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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511445222.9
    本发明公开了半导体器件，包括衬底，沟道层，多个栅极以及多个金属氧化物层。衬底包括多个浅沟槽隔离和多个有源区，浅沟槽隔离包括第一浅沟槽隔离和第二浅沟槽隔离。栅极分别设置在浅沟槽隔离上，分别包括由下往上依次堆叠的栅极层与绝缘盖层。金属氧化物层分...
    2026-01-19
  • 一种可调行程推料装置
    一种可调行程推料装置_东莞市芯龙科半导体设备有限公司_202511373016.1
    本申请公开了一种可调行程推料装置，属于半导体推料领域，其包括工作台和设于所述工作台上的驱动机构和推料机构，所述推料机构包括用于推动产品的推杆以及支撑所述推杆的支撑组件，所述支撑组件设于所述驱动机构的输出端，所述驱动机构驱动所述推杆移动，所述...
    2026-01-19
  • 一种半导体打标测试一体机
    一种半导体打标测试一体机_深圳市昌富祥智能科技有限公司_202511669820.4
    本发明涉及半导体测试技术领域，公开了一种半导体打标测试一体机，包括测试机架、光学测试仪、测试台，还包括：固定盘，设置于所述测试台内壁中；本发明中，第一气缸伸缩端带动调节台从测试台内进行顶升，调节台通过在直线导轨中向上滑动，直到测试台内壁顶部...
    2026-01-19
  • 一种具有肖特基-欧姆混合阳极的耿氏二极管及制备方法
    一种具有肖特基-欧姆混合阳极的耿氏二极管及制备方法_西北工业大学_202511425782.8
    本发明提出了一种具有肖特基‑欧姆混合阳极的耿氏二极管及制备方法，该耿氏二极管包括从下自上依次设置的衬底、缓冲层、通道层和势垒层；缓冲层顶端的两侧上分别设置有阳极和阴极；靠近阳极的势垒层的一侧顶端设置有肖特基阳极；势垒层上开设有多个尺寸和间隔...
    2026-01-19
  • 一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法
    一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法_大连理工大学_202511806836.5
    本发明提供一种阵列型硫属化物相变材料电控结构、制备方法及其结晶状态同步电控方法，属于微纳制造技术和硫属化物相变调控领域。电控结构包括衬底，衬底上的绝热层、加热板结构、正面电极结构、绝缘层、硫属化物相变材料层，衬底下的背面电极结构；背面电极结...
    2026-01-19
  • 基于阈值转变选通材料的无线通信射频开关及其制备方法
    基于阈值转变选通材料的无线通信射频开关及其制备方法_深圳大学_202511536546.3
    本发明涉及通信领域，公开了基于阈值转变选通材料的无线通信射频开关及其制备方法，射频开关包括：基底；两对比电极，相对设置在基底上；第一射频电极与第二射频电极，第一射频电极与第二射频电极设置在基底上；阈值转变开关层，被夹持于第一射频电极与第二射...
    2026-01-19
  • 阈值转变器件及其制作方法、电子设备
    阈值转变器件及其制作方法、电子设备_燕芯微电子(上海)有限公司_202511416865.0
    本申请涉及一种阈值转变器件及其制作方法、电子设备，阈值转变器件在阈值转变功能层与其相邻的膜层之间增设氧阻挡层，一方面，氧阻挡层阻挡阈值转变功能层中的氧成分向外部扩散，维持阈值转变功能层的氧含量稳定，避免因氧空位增加导致的电导率波动或阈值电压...
    2026-01-19
  • 无源选通器件及其制备方法、电子器件
    无源选通器件及其制备方法、电子器件_燕芯微电子(上海)有限公司_202511411840.1
    本申请涉及一种无源选通器件及其制备方法、电子器件，涉及集成电路领域。无源选通器件包括依次层叠的底电极、功能层、第一界面层和顶电极；顶电极的厚度大于底电极的厚度；第一界面层的热导率在0.01W/cm·K‑15W/cm·K之间。第一界面层调节热...
    2026-01-19
  • 基于非晶氧化镓薄膜的模拟型忆阻器及制备方法和应用
    基于非晶氧化镓薄膜的模拟型忆阻器及制备方法和应用_陕西科技大学_202511382736.4
    本发明公开了基于非晶氧化镓薄膜的模拟型忆阻器及制备方法和应用，属于非易失性存储器件领域。方法包括：在高度平整的绝缘衬底上沉积底层导电薄膜，作为模拟型忆阻器的底电极；在底电极上，采用物理气相沉积方法，沉积不同氧浓度梯度的氧化镓薄膜，作为模拟型...
    2026-01-19
  • 霍尔元件封装方法
    霍尔元件封装方法_苏州卓驰智能制造有限公司_202510271829.3
    本发明公开一种霍尔元件封装方法，霍尔元件的包胶层内嵌入有至少一个具有内螺纹的套筒，从而形成内壁具有螺纹的安装孔，将至少一个内螺纹销套的一端安装于第二侧板的内侧表面上并使得其另一端伸出第二侧板的内侧表面，将至少一个与内螺纹销套对应设置的支撑螺...
    2026-01-19
  • 自旋轨道矩磁性随机存储单元及其制备方法
    自旋轨道矩磁性随机存储单元及其制备方法_中电海康集团有限公司_202410820107.4
    本发明提供一种自旋轨道矩磁性随机存储单元及其制备方法，自旋轨道矩磁性随机存储单元包括自下而上依次堆叠的衬底、自旋轨道矩提供层、磁隧道结和顶部电极；顶部电极包括第一子电极和第二子电极，第一子电极和第二子电极沿第一方向排布，第一子电极中朝向第二...
    2026-01-19
  • 热电材料、制备方法及微型发电器
    热电材料、制备方法及微型发电器_云南电网有限责任公司德宏供电局_202511202005.7
    本发明涉及一种热电材料、制备方法及微型发电器，所述热电材料包括：在Bi2Te3中掺杂Sb以制备得到Bi0.4Sb1.6Te3，之后研磨以获得Bi0.4Sb41.6Te3粉末；在Bi2Te3中掺杂Se以制备得到Bi2Te2.7Se0.3，之后...
    2026-01-19
  • 一种钙钛矿膜层及其制备方法和应用
    一种钙钛矿膜层及其制备方法和应用_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511392108.4
    本发明提供一种钙钛矿膜层及其制备方法和应用。该钙钛矿膜层包括钙钛矿相，以及环绕钙钛矿相的无机相；钙钛矿相与无机相的分界界面处，钙钛矿相的边缘轮廓呈连续的凸起状。本发明利用钙钛矿相与无机相的分界界面处形成的连续凸起状的钙钛矿相，从而影响边缘钙...
    2026-01-19
  • 钙钛矿层、钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿层的制备方法、太阳能电池及光伏组件
    钙钛矿层、钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿层的制备方法、太阳能电池及光伏组件_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511364267.3
    本申请涉及钙钛矿材料技术领域，尤其涉及一种钙钛矿层、钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿层的制备方法、太阳能电池及光伏组件。该钙钛矿层，包含钙钛矿材料以及如式(1)所示的添加剂。其中，式(1)中的R1为羟甲基膦酸基，至少一个R2为F，且其余R2为H。本...
    2026-01-19
  • 一种利用局域高温场提升钙钛矿薄膜质量的制备方法
    一种利用局域高温场提升钙钛矿薄膜质量的制备方法_云南师范大学_202511519226.7
    本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，具体涉及一种利用局域高温场提升钙钛矿薄膜质量的制备方法，包括：步骤1、在电子传输层上形成钙钛矿前驱体薄膜；步骤2、在前驱体薄膜处于中间相或未完全结晶状态时，将其置于具有微结构阵列的加热板下方，微结构阵列的凸...
    2026-01-19
  • 钙钛矿单晶异质集成片的制备方法
    钙钛矿单晶异质集成片的制备方法_中国科学院微电子研究所_202511166227.8
    本发明涉及半导体材料异质集成技术领域，公开了一种钙钛矿单晶异质集成片的制备方法。所述方法包括：在基底和钙钛矿单晶之间引入液相介质，先进行静置处理，再进行退火处理，得到所述钙钛矿单晶异质集成片；其中，所述液相介质中含有能在所述退火处理过程中结...
    2026-01-19
  • 一种钙钛矿太阳能电池及提升其热管理的方法
    一种钙钛矿太阳能电池及提升其热管理的方法_成都理工大学_202511353143.5
    本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种钙钛矿太阳能电池及提升其热管理的方法，本发明在钙钛矿太阳能电池的有机空穴传输层小分子自组装材料中掺杂高热导率p型无机尖晶石矿物材料CuBi2O4，形成有机无机混合空穴传输层，通过调控其与小分子自组装材...
    2026-01-19
  • 一种钙钛矿薄膜的刻蚀方法
    一种钙钛矿薄膜的刻蚀方法_广东明阳薄膜科技有限公司_202511280728.9
    本发明公开了一种钙钛矿薄膜的刻蚀方法，包括如下步骤：在衬底/基底上沉积钙钛矿薄膜，对钙钛矿薄膜进行反应离子束刻蚀；所述反应离子束刻蚀所选用的工艺气体为包括四氟甲烷、氧气和氩气的混合气氛。本发明采用钙钛矿刻蚀中不常见的反应离子刻蚀(RIE)工...
    2026-01-19
  • 一种基于立体固体添加剂的有机太阳能电池及其制备方法
    一种基于立体固体添加剂的有机太阳能电池及其制备方法_成都理工大学_202511364161.3
    本发明公开了一种基于立体固体添加剂的有机太阳能电池活性层及其制备方法，属于有机光伏器件及其薄膜太阳能电池领域。在有机光伏器件的活性层中，通过掺杂少量1, 3, 5‑三苯基苯(TBB)和1, 3, 5‑三(2‑噻吩基)苯(TTB)添加剂，增强...
    2026-01-19
  • 一种基于界面修饰的量子点发光二极管的制备方法、应用
    一种基于界面修饰的量子点发光二极管的制备方法、应用_天津大学_202511432205.1
    本发明提供了一种基于界面修饰的量子点发光二极管的制备方法、应用，属于量子点材料技术领域。所述制备方法包括：(1)将PEDOT : PSS‑4083旋涂至ITO上，获得空穴注入层；(2)将聚乙烯基咔唑旋涂至步骤(1)所述的空穴注入层上，获得空...
    2026-01-19
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