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最新专利技术
  • 一种外延结构及其制备方法和半导体器件
    一种外延结构及其制备方法和半导体器件_北京中博芯半导体科技有限公司_202511168608.X
    本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种外延结构及其制备方法和半导体器件，该外延结构，包括依次堆叠的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、插入层和势垒层；所述缓冲层包括堆叠在一起的至少两个子层；所述子层的铝平均摩尔含量为W平，在沿所述成核层至...
    2026-01-20
  • 一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构
    一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构_中国科学技术大学_202511843371.0
    本发明公开了一种提高刻蚀石墨烯量子点电输运特性的方法及器件结构，属于低温输运测试技术领域。其方法包括以下步骤：制作刻蚀石墨烯量子点器件；降温做初步电输运表征；经数次“样品电极接地保护‑升温至200K以上或室温‑重新降温‑电输运表征”循环处理...
    2026-01-20
  • 一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法
    一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511841892.2
    本发明提供了一种3kV以上非对称高可靠超结碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成第一漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区及N型区；去除阻挡层，外延生...
    2026-01-20
  • 一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法
    一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511841891.8
    本发明提供了一种高可靠分离平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成第一P型阱区、P+阱区、N型源区、低...
    2026-01-20
  • 鳍式场效应晶体管及其形成方法
    鳍式场效应晶体管及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511834640.7
    本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，在外延层内形成第一开口，以形成台阶型外延层；继续刻蚀台阶型外延层，第一开口延伸至衬底内，并在外延层内形成第二开口；在第一开口内形成第一浅沟槽隔离结构，且第一浅沟槽隔离结构的顶表面与第二开口的底壁齐...
    2026-01-20
  • 半导体装置及其的制备方法、电子设备
    半导体装置及其的制备方法、电子设备_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511443112.9
    本发明提供了一种半导体装置及其的制备方法、电子设备，属于半导体领域。该半导体装置的制备方法包括提供一半导体装置；采用干法刻蚀工艺对金属层进行刻蚀；采用湿法刻蚀工艺对金属层进行刻蚀；在所述金属层的表面、第一沟槽和第三沟槽的内壁和底部形成钝化层...
    2026-01-20
  • 沟槽型功率器件及其制备方法
    沟槽型功率器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511418806.7
    本申请涉及一种沟槽型功率器件及其制备方法，包括：提供衬底；衬底内包括沿平行于衬底的第一表面的第一方向交替排列的栅沟槽结构及源沟槽结构；栅沟槽结构包括位于栅沟槽内表面上的栅氧层，以及填充在剩余栅沟槽内的导电材料层；于第一表面上，形成位于导电材...
    2026-01-20
  • 一种氮化镓HEMT器件的制造方法以及氮化镓HEMT器件
    一种氮化镓HEMT器件的制造方法以及氮化镓HEMT器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511344528.5
    本申请提供了一种氮化镓HEMT器件的制造方法，包括以下步骤：提供外延结构；在所述外延结构上制备栅极；在所述栅极及外延结构表面，形成完全结晶态的极化增强钝化层；对全部或局部的所述极化增强钝化层进行表面氧化处理形成改性部，由此在相应区域调控二维...
    2026-01-20
  • 一种柔性薄膜晶体管及其制备方法
    一种柔性薄膜晶体管及其制备方法_南昌大学_202511333131.6
    本发明提供一种柔性薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括：对柔性基板进行预处理，以形成待用基板；通过丝网印刷于待用基板上涂布栅极电极，进行温度为120℃～150℃的第一固化处理；通过丝网印刷于栅极电极上涂布栅极介电层，进行温度为140℃～15...
    2026-01-20
  • 半导体工艺方法及半导体器件
    半导体工艺方法及半导体器件_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511248154.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体工艺方法及半导体器件。其中，方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括衬底和位于衬底上方的叠层结构，叠层结构的外侧壁覆盖有第一电介质层，第一电介质层的外侧表面具有凹陷；沉积步，在第一电介质层的...
    2026-01-20
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_上海超致半导体科技有限公司_202511832321.2
    本发明实施例公开一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括提供衬底；在衬底的一侧形成第一外延层；在第一外延层远离衬底的一侧形成第一沟槽；在第一沟槽的底面和侧壁形成第二外延层；在第二外延层远离第一沟槽的一侧形成第三外延层；在第一外...
    2026-01-20
  • 一种逆导型IGBT器件及其制备方法、电子设备、车辆
    一种逆导型IGBT器件及其制备方法、电子设备、车辆_比亚迪股份有限公司_202511420838.0
    本申请涉及一种逆导型IGBT器件及其制备方法、电子设备、车辆，所述逆导型IGBT器件通过在逆导型IGBT器件的IGBT区和二极管区之间设置过渡区，其中，过渡区的正面结构与二极管区的正面结构一致，过渡区的背面结构与IGBT区的背面结构一致，在...
    2026-01-20
  • 锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511372510.6
    本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请提供的锗硅异质结双极晶体管，包括：衬底；重掺杂硅集电区，形成在衬底上；外延集电区，形成在重掺杂硅集电区上；第一隔离氧化硅层，形成在重掺杂硅集电区上且位于外延集电区的...
    2026-01-20
  • 锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511372504.0
    本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，第二开口(发射区开口)与形成在第一开口内的、作为本征集电区的外延集电区，在竖直方向上是保持对齐的，因此，可以在实现来自单晶发射区注入...
    2026-01-20
  • 肖特基二极管器件及其制备方法
    肖特基二极管器件及其制备方法_珠海零边界集成电路有限公司_202511533427.2
    本申请公开了一种肖特基二极管器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域。肖特基二极管器件包括：N型衬底层，N型缓冲层，第一N型外延层，第一P型区，第二N型外延层，第二P型区，阳极欧姆金属接触层，阳极肖特基金属接触层，阳极金属层，阴极金属层。其...
    2026-01-20
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511331208.6
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；外延层；位于外延层的内部且与外延层掺杂类型相反的第一注入区，第一注入区包括相连的第一部分和第二部分，第二部分沿外延层的厚度方向由第一部分延伸至外延层远离...
    2026-01-20
  • 超高压快恢复二极管的制备方法及其制得的二极管
    超高压快恢复二极管的制备方法及其制得的二极管_蓝芯芯电子科技(深圳)有限公司_202511545343.0
    本发明提供一种超高压快恢复二极管的制备方法及其制得的二极管，涉及半导体器件制造领域。该方法包括：制备第一外延，在第一N型Si衬底表面生长100‑150um的第一N型Si外延层；制备第二外延，在第二N型Si衬底表面依次生长1‑10um的P型S...
    2026-01-20
  • 电容结构及其形成方法
    电容结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511823185.0
    本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成底层介质层；在所述底层介质层内形成底层金属极板；在所述底层金属极板上形成介质叠层；在所述介质叠层上形成顶层介质层；在所述顶层介质层内形成顶层金属极板，所述顶层金属极板具有窄部和宽部，呈上...
    2026-01-20
  • 电容器及其形成方法
    电容器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511494251.4
    一种电容器，包括底部电极、位于底部电极上的电容介电以及顶部电极。电容介电包括界面层和位于界面层上的介电层，界面层包含氧化铪且包含第一元素，介电层包含氧化铪且包含不同于第一元素的第二元素。顶部电极位于介电层上。本发明的电容器实现更佳的电容性能...
    2026-01-20
  • 一种MIM电容制造方法及MIM电容
    一种MIM电容制造方法及MIM电容_芯合电子(上海)有限公司_202511366859.9
    本申请实施例提供了一种MIM电容的制造方法及MIM电容，采用ONO MIM电容结构，并将ONO MIM电容进行并联可以获得两倍容值，本申请既可以实现高集成密度，又可以保留ONO MIM高可靠性，低漏电，高击穿电压的优势。
    2026-01-20
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