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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511608004.2
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底；漂移区，位于衬底中，且漂移区中掺杂有第一型离子；体区，位于衬底中且与漂移区相邻接，且体区中掺杂有第二型离子，第一型离子与第二型离子的离子类型不同；沟道栅极部，位于部分体区的顶部以及延伸覆盖部分漂移...
    2026-01-25
  • 一种SiC超结LDMOS器件、制造方法和芯片
    一种SiC超结LDMOS器件、制造方法和芯片_珠海格力电器股份有限公司_202511533413.0
    本发明实施例提供了一种SiC超结LDMOS器件、制造方法和芯片，器件包括P型衬底；N型外延层，位于P型衬底的表面；N型区，位于N型外延层内；P型区，横向间隔排列于N型区内，使得N型区被分割为多个横向间隔排列的N型区；P型区与N型区形成超结结...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_北京燕东微电子科技有限公司_202511342213.7
    本申请涉及半导体技术领域，具体提供一种半导体结构及其制备方法，旨在解决现有技术中场板末端纵向电场极大影响器件击穿电压上限值的技术问题。为此目的，本申请的半导体结构包括：半导体基板；位于半导体基板中的阱区；位于阱区中的体区和漂移区；位于体区中...
    2026-01-25
  • 晶体管结构
    晶体管结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410958551.2
    本发明公开一种晶体管结构，包括基底、栅极结构、第一漂移区、第二漂移区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一隔离结构与第一掺杂半导体层。栅极结构位于基底上。第一漂移区与第二漂移区位于栅极结构两侧的基底中。第一掺杂区位于第一漂移区中。第二掺杂区位于第二...
    2026-01-25
  • 一种氮化镓双向器件及其制作方法
    一种氮化镓双向器件及其制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511428129.7
    本申请提供了一种氮化镓双向器件，包括外延结构、两个漏极、栅极、第一钝化单元、第二钝化单元和场板，第一钝化单元包括覆盖在栅极上方的第一钝化平板部和覆盖在栅极和漏极之间的第二钝化平板部；第二钝化单元形成在第二钝化平板部上；场板包括金属场板层和欧...
    2026-01-25
  • 一种应用High K介质改善垂直型金刚石MOSFET击穿电压的结构及其制备方法
    一种应用High K介质改善垂直型金刚石MOSFET击穿电压的结构及其制备方法_绍芯实验室_202511300874.3
    本申请涉及一种应用High K介质改善垂直型金刚石MOSFET击穿电压的结构及其制备方法，包括金刚石衬底、外延层、沟槽、金刚石再生层、源电极、钝化层、栅电极、High K介质层及漏电极，其中在沟道表面引入High K介质层，利用其高介电常数...
    2026-01-25
  • 一种削弱FinFET拐角效应的阶梯状FinFET及其制备方法
    一种削弱FinFET拐角效应的阶梯状FinFET及其制备方法_西安电子科技大学_202511505809.4
    本发明涉及一种削弱FinFET拐角效应的阶梯状FinFET及其制备方法，属于半导体技术领域。该削弱FinFET拐角效应的阶梯状FinFET包括衬底，所述衬底的底部设置有底部宽、向上逐渐变窄的多级阶梯状结构的鳍片；多级阶梯状结构的鳍片的每级阶...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202411023507.9
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括衬底、第一隔离结构、第二隔离结构、第一栅极、第二栅极、第三栅极、第一栅绝缘层、第二栅绝缘层、第三栅绝缘层、漂移区及源极/漏极区。衬底具有第一区、第二区与第三区。第一区中的衬底包括多个鳍...
    2026-01-25
  • 半导体器件以及半导体器件制造方法
    半导体器件以及半导体器件制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861937.2
    本申请公开了一种半导体器件以及半导体器件制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底、漏极、源极和栅极；栅极中包含至少一层多晶硅；半导体衬底中设有与源极对应的源区和与漏极对应的漏区，源区和漏区之间设有沟道区；栅极设置在沟道区之上；栅极与沟道区的连...
    2026-01-25
  • 半导体器件和半导体器件的制造方法
    半导体器件和半导体器件的制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511861936.8
    本申请提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：半导体衬底、源极、漏极和栅极；半导体衬底中设有与源极对应的源区和与漏极对应的漏区，源区和漏区之间设有沟道区；栅极设置在沟道区之上；沟道区与栅极的连接位置中设有阶梯功函数层，阶...
    2026-01-25
  • 一种降低电磁干扰的半导体器件及其制备方法
    一种降低电磁干扰的半导体器件及其制备方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202511452086.6
    本发明提供一种降低电磁干扰的半导体器件及其制备方法，两个阱区形成于外延层之上，各阱区中形成源极区；复合JFET区包括彼此接触且均为第一导电类型的第一JFET区和第二JFET区，第一JFET区位于两阱区之间，第二JFET区在第一JFET区之下...
    2026-01-25
  • 超结MOSFET器件及其制备方法
    超结MOSFET器件及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202511300391.3
    本申请涉及一种超结MOSFET器件，包括：第一柱结构和第二柱结构，位于衬底的同一侧，且在平行于衬底的表面的同一个方向上依次排列；第一柱结构与第二柱结构的相对的表面相接触，第一柱结构与第二柱结构的掺杂类型不同；多个岛结构，均与第一柱结构位于衬...
    2026-01-25
  • N型晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法
    N型晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410886697.0
    本发明提供了一种N型晶体管及其制备方法、半导体器件及其制备方法。在N型晶体管中，通过在沟槽隔离结构靠近P型阱区的位置内额外设置P型注入区，以利用P型注入区补偿P型阱区在边缘位置产生的离子缺失，确保P型阱区在边缘位置的离子浓度，进而可改善N型...
    2026-01-25
  • 一种具有极化调制层的抗单粒子加固GaN HEMT
    一种具有极化调制层的抗单粒子加固GaN HEMT_重庆邮电大学_202511681031.2
    本发明涉及一种具有极化调制层的抗单粒子加固GaN HEMT，属于微电子器件技术领域。旨在解决现有技术中抗单粒子烧毁能力与基本电学性能难以兼顾的难题。技术方案核心是在栅极下方的势垒层中嵌入新型极化调制层，通过铝组分渐变分布诱导产生二维空穴气，...
    2026-01-25
  • 一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
    一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法_江南大学_202511632350.4
    本发明公开了一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，通过在p‑GaN/AlGaN界面插入AlScN层，避免栅极刻蚀出现欠刻蚀或过刻蚀现象，同时提高极化效应、增强二维电子气浓度。并且AlScN层促进表面钝化工艺的进行，提高器件的可靠性...
    2026-01-25
  • 一种HEMT器件
    一种HEMT器件_厦门市三安集成电路有限公司_202511625734.3
    本发明公开了一种HEMT器件，包括衬底以及设置于衬底上的外延层，所述外延层上间隔设置有源极和漏极，所述源极和所述漏极之间设置有栅极，所述外延层上还设置有位于所述栅极至少一侧的导热件，所述衬底背离所述外延层的一侧设置有接地金属层，在器件的有源...
    2026-01-25
  • 一种阶梯状刻蚀多通道P-GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法
    一种阶梯状刻蚀多通道P-GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法_西安电子科技大学_202511505497.7
    本发明涉及一种阶梯状刻蚀多通道P‑GaN栅控常关型氮化镓功率器件及制备方法，属于氮化镓半导体器件技术领域。该阶梯状刻蚀多通道P‑GaN栅控常关型氮化镓功率器件，从下至上依次设置有衬底层、缓冲层、第一组异质结层、第二组异质结层……第n组异质结...
    2026-01-25
  • 氮化镓双向器件及其制作方法
    氮化镓双向器件及其制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511428127.8
    本申请提供了一种氮化镓双向器件，包括外延结构、形成在所述外延结构上的第一源极、第二源极、第一栅极以及第二栅极；所述第一源极和所述第二源极位于所述第一栅极和所述第二栅极的外侧，所述第一栅极位于所述第一源极和第二栅极之间；所述第一源极包括第一源...
    2026-01-25
  • 一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法
    一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511426054.9
    本发明公开了一种分布式散热的GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层与势垒层叠层结构、以及钝化层；源极和漏极，分别位于钝化层和沟道层与势垒层叠层结构的两侧，且延伸至缓冲层；栅极，...
    2026-01-25
  • 一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法
    一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法_复旦大学_202511391439.6
    本发明公开一种集成高K介质的分裂栅金刚石MOSFET结构及其制备方法。该MOSFET结构包括：P++型掺杂的金刚石衬底；P‑‑漂移层，形成在P++型掺杂的金刚石衬底上；N型阻挡层，形成在P‑‑漂移层上；沟槽，其贯穿N型阻挡层，延伸至P‑‑漂...
    2026-01-25
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