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最新专利技术
  • 功率模块及功率变换装置
    功率模块及功率变换装置_华为数字能源技术有限公司_202511325531.2
    本申请实施例提供一种功率模块及功率变换装置，功率模块包括封装在功率模块内的驱动芯片、功率芯片、第一基板和第二基板，驱动芯片与功率芯片电连接；驱动芯片和功率芯片在工作时的发热量不一样，功率芯片的发热量要大于驱动芯片的发热量，功率芯片具有更高的...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202510870994.0
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有上表面的布线衬底、安装在布线衬底上的半导体芯片以及经由多个粘合层固定在布线衬底上的加强环。上表面是四边形形状，并且可以绘制第一中心线和第二中心线以及第一对角线和第二对角线。加强环具有四个延...
    2026-01-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511471500.8
    半导体装置，具备：两个半导体元件，具有在作为板厚方向的Z方向上相互对置的一面及背面，在一面配置有集电极电极，在背面配置有发射极电极，两个半导体元件在与Z方向垂直的X方向上排列配置；两个热沉，以在Z方向上夹着两个半导体元件的方式配置；以及封固...
    2026-01-26
  • 一种具备温度补偿的精密电阻结构
    一种具备温度补偿的精密电阻结构_安徽元旭电子科技发展有限公司_202511440392.8
    本发明公开一种具备温度补偿的精密电阻结构，包括电阻器、IC控制芯片、MOS器件；电阻器中包括两个端部电极及连接两个端部电极的第一功能层作为电流检测单元；还包括两个底部电极及连接两个底部电极的第二功能层为温度检测单元；通电时电流检测单元会产生...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511852997.8
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层、保护层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述保护层和所述介质层，以暴露所述衬底内的核心区；对所暴露的所述衬底进行活化处理，于所述核心区内的所述衬底的表面...
    2026-01-26
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511296690.4
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括步骤：提供一硅衬底，硅衬底上形成有间隔设置的栅极结构，刻蚀硅衬底，以在相邻两个栅极结构之间形成凹槽，通过预处理气体对凹槽的内壁进行预处理，以清洁凹槽的内壁并在凹槽的内壁上形成过...
    2026-01-26
  • 一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管
    一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管_松山湖材料实验室_202511225908.7
    本申请涉及微电子工艺技术领域。具体涉及一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管。介电薄膜制造方法，包括以下步骤：提供生长基底和介电薄膜原材料；原子级台阶化基底；将生长基底进行退火处理，使生长基底表面形成沿晶面方向连续延展、规则排列...
    2026-01-26
  • 一种钼材料层的刻蚀方法及半导体工艺设备
    一种钼材料层的刻蚀方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410917883.6
    本申请公开了一种钼材料层的刻蚀方法及半导体工艺设备，钼材料层形成截止层上，刻蚀方法包括：氯基气体刻蚀：采用氯基气体对钼材料层进行刻蚀，以形成第一深度的沟槽，第一深度小于钼材料层的厚度；氟基气体刻蚀：采用氟基气体沿沟槽对钼材料层进行刻蚀，直至...
    2026-01-26
  • MOS器件及其制造方法
    MOS器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410895173.8
    本发明涉及一种MOS器件及其制造方法。所述MOS器件包括堆叠于衬底上的至少两个介质层，其叠层对应于衬底上的MOS形成区贯穿设置有栅极沟槽，其中，沿远离衬底的方向，所述栅极沟槽在各介质层中的横截面面积逐层扩大，栅介质层和金属栅极依次堆叠设置并...
    2026-01-26
  • 一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法
    一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202511870285.9
    本申请公开了一种SiC超级结结构、SiC器件及其制作方法。超级结结构包括第一P区，位于P区中间区域，第一P区中填充有高介电常数介质材料和其他氧化物的组合，高介电常数介质材料的分子构型中四面体结构对八面体结构的比例超过常规值，其中四面体结构含...
    2026-01-26
  • 具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法
    具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511504491.8
    公开了具有渐变外延分布的电荷补偿MOSFET及其制造方法。一种竖向功率半导体晶体管器件，包括：第一导电类型的漏极区；第二导电类型的本体区；将本体区与漏极区分离的第一导电类型的漂移区；被通过本体区与漂移区分离的第一导电类型的源极区；栅极沟槽，...
    2026-01-26
  • 一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法
    一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法_江苏超芯星半导体有限公司_202511464727.X
    本发明提供一种免外延的碳化硅一体化衬底及其制备方法。所述碳化硅一体化衬底的结构为以下任意一种；层叠结构：由N掺杂碳化硅底层和N掺杂碳化硅顶层层叠构成，所述N掺杂碳化硅顶层的电阻率大于所述N掺杂碳化硅底层的电阻率；梯度结构：沿厚度方向N掺杂浓...
    2026-01-26
  • 一种无结晶体管
    一种无结晶体管_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202410918034.2
    本申请提供一种无结晶体管，包括衬底，以及衬底上依次层叠的埋氧层、核层和壳层，壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，壳层上具有栅极，壳层在沿衬底的表面的第一方向上的尺寸大于栅极沿第一方向的尺寸，也就是说，相比于壳层在第一方向的尺寸等于栅极在第一方...
    2026-01-26
  • 屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法
    屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法_华羿微电子股份有限公司_202511488743.2
    本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法，本方案通过在终端区采用一组特殊的外围沟槽阵列，在这个特殊的外围沟槽阵列的底部通过一次性P‑型离子注入，并在随后的器件制造热工艺的条件下对该P‑型注入的离子进行驱动，以达到预期...
    2026-01-26
  • 电子器件结构及其制备方法和应用
    电子器件结构及其制备方法和应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511451643.2
    本发明公开了一种电子器件结构及其制备方法和应用。电子器件结构的制备方法包括：提供第一导电类型的第一半导体层，在第一半导体层的选定区域形成至少一槽状结构；在槽状结构内形成电场抑制层，电场抑制层分布在槽状结构的槽底转角区域，并形成衔接侧壁与槽底...
    2026-01-26
  • 一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法
    一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法_浙江大学_202511288986.1
    一种快速注入方法、超结MOSFET结构及其制备方法，属于功率器件制备技术领域，包括：提供外延片；在衬底上构造超结结构；其中，所述超结结构包括下层超结层和上层超结层；所述下层超结层包括第二导电类型的下层介质柱区，所述下层介质柱区与下层超结层的...
    2026-01-26
  • 一种JFET器件及其制造方法
    一种JFET器件及其制造方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202511283669.0
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种JFET器件及其制造方法，其包括衬底(104)，衬底(104)上形成栅极沟槽，衬底(104)上注入有源极N+区(106)和位于栅极沟槽侧壁的栅极P区(105)，栅极P区(105)、源极N+区(106)上设...
    2026-01-26
  • 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示器
    薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示器_深圳大学_202511616814.2
    本申请公开了一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制备方法及显示器，属于薄膜晶体管技术领域。所述薄膜晶体管包括：衬底；绝缘层，所述绝缘层设置于所述衬底的一面；有源层，所述有源层设置于所述绝缘层背离所述衬底的一面；源极和漏极，所述源极和所述漏极设置于所...
    2026-01-26
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511574234.1
    本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述半导体器件，包括：衬底、外延层、有源区结构、正面结构、终端结构、正面金属层以及背面金属层。外延层设置于衬底的正面。外延层内设置有深槽。有源区结构填充于深槽内。正面结构设置于有源区...
    2026-01-26
  • 超结半导体装置及其制造方法
    超结半导体装置及其制造方法_美格纳半导体有限公司_202510937128.9
    本申请涉及超结半导体装置及其制造方法。该超结半导体装置，包括：基板；有源单元，所述有源单元设置在所述基板上；边缘终止区域，所述边缘终止区域被配置成围绕所述有源单元；外围区域，所述外围区域被配置成围绕所述有源单元并且设置在所述有源区域与所述边...
    2026-01-26
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