Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 高压PNP结构静电防护器件
    高压PNP结构静电防护器件_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415531.1
    本发明提供一种高压PNP结构静电防护器件，器件包括：P型衬底、形成于其内的N型埋层、深N阱、N阱和P型发射极区，共同构成一PNP晶体管，其中位于两端的P型重掺杂为集电极，深N阱为基极，位于中间的P型重掺杂为发射极。器件的击穿电压由所述基极和...
    2026-04-28
  • 一种集成电路的标准单元结构及制备方法
    一种集成电路的标准单元结构及制备方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410933459.0
    本申请公开了一种集成电路的标准单元结构及制备方法，包括位于衬底的PPNN区域，所述PPNN区域包括PP区和NN区；所述PP区和所述NN区中包括多个沿第一方向延伸的第一鳍片，所述PP区和所述NN区中的至少之一包括多个沿第一方向延伸的第二鳍片，...
    2026-04-28
  • 阵列基板及其制备方法、显示装置
    阵列基板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410870466.0
    一种阵列基板及其制备方法、显示装置。所述阵列基板包括衬底、位于所述衬底上的第一导电层，且所述第一导电层包括至少一条数据线；位于所述第一导电层远离所述衬底一侧的第一绝缘层，且所述第一绝缘层包括至少一个第一过孔，且所述第一过孔暴露出所述数据线的...
    2026-04-28
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202511605346.9
    本申请公开了一种显示面板及显示装置；显示面板包括基板、间隔层、半导体层以及第一导电层；间隔层设置于基板上，间隔层中形成有多个凹槽；半导体层设置于间隔层远离基板的一侧，半导体层包括填充部；第一导电层设置于半导体层远离间隔层的一侧，并包括多个第...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511903161.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，第一晶体管的第一栅氧化层及第一栅电极层依次堆叠在相应的第一有源区上，第一栅氧化层及第一栅电极层沿第一方向延伸的边界不超出相应的第一有源区的边界；绝缘层位于第一器件区的部分衬底上，并...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511401206.X
    半导体器件包括：多个第一纳米结构，在第一源极/漏极区域之间延伸；以及多个第二纳米结构，与多个第一纳米结构重叠，多个第二纳米结构在第二源极/漏极区域之间延伸。器件还包括：第一绝缘保护层，与第二纳米结构重叠；第一栅极堆叠件，位于多个第一纳米结构...
    2026-04-28
  • 晶体管器件及其形成方法
    晶体管器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511394635.9
    提供了沟道隔离结构及其形成方法。一种器件包括：多层堆叠件，包括：第一多个纳米结构；第二多个纳米结构，位于第一多个纳米结构上方；以及第一沟道隔离结构。该器件还包括：第一源极/漏极区，位于第一多个纳米结构的相对端上；第二源极/漏极区，位于第一源...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390107.6
    半导体器件包括：有源栅极结构，设置在衬底上方；第一源极/漏极部件，设置在有源栅极结构的两个相对侧处；介电栅极结构，设置在衬底上方，介电栅极结构和有源栅极结构沿着垂直于衬底的垂直方向彼此堆叠；以及第二源极/漏极部件，设置在介电栅极结构的两个相...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390096.1
    半导体器件，包括：第一衬底；第一鳍，突出在第一衬底之上；第一纳米结构，位于第一鳍上方；第一栅极结构，位于第一纳米结构周围；第一源极/漏极区域，与第一栅极结构相邻并且接触第一纳米结构的第一子集；第一介电结构，位于第一源极/漏极区域和第一鳍之间...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390092.3
    提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括：隔离区域；第一介电层，位于隔离区域上方；第二介电层，位于第一介电层上方；第一源极/漏极区域，位于第二介电层中；第一纳米结构，位于第一源极/漏极区域的侧壁上；第一栅电极，位于第一纳米结构周围；...
    2026-04-28
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510260893.1
    一种半导体器件包括在第一方向上延伸的第一鳍图案、在第一鳍图案上的源极/漏极图案、在第二方向上延伸的栅电极、与第一鳍图案接触的绝缘结构、在第三方向上与绝缘结构重叠的下导电图案和上导电图案、以及延伸穿过绝缘结构并且电连接下导电图案和上导电图案的...
    2026-04-28
  • 半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202410865884.0
    本申请的实施例提供了一种半导体器件及制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于减少晶体管器件和贯穿触点短接的现象。该半导体器件包括：衬底、多个晶体管单元、接触部和隔离层。多个晶体管单元设置于衬底上。接触部设置于衬底上，至少部分接...
    2026-04-28
  • 源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维集成电路，以及它们的制备方法
    源漏极对称的垂直型全栅MOSFET及其三维集成电路，以及它们的制备方法_北京理工大学_202511460502.7
    传统的垂直型GAA(VGAA)MOSFET由于自下而上的半导体工艺，导致VGAA MOSFET的源漏极不对称，限制了其在集成电路中的应用。本发明提出了一种源漏极对称的VGAA MOSFET的新结构及其三维集成电路、以及它们的制备方法，有望构...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390087.2
    器件包括衬底上方的多个纳米片、邻近多个纳米片的源极/漏极部件，以及设置在多个纳米片上方且位于相邻纳米片之间的栅极结构。栅极间隔件设置在栅极结构顶部的相对侧的侧壁上方。内部间隔件在第一方向上介于多个纳米片中相邻纳米片的横向端部之间，并在第二方...
    2026-04-28
  • 半导体结构
    半导体结构_联华电子股份有限公司_202410924843.4
    本发明公开一种半导体结构，其中该半导体结构包含基底，具有多个鳍片；第一阱和第二阱，设置在基底中，多个鳍片与第一阱部分重叠并且与第二阱部分重叠；外延源极区，设置在第一阱内的多个鳍片上；外延漏极区，设置在第二阱内的多个鳍片上；栅极，设置在外延源...
    2026-04-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390085.3
    在相同衬底上方形成互补场效应晶体管(CFET)和纳米结构场效应晶体管(NSFET)以形成半导体器件。CFET通过将晶体管垂直堆叠在一起实现高晶体管集成密度，并且可以适合于实施先进逻辑电路。NSFET实现高驱动电流，并且可以适合于高性能单元和...
    2026-04-28
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511927061.7
    本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构包括形成于所述衬底上的栅极和形成于所述栅极的侧壁的栅极侧墙；于所述栅极侧墙的远离所述栅极一侧的所述衬底内形成第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层中远...
    2026-04-28
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511926555.3
    本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该制备方法包括：提供基底，于基底上形成初始栅极结构；初始栅极结构包括栅极和初始侧墙；于基底裸露于相邻初始栅极结构之间间隔内的表面形成金属硅化物层；对初始侧墙执行至少一次刻蚀清洗工艺，以获得厚度符合...
    2026-04-28
  • 一种半导体结构及其制造方法
    一种半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511923252.6
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，具体涉及半导体技术领域。所述半导体结构的制造方法包括提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构和侧墙结构，所述侧墙结构位于所述栅极结构的两侧，所述栅极结构两侧的衬底内形成有源漏区；对所述源漏区进行湿法预刻蚀，形...
    2026-04-28
  • 具有金属栅极的半导体器件及其形成方法
    具有金属栅极的半导体器件及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511893346.3
    本发明提供一种具有金属栅极的半导体器件及其形成方法，伪栅结构具有大于目标关键尺寸的第一关键尺寸；氧化伪栅结构的两侧侧壁形成氧化层，一侧氧化层的第二关键尺寸为第一关键尺寸与目标关键尺寸之差的一半；氮化伪栅结构的侧壁的氧化层形成氮氧化层，氮氧化...
    2026-04-28
首页 上一页 19 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证