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最新专利技术
  • 用于微发光二极管的转移载板及其制备方法、转移方法
    用于微发光二极管的转移载板及其制备方法、转移方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511462565.6
    本发明提供一种用于微发光二极管的转移载板、转移载板的制备方法、微发光二极管的转移方法，所述转移载板包括基板、设置于所述基板一侧表面的复合胶层；所述复合胶层包括依次背离所述基板设置的第一胶层和第二胶层，所述第一胶层用于附着于所述基板上，所述第...
    2026-01-19
  • 一种MIP显示模组的制作方法及LED显示屏
    一种MIP显示模组的制作方法及LED显示屏_深圳雷曼光电科技股份有限公司_202511454845.2
    本发明涉及MIP显示模组技术领域，解决了现有技术存在的制作成本偏高、LED芯片出光折射的不确定性较高的不足，提供了MIP显示模组的制作方法及LED显示屏。该制作方法包括：提供安装基板，在安装基板的正面制作与无衬底LED芯片的正负极分别电连接...
    2026-01-19
  • 一种紫外吸收剂和量子点油墨复合制备色转换层的方法及应用
    一种紫外吸收剂和量子点油墨复合制备色转换层的方法及应用_厦门大学_202511370373.2
    本发明属于量子点材料技术领域，具体公开了一种紫外吸收剂和量子点油墨复合制备色转换层的方法及应用，通过含有紫外吸收剂的量子点油墨制得色转换层或通过量子点油墨与紫外吸收剂分别制得薄膜经叠加制得色转换层；所述含有紫外吸收剂的量子点油墨通过将紫外吸...
    2026-01-19
  • 发光器件及其制备方法、显示设备
    发光器件及其制备方法、显示设备_深圳市洲明科技股份有限公司_202511342219.4
    本申请涉及一种发光器件及其制备方法、显示设备。本申请的发光器件的制备方法，包括如下步骤：提供基底结构，基底结构包括层叠设置的基材层和离型层；于离型层背离基材层的表面上制备防护层；通过第一油墨于防护层背离离型层的表面上形成纹理图案，制备纹理层...
    2026-01-19
  • 一种Micro LED封装工艺及显示器件
    一种Micro LED封装工艺及显示器件_西安航空职业技术学院_202511314430.5
    本发明属于LED封装技术领域，具体涉及一种Micro LED封装工艺及显示器件。包括以下步骤：在驱动背板表面涂覆黑色遮光封装材料层；所述驱动背板上设置有焊盘，通过图形化工艺在所述黑色遮光封装材料层上形成暴露所述焊盘的开口；将Micro LE...
    2026-01-19
  • 一种基板的封装方法及基板组件
    一种基板的封装方法及基板组件_广东立洋光电子有限公司_202511161425.5
    本发明公开了一种基板的封装方法及基板组件，本发明涉及封装方法的技术领域，沿着第一板边进行白墙胶的填充，并在白墙胶的固化下进行围坝；定位各个光源的围坝，并基于螺杆式点胶机将预先混合好的荧光粉胶定量地注入到每个由围坝围成的填充空间，以对各个光源...
    2026-01-19
  • 光学组件、半导体光源器件以及光源装置
    光学组件、半导体光源器件以及光源装置_深圳循光科技有限公司_202511853451.4
    本申请涉及一种光学组件、半导体光源器件以及光源装置。所述光学组件包括截断件和光学元件，所述截断件不透光设置，且设有贯通的出光孔。所述光学元件通过模具直接成型于所述截断件上，且封闭所述出光孔，所述光学元件用于调控照射至其上的光线。所述光学组件...
    2026-01-19
  • 光学结构、半导体发光器件以及发光装置
    光学结构、半导体发光器件以及发光装置_深圳循光科技有限公司_202511831458.6
    本申请涉及一种光学结构、半导体发光器件以及发光装置。所述光学结构包括透光件和截断结构，所述透光件包括一体设置的支撑部和出光部，所述支撑部呈中空设置，所述出光部封闭所述支撑部的一端。所述截断结构不透光设置，且具有通孔。所述截断结构的外侧面对应...
    2026-01-19
  • 一种高压微显示芯片结构及制造方法
    一种高压微显示芯片结构及制造方法_昆山麦沄显示技术有限公司_202511493808.2
    本申请公开了一种高压微显示芯片结构及制造方法，属于Micro LED显示领域，旨在解决传统低压芯片需外部驱动、现有高压芯片绝缘复杂、离子注入粗糙、金属线路可靠性低及衬底复用率低的问题；结构含外延结构、第一离子注入阻隔层、第二离子注入阻隔层、...
    2026-01-19
  • 基于钝化层和侧壁金属层的Micro-LED芯片及制备方法
    基于钝化层和侧壁金属层的Micro-LED芯片及制备方法_武汉市精微科技有限公司_202511405154.3
    本发明公开了一种基于钝化层和侧壁金属层的Micro‑LED芯片及制备方法，Micro‑LED芯片，包括设置在衬底上的LED结构和电极结构，以及LED结构表面依次设置的第一钝化层和介质层，介质层的一侧设置有金属层；LED结构依次包括第一半导体...
    2026-01-19
  • 一种光电微结构及其制备方法
    一种光电微结构及其制备方法_福州大学_202511404185.7
    本发明涉及一种光电微结构及其制备方法，所述光电微结构包括衬底、设置于所述衬底上的发光层、设置于所述发光层的光波导层、设置于光波导层的光发射窗口、以及设置于光波导层上的光反射层。其中，发光层发射的光经过光波导层和光反射层的传输，通过纳米尺度的...
    2026-01-19
  • 发光二极管及发光二极管制备方法
    发光二极管及发光二极管制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511168973.0
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构和钝化层；钝化层覆盖外延结构，钝化层远离外延结构的表面具有周期性排布的锥形结构；锥形结构的垂直于外延结构的表面的截面的侧边为曲线，曲线的函数表达式如下：y＝ax2+bx...
    2026-01-19
  • 发光元件和显示装置
    发光元件和显示装置_三星显示有限公司_202510916656.6
    本公开涉及发光元件和显示装置。发光元件包括：第一半导体层，掺杂有N型掺杂剂；第二半导体层，设置在第一半导体层上并且掺杂有P型掺杂剂；有源层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；电极层，设置在第二半导体层上；以及多层绝缘膜，围绕有源层的至少...
    2026-01-19
  • 发光元件、制造发光元件的方法和包括发光元件的电子装置
    发光元件、制造发光元件的方法和包括发光元件的电子装置_三星显示有限公司_202510914658.1
    本公开涉及发光元件、制造发光元件的方法以及包括发光元件的电子装置。提供了发光元件，该发光元件包括：发光堆叠构件，包括第一半导体层、第二半导体层和有源层，第一半导体层包括掺杂有具有第一导电类型的掺杂剂的金属氮化物，第二半导体层包括掺杂有具有与...
    2026-01-19
  • 发光二极管
    发光二极管_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511124293.9
    本公开提供了一种发光二极管。所述发光二极管包括：外延结构、第一电极层、反射层和第二电极层；第一电极层包括多个第一电极和多个第二电极，多个第一电极和多个第二电极均匀间隔分布在外延结构的表面，第一电极与外延结构中的第一半导体层连接，第二电极与外...
    2026-01-19
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_天津三安光电有限公司_202511419226.X
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，在半导体外延叠层的堆叠方向上，与焊盘区域对应的电流扩展层的表面形成有透明导电层，该透明导电层与电流扩展层具有良好的粘附性，在打线过程中对焊盘施加压力时，不会出现界面分离等坑洞现象，能够显著提高发光二极管的...
    2026-01-19
  • 半导体外延结构及其制备方法
    半导体外延结构及其制备方法_海信视像科技股份有限公司_202511242187.0
    本申请的实施例公开了一种半导体外延结构及其制备方法，涉及半导体的技术领域。半导体外延结构包括衬底、缓冲层以及牺牲层。缓冲层层叠设置于衬底的一侧，牺牲层层叠设置于缓冲层远离衬底的一侧。牺牲层远离缓冲层的一侧用于承载发光芯片。其中，缓冲层的热导...
    2026-01-19
  • 一种Micro-LED微显示芯片及其制作工艺
    一种Micro-LED微显示芯片及其制作工艺_苏州芯聚半导体有限公司_202511507523.X
    本发明涉及半导体显示技术领域，公开了一种Micro‑LED微显示芯片及其制作工艺，包括下基板；在所述下基板的顶部设置有键合金属层；在所述键合金属层的顶部设置有金属反射镜；在所述金属反射镜的顶部设置有分布式布拉格反射镜；在所述分布式布拉格反射...
    2026-01-19
  • 改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法
    改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511120713.6
    本公开提供了一种改善刻蚀异常的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层、复合阻挡层和反射镜层，所述反射镜层和所述外延层分别位于所述复合阻挡层的相反两个表面上，所述外延层在所述复合阻挡层的远离所述外延层的表面的正...
    2026-01-19
  • 垂直LED芯片及其制备方法
    垂直LED芯片及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202511852384.4
    本发明公开了一种垂直LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。垂直LED芯片的制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片；S2、依次形成透明导电层、SiO2掩膜层和光刻胶层；S3、将第一预设区域内的SiO2掩膜层、透明导电层去除；S4、去...
    2026-01-19
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