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最新专利技术
  • 调色剂、调色剂组、图像转印片材、调色剂收纳单元
    调色剂、调色剂组、图像转印片材、调色剂收纳单元_株式会社理光_202510885018.2
    本发明涉及调色剂、调色剂组、图像转印片材、调色剂收纳单元、图像形成装置及图像形成方法。本发明提供对由布等具有可挠性的纤维构成的介质的定影性优异、且具有充分的可挠性的调色剂。本发明的调色剂的玻化温度(Tg1)小于0℃，在调色剂粒子的截面SEM...
    2026-03-25
  • 一种光刻板、套刻误差测量方法及介质
    一种光刻板、套刻误差测量方法及介质_张江国家实验室_202410895462.8
    本申请涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种光刻板、套刻误差测量方法及介质，用以提高套刻误差测量的准确性；光刻板包括第一光栅标记组和第二光栅标记组，其中第一光栅标记组用于套刻误差的测量，第二光栅标记组用于进行包括光刻板在内的套刻误差测量系统自身...
    2026-03-25
  • 基片处理方法、基片处理装置、基片处理系统和程序产品
    基片处理方法、基片处理装置、基片处理系统和程序产品_东京毅力科创株式会社_202510890165.9
    本发明提供一种有效地抑制通过光刻而形成的图案的偏差的基片处理方法、基片处理装置、基片处理系统和程序产品。基片处理方法包括：对基片的表面进行感光性覆膜的成膜处理的步骤；将成膜处理完毕的基片收纳于第一腔室，在第一腔室内对感光性覆膜进行曝光处理的...
    2026-03-25
  • 一种边缘曝光装置及曝光方法
    一种边缘曝光装置及曝光方法_苏州汇影光学技术有限公司_202511853234.5
    本发明公开了一种边缘曝光装置及曝光方法，属于边缘曝光技术领域，包括上料组件，所述上料组件的内侧设置有上料机构，所述上料组件的侧位设置有周转架，所述周转架顶部的两侧均连接有曝光架，两个曝光架之间连接有两个第一直线模组，两个第一直线模组的两个滑...
    2026-03-25
  • 抑制掩模三维效应的光刻装置制备方法和光刻装置
    抑制掩模三维效应的光刻装置制备方法和光刻装置_中国科学院大学_202511752055.2
    本申请提供了一种抑制掩模三维效应的光刻装置制备方法，可以应用于集成电路制造和光刻技术领域。该抑制掩模三维效应的光刻装置制备方法包括：基于预设的构型参数，构建多个候选金属‑介质多层膜结构，不同的候选金属‑介质多层膜结构中金属层材料不同；获取多...
    2026-03-25
  • 曝光灯组安放装置
    曝光灯组安放装置_江苏载曜光电科技有限公司_202511727625.2
    本发明公开了曝光灯组安放装置，属于曝光设备领域。包括承载台和支撑组件，承载台包括连接板和分区架，连接板上贯穿设置有多个通孔，分区架固定于连接板的顶部，分区架的内腔形成若干容置区，支撑组件至少包括支脚和衔接件，支脚用于支撑承载台并使其悬浮于工...
    2026-03-25
  • 通过曝光有源区监控掩模版工件台运动状态的方法
    通过曝光有源区监控掩模版工件台运动状态的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511695374.4
    本申请提供一种通过曝光有源区监控掩模版工件台运动状态的方法，包括：步骤一，提供晶圆，对晶圆进行有源区曝光，针对该曝光的焦距能量矩阵测试的中心能量/焦距为相应工艺平台下对有源区不进行任何套准误差补偿的最佳能量/焦距；步骤二，根据焦距能量矩阵测...
    2026-03-25
  • 光刻机的阶梯温度模糊控制方法及控制装置
    光刻机的阶梯温度模糊控制方法及控制装置_深圳市国仪兴科技有限公司_202511625112.0
    本发明公开了光刻机的阶梯温度模糊控制方法及控制装置，涉及温度控制相关技术领域，方法包括：在光刻机的温度执行单元设置初始阶梯温度模糊控制策略并通过阶梯模糊控制器执行；实时采集干扰信号，提取干扰特征向量；检测当前执行阶梯温度模糊控制策略并对干扰...
    2026-03-25
  • 一种金属掩膜版激光光绘机
    一种金属掩膜版激光光绘机_山东奥莱电子科技有限公司_202511533174.9
    本发明公开了一种金属掩膜版激光光绘机，属于光绘机技术领域，其特征在于：包括机架、激光发射机构、工件定位机构、上片机构和下片机构；所述工件定位机构包括第一真空吸附辊，第一真空吸附辊的两侧的辊轴分别与机架转动配合，真空吸附辊一侧的辊轴通过管道与...
    2026-03-25
  • 一种高精度电路板线路曝光定位校准设备
    一种高精度电路板线路曝光定位校准设备_湖南维胜科技有限公司_202511383039.0
    本发明公开了一种高精度电路板线路曝光定位校准设备，涉及电路板线路曝光技术领域，包括架体和曝光模块，所述架体的顶部一侧设置有顶架，且顶架的内部安装有用于辅助光学校准的校准组件，所述校准组件包括滑座、伺服电机二、丝杆一、螺纹块、丝杆二和伺服电机...
    2026-03-25
  • 监控结构、芯片、监控方法及光刻工艺控制系统
    监控结构、芯片、监控方法及光刻工艺控制系统_芯联集成电路制造股份有限公司_202511362916.6
    本发明提供一种监控结构、芯片、监控方法及光刻工艺控制系统，通过在芯片划片道设置多个监控垫，通过多个所述监控垫分别模拟用以形成所述目标器件的不同光刻工艺层的打开和关闭状态，从而模拟所述目标器件终端结构的台阶差；所述监控垫的开口尺寸与相应所述光...
    2026-03-25
  • 一种共轴双台面LDI曝光机及其工作方法
    一种共轴双台面LDI曝光机及其工作方法_优盛科技(苏州)有限公司_202511356373.7
    本申请公开了一种共轴双台面LDI曝光机及其工作方法，该曝光机的底座上沿Y轴设置第一直线导轨，第一直线导轨能在第一直线电机的驱动下带动相对设置在其两端的A载台和B载台沿第一直线导轨前后独立滑移，A载台和B载台的下方分别设有三自由度微动平台，三...
    2026-03-25
  • 光阑装置及光刻设备
    光阑装置及光刻设备_智慧星空(上海)工程技术有限公司_202511351946.7
    本申请公开了一种光阑装置及光刻设备，属于光学仪器技术领域，本申请提供的光阑装置包括支撑结构；至少两个光阑盘同轴设置，至少两个光阑盘均绕同一中心轴线转动支撑于支撑结构上，每个光阑盘上均开设有多个沿中心轴线的延伸方向贯穿的透光孔；其中任意相邻的...
    2026-03-25
  • 基于肟酯类光引发剂的光刻图案实时检测方法
    基于肟酯类光引发剂的光刻图案实时检测方法_深圳市容大感光科技股份有限公司_202511201568.4
    本发明涉及光刻技术领域，提供了利用光引发剂光激活发光的特性而实现显影前光刻图案质量实时检测方法。光引发剂咔唑基肟酯是一种具有光激活发光特性的光引发剂。初始状态下，引发剂不具备发光性；在紫外光照射下，分子发生断裂生成自由基，进而触发发光，并将...
    2026-03-25
  • 一种匀胶处理腔
    一种匀胶处理腔_宁波润华全芯微电子设备有限公司_202511486156.X
    本发明申请涉及一种匀胶处理腔，属于半导体制造及微纳加工技术领域，匀胶处理腔包括：旋转载台，用于承载并旋转基板；下壳体，设于所述旋转载台的周侧；以及底板，设于所述旋转载台的下方；其中，所述基板的背面、所述旋转载台、所述下壳体以及所述底板共同界...
    2026-03-25
  • 一种适用于小管径的光纤布设装置
    一种适用于小管径的光纤布设装置_中建安装集团有限公司_202511132300.X
    本发明提供一种适用于小管径的光纤布设装置，涉及光纤布设技术领域，包括：布设架，用于固定光纤盘；布设小车；所述布设小车包括车架，所述车架上设置有：若干滑轮、光纤固定件、按压粘贴组件以及位于按压粘贴组件正后方的点胶组件。本发明具有光纤布设效率高...
    2026-03-25
  • 一种复合光刻工艺
    一种复合光刻工艺_上海新微技术研发中心有限公司_202410893047.9
    本发明提供一种复合光刻工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1.提供一基底，所述基底表面具有凹形结构；S2.在所述凹形结构内填充第一底部抗反射涂层，并进行平坦化处理；S3.在填充完所述第一底部抗反射涂层后，接着涂覆第二底部抗反射涂层；S4.在所...
    2026-03-25
  • 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510908403.4
    本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中，溶剂溶解性良好，分辨性、LER、图案形状等光刻性能优良，同时在微细图案形成中会抗图案崩塌，蚀刻耐性亦优良的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用...
    2026-03-25
  • 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法
    化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510907076.0
    本发明涉及化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法。本发明的课题是提供含有可产生扩散小的酸的鎓盐的化学增幅正型抗蚀剂组成物、及使用该抗蚀剂组成物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段是一种化学增幅正型抗蚀剂组成物，包含(A)光酸产生剂及...
    2026-03-25
  • 一种高强度感光性阻焊干膜及其制备方法
    一种高强度感光性阻焊干膜及其制备方法_广东拓谱电子科技有限公司_202511402743.6
    本发明涉及一种高强度感光性阻焊干膜及其制备方法，高强度感光性阻焊干膜的成分包括丙烯酸树脂、活性单体、改性二氧化钛、环氧树脂、光引发剂、助剂、溶剂；其中，所述改性二氧化钛为羟基化二氧化钛先与异佛尔酮二异氰酸酯反应，然后和2‑乙烯基苯酚反应，最...
    2026-03-25
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