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最新专利技术
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510857176.7
    一种半导体存储器装置包括：第一字线，在基底上在与基底的上表面平行的第一方向上延伸；第一半导体图案，包括第一杂质区域、第一沟道区域和第二杂质区域，其中，第一半导体图案与第一字线相交，并且在与基底的上表面平行且与第一方向相交的第二方向上延伸；第...
    2026-01-20
  • 包含存储器垫边缘结构的设备
    包含存储器垫边缘结构的设备_美光科技公司_202510856319.2
    本申请案涉及包含存储器垫边缘结构的设备。本公开的一些实施例提供一种设备，其包括存储器垫，所述存储器垫包含存储器单元部分、邻近于所述存储器单元部分的虚设部分及邻近于所述虚设部分的边缘部分。所述存储器单元部分包含第一电容器结构、耦合到所述第一电...
    2026-01-20
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202510593771.4
    提供了一种半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括彼此间隔开的第一电极和第二电极、在第一电极和第二电极之间的电介质膜结构、在第一电极和电介质膜结构之间的第一界面膜、以及在第二电极和电介质膜结构之间的第二界面膜。电介质膜结构可以包括依次堆叠...
    2026-01-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510464417.1
    本公开提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：材料图案，其在垂直方向上延伸并且掺杂有第一杂质；数据存储结构，其面向材料图案并且与材料图案间隔开；有源图案，其设置在材料图案与数据存储结构之间，其中，有源图案在垂直方向上堆叠并且彼此间隔开，并且...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510216826.X
    一种半导体装置可以包括：半导体图案，在第一方向上延伸；多层绝缘结构，在半导体图案上；以及接触件，穿透多层绝缘结构。多层绝缘结构可以包括第一绝缘层和在第一绝缘层上的第二绝缘层。接触件可以包括阻挡图案和在阻挡图案上的导电图案。阻挡图案可以接触第...
    2026-01-20
  • 存储器装置
    存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510207812.1
    本公开涉及一种存储器装置。所述存储器装置包括：导电图案和第一层间绝缘层，所述导电图案和所述第一层间绝缘层在第一方向上彼此交替地层叠；虚设图案，所述虚设图案在所述第一方向上与所述导电图案分离；第二层间绝缘层，所述第二层间绝缘层位于所述导电图案...
    2026-01-20
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510152499.6
    一种半导体器件包括：基板；位线，在基板上沿平行于基板的上表面的第一方向延伸；在位线上的第一半导体图案和第二半导体图案，第一半导体图案和第二半导体图案中的每个沿垂直于基板的上表面的第二方向延伸，并且第一半导体图案和第二半导体图案沿第一方向彼此...
    2026-01-20
  • 具有垂直通道晶体管的半导体元件及其制备方法
    具有垂直通道晶体管的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510078689.8
    本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一位元线，沿一第一方向延伸；一第一字元线，沿一第二方向延伸并设置在该位元线上方；以及一第二字元线，沿该第二方向延伸并设置在该位元线上方。该半导体元件还包括与该第一字元线和该第二字元线重叠...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411539621.7
    本发明的实施例提供半导体结构，半导体结构包括设置在基板上的金属层、设置在金属层上的第一介电层、设置在第一介电层上的第二介电层、设置于金属层上且位于第一介电层的金属层及第二介电层中的多个电容器、及设置于金属层上且位于第一介电层、第二介电层及第...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411285520.1
    本发明提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底、字线、位线导电层、检测元件及开口。衬底包括多个主动区及围绕多个主动区的隔离区。字线设置在衬底中且设置在多个主动区中。位线导电层设置在字线上。检测元件设置在隔离区中。开口贯穿位线导电...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410951325.1
    本发明公开一种半导体结构及其制造方法。所述半导体结构包括基底、第一介电层、存储节点接点、第一虚设接点以及第二虚设接点。所述基底具有存储元件区以及周边区。所述第一介电层设置于所述基底上。所述存储节点接点设置于所述存储元件区中的所述第一介电层中...
    2026-01-20
  • 半导体结构及其制造方法、存储系统
    半导体结构及其制造方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410902295.5
    本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括电容介质层、第一电极层和分隔结构。第一电极层位于电容介质层的一侧。分隔结构位于相邻第一电极层之间。第一电极层具有曲面。该曲面部分沿第一方向延伸，部分沿第二方向延伸。第一方向和...
    2026-01-20
  • 一种存储阵列、存储器及电子设备
    一种存储阵列、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410877963.3
    本申请提供了一种存储阵列、存储器及电子设备，存储阵列包括多个存储单元、多条位线、多条板线以及多条字线。存储单元包括电容和晶体管，晶体管的控制极、第一极和第二极，以及电容的第一电极和第二电极均沿水平方向设置。字线沿水平方向延伸且与在水平方向上...
    2026-01-20
  • 印刷电路板贴片方法、设备、存储介质及程序产品
    印刷电路板贴片方法、设备、存储介质及程序产品_四川景诺电子有限公司_202511852575.0
    本申请提供一种印刷电路板贴片方法、设备、存储介质及程序产品。该方法包括：获取对至少两个不同待作业面执行贴片作业的贴片资源占用数据，基于贴片资源占用数据确定至少一台贴片机上不同作业装置的第一工作任务分配信息；在贴片机执行贴片作业的过程中，根据...
    2026-01-20
  • 一种吸嘴贴装到位检测装置
    一种吸嘴贴装到位检测装置_深圳市路远智能装备有限公司_202511474689.6
    本发明公开了一种吸嘴贴装到位检测装置，属于电子元件贴装技术领域，包括安装在贴装设备上吸嘴杆下端的下挡板，所述下挡板的下表面安装有吸嘴和电感式接触传感器，所述电感式接触传感器位于吸嘴的一侧，所述吸嘴的下端套接有遮光板，所述遮光板通过弹性机构与...
    2026-01-20
  • 一种基于SMT贴片视觉纠偏方法
    一种基于SMT贴片视觉纠偏方法_苏州信申电子有限公司_202511388683.7
    本发明涉及表面贴装技术领域，且公开了一种基于SMT贴片视觉纠偏方法，包括如下步骤：S1, 标定阶段：基于PCB板材平面构建双坐标系映射模型，并根据贴片厚度建立非线性畸变补偿矩阵；S2, 拾取阶段：吸嘴顶部设置CCD拍摄摄像头，通过吸嘴拾取元...
    2026-01-20
  • 贴片机的管控方法、装置、电子设备及可读存储介质
    贴片机的管控方法、装置、电子设备及可读存储介质_河南富驰科技有限公司_202410868910.5
    本申请提供一种贴片机的管控方法、装置、电子设备及可读存储介质。所述贴片机的管控方法包括：获取贴片机的生产信息；获取供料器的生产编号，并根据所述生产编号获取所述供料器的状态信息，所述供料器用于提供物料至所述贴片机；根据所述供料器的状态信息及所...
    2026-01-20
  • 一种压合装置及生产线
    一种压合装置及生产线_格力电器(武汉)有限公司_202511710056.0
    本发明公开了一种压合装置及生产线，压合装置包括驱动组件和执行组件，执行组件与驱动组件的输出端连接；执行组件包括压合单元和缓冲单元，缓冲单元连接于压合单元内部。本发明通过驱动组件提供自动化的下压力，替代了传统人工压合，从而大幅提高生产效率并保...
    2026-01-20
  • 物料器自动更换方法及物料器自动更换设备
    物料器自动更换方法及物料器自动更换设备_立芯精密智造(昆山)有限公司_202511472278.3
    本发明涉及表面组装技术领域，公开一种物料器自动更换方法及物料器自动更换设备。物料器自动更换方法包括：获取物料器更换指令；控制物料器自动更换设备运行至电子料架所在的位置；扫描电子料架上的储位码信息，取出电子料架中的满料物料器并放入储料机构中；...
    2026-01-20
  • 表面安装技术引脚通孔适配器
    表面安装技术引脚通孔适配器_株式会社村田制作所_202510909599.9
    一种电子模块包括：基板，包括初级导电图案和次级导电图案；磁芯，位于基板上或上方；初级绕组，包括第一部分，该第一部分围绕磁芯的至少一部分延伸并且连接到初级导电图案；次级绕组，包括第二部分，该第二部分围绕磁芯的至少一部分延伸并且连接到次级导电图...
    2026-01-20
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