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最新专利技术
  • 存储器装置上的可选修整设置
    存储器装置上的可选修整设置_美光科技公司_202511598724.5
    本发明涉及与存储器装置上的可选修整设置相关的设备及方法。实例设备可存储数个修整设置组且基于存储器单元阵列的所要操作特性来选择所述数个修整设置组中的特定修整设置组。
    2026-02-16
  • 一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置
    一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置_深圳市惠存半导体有限公司_202511558373.5
    本发明公开了一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置，属于计算机数据存储技术领域，其包括获取待写入数据和设备工作负载参数，生成动态地址序列并结合存储器历史写操作数据计算倒序编程顺序，生成自适应倒序地址序列；获取实时电源状态信息，并基...
    2026-02-16
  • NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法
    NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511247694.3
    本发明公开了一种NORD闪存耐久性拖尾位的筛选方法，包括：步骤一、对选定位进行编程擦除循环操作。各编程操作中，非选定位的第一编程电压根据循环次数进行设置，第一编程电压为初始编程电压加上第一偏移电压，第一偏移电压用以补偿所述非选定位的第一阈值...
    2026-02-16
  • 存储器装置和执行存储器装置的编程操作的方法
    存储器装置和执行存储器装置的编程操作的方法_爱思开海力士有限公司_202510909271.7
    本公开涉及一种存储器装置和执行存储器装置的编程操作的方法。存储器装置包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列包括联接到选择的字线的多个存储器单元。外围电路执行包括多个编程循环的编程操作，编程循环包括编程脉冲施加操作和验证操作，...
    2026-02-16
  • 存储器的操作方法、存储器以及存储系统
    存储器的操作方法、存储器以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410881902.4
    本申请公开了一种存储器的操作方法、存储器以及存储系统，属于存储技术领域。该方法通过在对待擦除的存储块执行预编程操作的过程中，若接收到用于暂停预编程操作的暂停命令，在预编程操作还没有执行一定时长的情况下，不立即暂停预编程操作，而是当预编程操作...
    2026-02-16
  • 存储器的操作方法、存储器以及存储系统
    存储器的操作方法、存储器以及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410881763.5
    本申请公开了一种存储器的操作方法、存储器以及存储系统，属于存储技术领域。该方法通过在恢复存储块擦除操作的过程中，若擦除操作处于擦除脉冲阶段，响应于擦除操作在擦除脉冲阶段被暂停的次数大于或等于阈值，提前释放存储块连接的特定字线的电压，使得特定...
    2026-02-16
  • 用于eFuse读模块的参考单元及其参考电阻设置方法
    用于eFuse读模块的参考单元及其参考电阻设置方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511396896.4
    本发明涉及一种用于eFuse读模块的参考单元及其参考电阻设置方法，针对采用AA熔丝的efuse，由于AA熔丝利用扩散层及其金属硅化物层作为熔丝介质，和其他材质熔丝不同，AA熔丝在efuse编程过程中以电迁移为主，其熔断前和熔断后电阻值都具有...
    2026-02-16
  • 存储器装置和存储器装置的信息数据读取方法
    存储器装置和存储器装置的信息数据读取方法_三星电子株式会社_202510766237.9
    公开了存储器装置和存储器装置的信息数据读取方法，所述存储器装置包括：第一位线，连接到第一单元串；第二位线，连接到第二单元串并且与第一位线邻近；以及位线预充电控制器，被配置为在信息数据读取操作期间控制第一位线和第二位线的电压电平，以读取存储在...
    2026-02-16
  • 只读存储器阵列及其只读存储器
    只读存储器阵列及其只读存储器_亿而得微电子股份有限公司_202411031360.8
    本发明公开了一种只读存储器阵列及其只读存储器，涉及存储器领域，只读存储器阵列包括多条共源线、多条字符位元线与多个子存储器阵列，共源线垂直交会字符位元线。共源线包括第一共源线与第二共源线，字符位元线包括第一字符位元线与第二字符位元线。每一子存...
    2026-02-16
  • 存储器装置及其读取电压的设定方法
    存储器装置及其读取电压的设定方法_旺宏电子股份有限公司_202410963331.9
    本发明提供一种存储器装置及其读取电压的设定方法。存储器装置例如为三维与非式闪存，且提供高性能以及高容量的储存媒介。读取电压的设定方法包括：根据多个第一读取电压区间对多个存储单元执行读取验证操作，并获得多个第一通过存储单元数量；偏移各第一读取...
    2026-02-16
  • 用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术
    用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术_美光科技公司_202511480021.2
    本申请案涉及用于并发地存取多个存储器单元的系统及技术。存储器图块可包含使用行解码器及列解码器可寻址的多个自选存储器单元。存储器控制器可使用对所述存储器图块的第一自选存储器单元具有第一极性的第一脉冲来存取所述第一自选存储器单元。所述存储器控制...
    2026-02-16
  • 存储器装置及执行存储器装置的编程操作的方法
    存储器装置及执行存储器装置的编程操作的方法_爱思开海力士有限公司_202510915435.7
    本公开的实施例涉及一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；外围电路，执行包括多个编程循环的编程操作，每个编程循环包括编程脉冲施加操作和验证操作；以及控制逻辑电路，控制外围电路，以便在多个编程循环期间，向具有相同目标阈值电压...
    2026-02-16
  • 存储器装置
    存储器装置_三星电子株式会社_202510913394.8
    一种示例存储器装置包括：基底；以及第一单元串和第二单元串，在基底上，并且在第一位线与共源极线之间。第一单元串包括连接到第一串选择线的第一串选择晶体管以及分别连接到第一地选择线和第二地选择线的第一地选择晶体管和第三地选择晶体管。第二单元串包括...
    2026-02-16
  • 具有多阶温度计编码的运算系统及运算方法
    具有多阶温度计编码的运算系统及运算方法_旺宏电子股份有限公司_202510624246.4
    本发明提供一种具有多阶温度计编码的运算系统及运算方法。运算系统包含存储器和搜索编码器。存储器包含：多个存储器串，每个存储器串耦接至匹配线及源极线，匹配线耦接至感测放大器，且每个存储器串包含多个串联装置，每个串联装置具有并响应于配置状态及对应...
    2026-02-16
  • 存储器装置以及用于存储器装置的操作方法
    存储器装置以及用于存储器装置的操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410906106.1
    本公开提供一种存储器装置以及用于存储器装置的操作方法。存储器装置是具备高性能、大容量的三维NAND快闪存储器区块。存储器装置包括共享源极线、至少一位线以及至少一存储串。在擦除操作的期间，擦除电压被施加到共享源极线以及所述至少一位线的至少其中...
    2026-02-16
  • 存储器装置及执行编程操作的方法
    存储器装置及执行编程操作的方法_爱思开海力士有限公司_202510908396.8
    本公开涉及存储器装置及执行编程操作的方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括联接至字线的多个存储器单元。该存储器装置还包括外围电路，该外围电路执行包括多个编程循环的编程操作，所述多个编程循环包括编程脉冲施加操作和验证操作...
    2026-02-16
  • 具有分离的传输晶体管的存储器件
    具有分离的传输晶体管的存储器件_三星电子株式会社_202510857290.X
    一种存储器件包括：存储块，包括联接在第一P型基板和多条位线之间的多个单元串；第一传输晶体管电路，包括配置为驱动所述多条栅极线当中的第一栅极线的多个第一传输晶体管；以及第二传输晶体管电路，包括配置为驱动所述多条栅极线当中的第二栅极线的第二传输...
    2026-02-16
  • 非易失性半导体存储装置
    非易失性半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510090783.5
    本发明提供一种非易失性半导体存储装置，所述非易失性半导体存储装置能以低成本进行高积层化。根据实施方式，非易失性半导体存储装置包含：多个第1布线层，互相分开积层；存储器柱，通过多个第1布线层；局部位线，连接在存储器柱；位线；多个第2布线层，互...
    2026-02-16
  • 一种RRAM光计算阵列读取电路及读取方法
    一种RRAM光计算阵列读取电路及读取方法_暨南大学_202410871324.6
    一种RRAM光计算阵列读取电路及读取方法，电路包括：RRAM光计算阵列，RRAM光计算阵列中的每个单元的源线均用于输入脉冲信号进行施加电压偏置；脉冲信号产生单元用于产生字线控制信号和RRAM光计算阵列单元偏置电压；模拟多路复用控制单元用于对...
    2026-02-16
  • 执行读取操作的系统和方法
    执行读取操作的系统和方法_长江存储科技有限责任公司_202511526222.1
    本公开提供了一种存储器装置，其包括具有存储单元的存储阵列、通过位线耦合到存储阵列的页缓冲器。页缓冲器包括锁存器和控制逻辑单元，该控制逻辑单元耦合到页缓冲器并且被配置为：对存储单元执行第一读取操作；基于第一读取操作来从存储单元中选择第一状态下...
    2026-02-16
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