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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法、图像传感器
    半导体结构及其制备方法、图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511834439.9
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、图像传感器，所述制备方法包括：提供衬底；其中，衬底表面形成有深沟槽；相邻的深沟槽在衬底中定义出像素区；在所述深沟槽中填入牺牲材料，并回刻所述牺牲材料，使残留的所述牺牲材料不高于所述衬底表面；对凸出于所...
    2026-01-19
  • 图像传感器及其像素组和像素阵列
    图像传感器及其像素组和像素阵列_三星电子株式会社_202511311975.0
    公开了一种图像传感器及其像素组和像素阵列。该像素组包括：第一至第四单位像素，呈两个像素行和两个像素列的矩阵形式；以及公共浮置扩散区，在半导体衬底中在像素组的中心并由第一至第四单位像素共用。第一至第四单位像素中的每个包括在半导体衬底中的光电转...
    2026-01-19
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202510594936.X
    本公开的实施例提供一种影像感测器，包括光电二极管层、光电二极管层上的彩色滤光层及彩色滤光层上的光学层。光学层包括光分散层、光分散层上方的第一透明层、覆盖第一透明层的顶表面的缓冲层、包括嵌入第一透明层的下部的第一微结构的第一微结构层，及包括至...
    2026-01-19
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510318765.8
    一种图像传感器包括在彼此相交并且平行于衬底的第一表面的第一方向和第二方向上延伸的像素阵列。像素阵列的多个像素区域通过像素隔离膜分离，每个像素区域包括光电二极管。逻辑电路被配置为从像素阵列获取像素信号。像素阵列包括：有效区域，有效像素区域设置...
    2026-01-19
  • 一种单光子探测器及其制备方法
    一种单光子探测器及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511722180.9
    本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，涉及单光子探测技术领域。本发明能够通过在蓝宝石衬底上依次设置不同材料体系的铝镓氮吸收层和碳化硅倍增层，且设置蓝宝石衬底和铝镓氮吸收层一侧为光入射侧，由此，使得入射光先经过铝镓氮吸收层，激发产生载流子，...
    2026-01-19
  • 一种氧化镓基深紫外光人工突触器件及其制备方法
    一种氧化镓基深紫外光人工突触器件及其制备方法_浙江理工大学_202511569624.X
    本发明公开了一种基于氧化镓的深紫外光人工突触器件及其制备方法。所述器件依次包括蓝宝石衬底、氧化镓纳米线薄膜层以及设置于所述纳米线薄膜层上的Ti/Au电极，其中蓝宝石衬底作为纳米线薄膜层的外延生长基底。材料采用等离子体增强化学气相沉积方法生长...
    2026-01-19
  • 一种高带宽的光电二极管结构
    一种高带宽的光电二极管结构_希烽光电科技(南京)有限公司_202511458613.4
    本发明公开了一种高带宽的光电二极管结构，包括SOI晶圆、锗结构、多晶硅层、N型重掺杂区和钝化层结构，在SOI晶圆上采用P型离子注入形成P+区，锗结构在P+区上面外延生长而成；多晶硅层在锗结构上外延而成；将顶部的多晶硅层刻蚀为平顶的盖板结构；...
    2026-01-19
  • 减小小像元串扰的红外焦平面探测器芯片组及制备方法
    减小小像元串扰的红外焦平面探测器芯片组及制备方法_昆明物理研究所_202511416210.3
    本发明公开了一种减小小像元串扰的红外焦平面探测器芯片组及制备方法，芯片组包含焦平面芯片和读出电路，两者通过铟柱互联；在所述焦平面芯片组表面制备微结构图形，在所述微结构图形表面覆盖有超薄钝化层；所述微结构在材质为InAs/InAsSb超晶格吸...
    2026-01-19
  • 二维GaN/Si双波段光电探测器及其制备方法和应用
    二维GaN/Si双波段光电探测器及其制备方法和应用_华南理工大学_202511412593.7
    本申请提出二维GaN/Si双波段光电探测器及其制备方法和应用，二维GaN/Si双波段光电探测器包括Si衬底，硅衬底上的SiO2钝化层、二维GaN层；二维GaN层表面的Ti/Au电极和Si衬底背面的InGa合金电极；二维GaN与Si衬底构成的...
    2026-01-19
  • 一种红外光电探测器及其制备方法
    一种红外光电探测器及其制备方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511354712.8
    本发明提供了一种红外光电探测器及其制备方法，结构包括：锗基层、本征锗锡吸收层、锗层、钝化层、第一电极、第二电极和读出电路；其中：锗基层上设置有锗层；锗层设置有第一吸收区域和第二吸收区域；本征锗锡吸收层设置在第一吸收区域，以使锗基层的上表面与...
    2026-01-19
  • 光伏组件
    光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511869515.X
    本申请涉及光伏领域，提供一种光伏组件，至少可以提高光伏组件的可靠性。光伏组件包括：多个电池串、多个第一汇流条、至少一个跳线以及膜片。相邻两个电池串之间具有第一区或第二区，电池串包括多个沿第一方向排列的电池片；多个第一汇流条分别位于电池串的相...
    2026-01-19
  • 一种防热斑光伏组件
    一种防热斑光伏组件_珠海格力电器股份有限公司_202511412495.3
    本发明提供了一种防热斑光伏组件，涉及光伏光热技术领域，防热斑光伏组件包括：中心基底、PN结层、电池丝网以及电极，所述PN结层设于所述中心基底上，所述电池丝网设于所述PN结层上，所述电极设于所述电池丝网上。本发明的防热斑光伏组件，采用了电池丝...
    2026-01-19
  • 电池串和光伏组件
    电池串和光伏组件_无锡博达新能科技有限公司_202511404298.7
    本申请涉及一种电池串和光伏组件。胶膜连接在透明导电层背离电池本体的一侧，且胶膜覆盖导线。导线能够起到传输和收集电流的作用，太阳能电池的正面和背面无需再印刷栅线，无需使用浆料和印刷工艺，避免浆料中的溶剂对太阳能电池膜层的损伤；也无需经过高温退...
    2026-01-19
  • 无主栅背接触太阳能电池、太阳能叠层电池及光伏组件
    无主栅背接触太阳能电池、太阳能叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511325619.4
    本申请提供无主栅背接触太阳能电池、太阳能叠层电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，无主栅背接触太阳能电池包括第一细栅、边缘焊点以及中间焊点，边缘焊点位于无主栅背接触太阳能电池的边缘处，并且设置于第一细栅上，多个中间焊点沿第一方向排布在相邻的两个...
    2026-01-19
  • 一种层叠太阳能光伏板及其制备方法
    一种层叠太阳能光伏板及其制备方法_南通朱雀新能源技术有限公司_202511243335.0
    本发明公开了一种层叠太阳能光伏板及其制备方法，层叠太阳能光伏板由下至上依次包括背板、底部封装胶膜、叠层串焊电池串、受光面封装胶膜与透明前板，叠层串焊电池串包括多组首尾交叠连接设置的单晶硅电池片，制备方法包括：裁切所需规格的单晶硅电池片，将单...
    2026-01-19
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511186614.8
    本发明公开了一种光伏组件，包括电池片和互联件，电池片包括连接部，连接部与互联件电连接；以互联件的延伸方向为第一方向，连接部包括靠近电池片沿第一方向的两侧边缘的第一连接部、位于两侧第一连接部之间的第二连接部；互联件具有第一区域和第二区域，第一...
    2026-01-19
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511182885.6
    本发明公开了一种光伏组件，包括电池片和互联件，电池片包括连接部，连接部与互联件电连接；互联件具有第一区域和第二区域，第一区域与一连接部电连接，第二区域为非焊接区域，第二区域位于相邻且在同一电池片上的两个第一区域之间；第一区域的表面具有第一纹...
    2026-01-19
  • 基于背接触电池的曲面光伏瓦及其制备方法
    基于背接触电池的曲面光伏瓦及其制备方法_马鞍山凌众新能科技有限公司_202511495358.0
    本发明涉及一种基于背接触电池的曲面光伏瓦及其制备方法，属于光伏建筑一体化技术领域，包括：曲面前硬板和曲面后板；太阳能预制层压件，设于所述曲面前硬板和所述曲面后板之间，所述太阳能预制层压件包括多个光伏电池片，所述光伏电池片为背接触太阳能电池片...
    2026-01-19
  • 光伏电池的封装结构及光伏组件
    光伏电池的封装结构及光伏组件_比亚迪股份有限公司_202511387917.6
    一种光伏电池的封装结构及光伏组件，所述封装结构包括多个层叠设置的封装基层和封装盖板，所述多个层叠设置的封装基层设置于所述光伏电池和封装盖板之间。通过在光伏电池的封装结构中进行多层封装基层的设计，可以有效减少现有技术中相邻界面的反射损失，提升...
    2026-01-19
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202511492006.X
    本申请涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提高太阳能电池的性能。太阳能电池包括：基底，基底表面包括沿第一方向交替排列的第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部和第二掺杂部之间间隔设置以形成间隔区，第一掺杂部中具有P型掺杂元素，第...
    2026-01-19
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