶体管、阻挡层与阻变存储器；为一晶体管‑一忆阻器的1T1R阵列，制备方法包括：在衬底上制备设计好图案的底电极；在底电极表面使用原子层沉积氧化铪，作为介质层；在沉积完成的...
    2026-04-26
  • 一种基于玻璃基微纳米毛细管的纳流体忆阻器及其制备方法和应用
    一种基于玻璃基微纳米毛细管的纳流体忆阻器及其制备方法和应用_中国科学院理化技术研究所_202511532339.0
    本发明涉及用于神经形态计算所需器件的制备领域。更具体地，涉及一种基于玻璃基微纳米毛细管的纳流体忆阻器及其制备方法和应用。所述纳流体忆阻器包括疏水修饰的微纳米毛细管和界面改性剂；其中，所述界面改性剂中包含氢键供体和去离子水。该纳流体忆阻器兼具...
    2026-04-26
  • 光电突触器件及其制备方法
    光电突触器件及其制备方法_上海理工大学_202511495824.5
    本申请实施例提供一种光电突触器件及其制备方法，涉及光电技术领域，该光电突触器件包括衬底层；位于所述衬底层上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极之间的空白区域为沟道区；金属纳米颗粒层，位于所述沟道区；二维半导体层，覆盖所述金属纳米颗粒层及所...
    2026-04-26
  • 一种基于晶格失配驱动的钙钛矿型过渡金属氧化物器件及其制备方法和应用
    一种基于晶格失配驱动的钙钛矿型过渡金属氧化物器件及其制备方法和应用_武汉理工大学_202511608941.8
    本发明涉及半导体晶片技术领域，尤其涉及一种基于晶格失配驱动的钙钛矿型过渡金属氧化物器件及其制备方法和应用，包括：S1、将STO衬底进行清洗，得到预处理后STO衬底；S2、采用脉冲激光沉积法在预处理后STO衬底表面沉积功能层，利用图形化电极引...
    2026-04-26
  • 一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2-bit向量乘积的方法
    一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2-bit向量乘积的方法_华东师范大学_202511423380.4
    一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2‑bit向量乘积的方法，器件背栅和背栅介电层为最底层，背栅介电层与底电极相连，底电极、中间电极、顶电极之间各有一层阻变层，中间电极分为左中间电极和右中间电极。所述的顶电极、中间电极、底电极及阻变层堆叠...
    2026-04-26
  • 一种晶圆级MoS2薄膜垂直结构忆阻器的制备方法
    一种晶圆级MoS2薄膜垂直结构忆阻器的制备方法_南昌大学_202511360494.9
    本发明涉及半导体材料与器件技术领域，具体涉及一种晶圆级MoS22薄膜垂直结构忆阻器的制备方法。在本发明中，通过磁控溅射法在基片上沉积MoS22薄膜，结合化学气相沉积技术，使用含硫物质和铵盐为前驱体进行硫化，获得晶圆级MoS22晶体薄膜。利用...
    2026-04-26
  • 电阻式存储单元及其制作方法
    电阻式存储单元及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411055374.3
    本发明涉及电阻式存储单元，包含基底；下电极层，设置于该基底上；切换层，设置于该下电极层上，以及上电极层，设定于该切换层上，其中，该切换层包含局部掺杂区。该局部掺杂区的组成不同于该局部掺杂区外的该切换层的组成。
    2026-04-26
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