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最新专利技术
  • 一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路
    一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路_重庆芯联微电子有限公司_202511253257.2
    本发明提供一种具备光敏栅极的射频MOS器件及高速光电探测电路，在传统的射频MOS的栅极上集成光敏层以形成光敏栅极，当近红外光信号照射至光敏栅极时，其产生的电子‑空穴对能够改变栅极电压，进而调制沟道电流，且短沟道区的设计有助于提升器件的截止频...
    2026-01-24
  • 一种垂直结构的多光谱光探测器及其制备方法
    一种垂直结构的多光谱光探测器及其制备方法_华南理工大学_202511242780.5
    本发明公开一种垂直结构的多光谱光探测器及其制备方法，涉及光电半导体技术，以克服现有多光谱探测技术中系统集成度低以及光波长与光强对光电流串扰严重等关键问题。在有源层顶部设有一透明电极作为源极，在有源层底部设有另一电极作为漏极；有源层侧壁设有第...
    2026-01-24
  • 一种碳化硅单光子探测器及其制备方法
    一种碳化硅单光子探测器及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511722183.2
    本发明提供一种碳化硅单光子探测器及其制备方法，涉及碳化硅日盲探测技术领域。本发明能够通过在碳化硅衬底上依次生长不同材料体系的碳化硅倍增层和铝镓氮吸收层，且远离碳化硅衬底的铝镓氮吸收层一侧为光入射侧，由此，使得入射光先经过铝镓氮吸收层，激发产...
    2026-01-24
  • 一种无铅堆栈钙钛矿PiN结构全光谱光电探测器及其制备方法
    一种无铅堆栈钙钛矿PiN结构全光谱光电探测器及其制备方法_杭州市北京航空航天大学国际创新研究院(北京航空航天大学国际创新学院)_202511422237.3
    本发明公开了一种无铅堆栈钙钛矿PiN结构全光谱光电探测器及其制备方法，涉及光电探测技术领域，从下至上依次包括单抛绝缘蓝宝石衬底、下电极、P层、i层、N层、上电极；所述下电极为Ti/Au电极；所述P层为金刚石薄膜；i层为无铅堆栈钙钛矿结构，由...
    2026-01-24
  • 一种高带宽低暗电流的光电二极管结构及其制备方法
    一种高带宽低暗电流的光电二极管结构及其制备方法_希烽光电科技(南京)有限公司_202511457811.9
    本发明公开了一种高带宽低暗电流的光电二极管结构，包括高纯硅晶圆，在高纯硅晶圆形成P+区，在P+区上面外延生长锗结构；在锗结构上外延非晶硅层。对锗结构的边缘死区进行低温氮等离子体注入，采用离子注入在非晶硅层顶部形成N型重掺杂区，然后再生长钝化...
    2026-01-24
  • 一种具有波导结构的光电导开关器件
    一种具有波导结构的光电导开关器件_厦门大学_202511863616.6
    一种具有波导结构的光电导开关器件，属于功率半导体领域，包括：暗态高阻型光敏衬底，其同时作为光电导体的功能区域和光波导的芯层；形成于衬底上下方的高反射率正面电极和高反射率背面电极；形成于衬底侧壁的侧面增反膜；设置于衬底上的波导耦入窗口，用于将...
    2026-01-24
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511348858.1
    本申请公开了一种光伏组件，包括：若干电池片和连接相邻电池片的互联件；电池片的表面设有多个电连接部，互联件电连接于至少两个电连接部，在相互连接的互联件与电连接部之间设有接合层，且沿互联件的延伸方向接合层间断设置。通过使互联件与电池片上的至少两...
    2026-01-24
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511862291.X
    本申请涉及光伏组件及其制备方法。上述光伏组件包括层叠设置的封装面板、第一封装胶膜、电池片、第二封装胶膜以及封装背板；光伏组件还包括第一阻隔层和/或第二阻隔层，第一阻隔层设置在封装面板与第一封装胶膜之间，第二阻隔层设置在第二封装胶膜与封装背板...
    2026-01-24
  • 一种光伏组件及其制备方法与光伏系统
    一种光伏组件及其制备方法与光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511789264.4
    本发明属于光伏组件技术领域，涉及一种光伏组件及其制备方法与光伏系统，所述光伏组件包括：电池片层，所述电池片层包括若干相互连接的电池片；所述电池片层的背面包括依次层叠设置的镀膜层、栅线、第一胶膜层和第一盖板；所述镀膜层和所述第一胶膜层之间还设...
    2026-01-24
  • 一种双玻组件层压设备
    一种双玻组件层压设备_正泰新能科技股份有限公司_202511520683.8
    本发明公开了一种双玻组件层压设备，包括：层压组件和层压平台，层压平台用于承载待层压的双玻组件，层压组件位于层压平台的上方，层压组件的底部安装有层压框，层压框用于对层压平台上放置的双玻组件进行层压。在层压时，当双玻组件置于层压平台上之后，即可...
    2026-01-24
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511451672.9
    本申请涉及一种光伏组件，包括从上至下依次排列的前板、第一封装层、多个电池串、第二封装层和背板，多个电池串相互平行排列，且相邻电池串之间存在间隙；沿光伏组件的宽度方向上，相邻两组电池串的电池片之间通过固定件交叉式连接，使得相邻两组电池串之间的...
    2026-01-24
  • 一种轻质金属光伏组件及其制备方法
    一种轻质金属光伏组件及其制备方法_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511376911.9
    本发明提供一种轻质金属光伏组件及其制备方法。所述轻质金属组件包括依次层叠设置的阻隔前膜、轻质光伏组件、第一胶黏剂层、隔热层、第二胶黏剂层和金属背板。本发明通过对轻质金属光伏组件的结构进行设计，进一步通过在轻质光伏组件和金属背板之间设置隔热层...
    2026-01-24
  • 光伏电池及光伏组件
    光伏电池及光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202511847766.8
    本发明公开了一种光伏电池及光伏组件，所述光伏电池包括：晶硅基底，所述晶硅基底为N型晶硅基底，所述N型晶硅基底包括相对设置的第一表面和第二表面；依次层叠于所述第一表面上的第一本征非晶硅层及N型掺杂层；依次层叠于所述第二表面上的第二本征非晶硅层...
    2026-01-24
  • 一种异质结太阳电池及其制备方法和光伏组件
    一种异质结太阳电池及其制备方法和光伏组件_江西电投新能源科技有限公司_202511504125.2
    本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备方法和光伏组件，涉及异质结太阳电池领域。异质结太阳电池，包括基底；基底的正面由内至外依次设置有正面钝化层和正面减反层；基底的背面具有N型接触区域和P型接触区域；N型接触区域由内至外依次设置有第一钝化层、...
    2026-01-24
  • 一种异质结太阳能电池及制备方法
    一种异质结太阳能电池及制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511480583.7
    本发明涉及一种异质结太阳能电池及制备方法，异质结太阳能电池包括：具有相对的第一表面和第二表面的硅基体；第一表面设有非掺杂区域、交叠区域以及掺杂区域，非掺杂区域设置在掺杂区域的两侧，交叠区域设在相邻的掺杂区域和非掺杂区域之间；由内向外依次设在...
    2026-01-24
  • 一种单向低容大回扫ESD芯片的制备方法
    一种单向低容大回扫ESD芯片的制备方法_维得科技(杭州)有限公司_202511525182.9
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种单向低容大回扫ESD芯片的制备方法，其包括选取N+衬底并生长N‑外延层、通过埋层工艺和掺杂形成垂直结构SCR器件、利用深槽隔离技术和金属连接优化芯片性能。本发明能够通过垂直结构设计缩小芯片尺寸，提升通...
    2026-01-24
  • 包含有薄膜电阻层的半导体结构以及其制作方法
    包含有薄膜电阻层的半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410898579.1
    本发明公开一种包含有薄膜电阻层的半导体结构以及其制作方法，其中包含有薄膜电阻层的半导体结构包含一金属栅极，金属栅极中包含有一氮化钛层、一钛层以及一铝层由下而上堆叠，其中铝层的一厚度与钛层的一厚度的比值大于0.66，以及一薄膜电阻层，位于金属...
    2026-01-24
  • 显示面板以及显示装置
    显示面板以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410876680.7
    本公开提供一种显示面板以及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括依次层叠设置的衬底基板、晶体管层、第一源漏金属层、第二源漏金属层和像素层；其中，显示面板包括阵列设置的电路区，电路区设置有驱动子像素的像素驱动电路；显示面板设置有第一连接线...
    2026-01-24
  • 薄膜晶体管阵列及制备方法、物理不可克隆函数
    薄膜晶体管阵列及制备方法、物理不可克隆函数_常州大学_202511289591.3
    本发明涉及晶体管和PUF制备领域，具体涉及一种薄膜晶体管阵列及制备方法、物理不可克隆函数。薄膜晶体管阵列包括依次层叠设置的玻璃基底层、ITO层、Zr绝缘层、至少一层IGZO有源层和排列在最外层IGZO有源层上的漏源银电极对阵列；其中，所述Z...
    2026-01-24
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394002.8
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：提供SOI，SOI包括依次堆叠设置的底层硅、埋氧层和顶层硅；在顶层硅的表面形成MOS管的栅极，在顶层硅内形成MOS管的源极和漏极，源极和漏极分别位于栅极的两侧，MOS管为多个，且从射频输入端开始到...
    2026-01-24
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