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  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池片及其制作方法、光伏组件,其中,太阳能电池片包括:基底,基底包括相对的正面及背面,背面包括第一区、第二区以及间隔区,第一区与正面之间的间距大于第二区与正面之间的间距,基底还包括:第一区连接至间隔区...
  • 本发明公开了一种太阳能电池、电池组件和光伏系统。太阳能电池包括:硅基底;设置于所述硅基底上的电极,所述电极包括收集栅线和汇流栅线,所述收集栅线沿第一方向延伸;所述汇流栅线包括沿第二方向延伸的多个第一部分、以及沿所述第一方向延伸的至少一个第二...
  • 本申请提供了一种电极接触结构、测试装置、测试系统和光伏电池,光伏电池的第一表面具有多个电极,第一电极和第三电极与第一极性的第一栅线导通、第二电极和第四电极与第二极性的第二栅线导通;电极接触结构包括多个接触区和多个电极接触件,第一接触区中的第...
  • 本申请实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件,该太阳能电池包括:硅基底,包括相对设置的第一表面和第二表面,第一表面包括沿第一方向交替排布的第一区域和第二区域,第二区域包括沿第二方向排布第一子区域和第二子区域;...
  • 本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:半导体基底,包括相对的第一表面和第二表面;第一掺杂层,设于第一表面的第一区域,第一区域上第一掺杂层背离半导体基底的表面和第一表面中未设置第一掺杂层的区域形成第一台阶结构...
  • 本发明涉及半导体材料制造领域,具体是一种分子束外延异质基HgCdTe材料及其制备方法。本发明针对现有异质基HgCdTe分子束外延技术中的位错密度较高与Se原子扩散失控的双重缺陷,通过设计HgSe超晶格结构触发位错反应并进一步构建As掺杂Hg...
  • 本申请提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件,背接触太阳能电池包括:半导体衬底的第二表面设置有交替排布的第一导电区域和第二导电区域,在第一导电区域内层叠设有第一钝化层、第二钝化层和第一透明导电层,第一钝化层与半导体衬底的...
  • 本发明提供一种太阳能电池的钝化方法、制备方法、光伏组件及光伏系统,钝化方法包括:在所述P型掺杂层表面沉积钝化层;加热所述太阳能电池至第一预设温;在所述钝化层表面沉积减反射层;在所述减反射层形成后,加热所述太阳能电池至第二预设温度进行退火,其...
  • 本发明涉及半导体器件技术领域,具体提供了一种砷化铟/锑化铝超晶格应变补偿生长方法及超晶格结构,该方法包括:在目标衬底上依次生长第一厚度的砷化铟层、第二厚度的InAs1‑1‑xxSbxx应变补偿层、第三厚度的锑化铝势垒层、上述InAs1‑x1...
  • 本发明公开了一种电池芯片背电极钝化方法,涉及电池芯片技术领域,包括将电池芯片置于反应腔内,控制反应腔温度和背压,脉冲注入由三甲基铝与叔丁胺配位反应制备的位阻型缓释前驱体溶液,进行化学吸附,吹扫后通入双频共振级联工作气,开启高频射频电源进行处...
  • 本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及光伏组件,属于光伏技术领域,太阳能电池的制备方法包括:提供基底,基底的第一表面具有金字塔结构,在第一表面形成掺杂导电区,在掺杂导电区远离第一表面的一侧形成硅玻璃层,对第一表面的第一区部分进行激...
  • 本发明公开了一种CdHgTe量子点电子传输层的HgTe量子点红外光电探测器及制备方法,属于光电探测技术领域。本发明先制备镉前驱体溶液与碲前驱体溶液,将二者混合配制碲化镉量子点溶液,经旋涂成膜后,用卤化汞的甲醇溶液浸润及EDT异丙醇溶液处理,...
  • 本发明提供一种BC类电池成串方法及装置,其中成串方法,包括:采用同一拉带机构分别先后制备A焊带及B焊带并于电池片复合平台的焊带排布工位处将A焊带或B焊带的第一长度段置于第一电池片顶面上,第二长度段伸出于第一电池片的顶面之外;在制备B焊带时,...
  • 本公开实施例涉及光伏技术领域,提供一种太阳能电池及其制备方法,以提高包含太阳能电池的光电转换效率,同时大幅降低电池的机械损伤,从而大幅降低包括该电池的光伏组件出现隐裂的可能性,进而提高产品良率。太阳能电池包括:沿第二方向相对设置的子正面和子...
  • 本公开实施例提供一种电池片的制作方法及太阳能电池,其中,电池片的制作方法包括:提供电池片,电池片具有侧面;形成第一钝化层,第一钝化层至少覆盖部分第一电池片的侧面;形成第三钝化层,第三钝化层至少位于第一钝化层远离第一电池片的一侧表面;形成第四...
  • 本发明公开了一种太阳能电池制绒工艺,涉及太阳能电池领域:所述制绒工艺包括:根据制绒槽内槽液活性变化,将n批寿命周期划分为三个阶段;前期阶段:槽液活性处于峰值;中期阶段:槽液活性趋于稳定;后期阶段:槽液活性衰减;不同阶段配置不同的制绒时间,且...
  • 本发明公开一种晶硅基体、太阳能电池及制备方法。制备方法包括:提供晶硅原片,晶硅原片由切割晶硅棒得到,晶硅原片主表面具有由切割形成的机械损伤层;利用激光对机械损伤层进行气化熔融处理,以调整机械损伤层形态,激光的移动方向与晶硅原片对应的切割方向...
  • 本申请公开了一种三五族化合物与硅异质集成的单光子雪崩二极管及其制备方法,制备方法包括:步骤S11,在硅晶圆上制备所述单光子雪崩二极管的PN结;步骤S12,对所述硅晶圆进行表面处理,然后将三五族化合物晶圆键合到所述硅晶圆上;步骤S13,对所述...
  • 本发明提供一种实现倍增型光电探测器的方法及红外探测与显示器件,使用能带工程,将合适大小的金纳米颗粒层埋藏在ZnO层中,由金纳米颗粒作为电子陷阱捕获大量光生电子,使得倍增型红外光电探测器、倍增型红外探测与显示器件获得了高增益;同时,本发明直接...
  • 本发明提供了一种BC背接触太阳能电池的制作方法,包括以下步骤,S3、在硅片背面沉积钝化接触结构,钝化接触结构至少包含隧穿氧化层和本征硅层;S4、在本征硅层上,通过印刷方式分别在预定形成P型接触和N型接触的区域施加含P型掺杂源的浆料和含N型掺...
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