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最新专利技术
  • 适用于隧道及海边照明的LED光源及其抗硫化支架
    适用于隧道及海边照明的LED光源及其抗硫化支架_东莞市立德达光电科技有限公司_202511517996.8
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种适用于隧道及海边照明的LED光源及其抗硫化支架，抗硫化支架包括四重抗腐蚀镀层、高导热红铜层、倒装晶片功能区镀层、抗静电耐候塑胶层和碗杯，高导热红铜层设置于四重抗腐蚀镀层上，倒装晶片功能区镀层和碗杯均设置...
    2026-01-19
  • 高光效抗硫化多晶片位SMD封装LED光源支架及其制造方法
    高光效抗硫化多晶片位SMD封装LED光源支架及其制造方法_东莞市立德达光电科技有限公司_202511517868.3
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种高光效抗硫化多晶片位SMD封装LED光源支架及其制造方法，包括位于支架铜材层、支架功能区层、支架电极区层及碗杯，支架铜材层中设有区分正负极的隔离带，碗杯形成倒梯形开口，碗杯的斜壁面与水平面之间的夹角为3...
    2026-01-19
  • 一种环抱式分布多芯串联桥接正装多色光源
    一种环抱式分布多芯串联桥接正装多色光源_深圳市迈科光电有限公司_202511474050.8
    本发明公开了一种环抱式分布多芯串联桥接正装多色光源，属于光电技术领域。该光源：采用环抱式分布，实现多色芯片的对称分布，提高混光均匀性；在各色芯片串接中使用桥接芯片，避免导线交叉；针对光源中的长导线采用过继桥接的方式缩短导线距离；所述光源的支...
    2026-01-19
  • 发光基板及打印机
    发光基板及打印机_武汉华星光电技术有限公司_202511340471.1
    本申请涉及一种发光基板及打印机。发光基板包括基板和多个发光器件组，发光器件组设置于基板的一侧，多个发光器件组沿第一方向排布，每一发光器件组包括沿第二方向排布的至少两个发光单元，第一方向和第二方向相交；其中，在同一个发光器件组中，相邻的两个发...
    2026-01-19
  • 基于复合弹性结构的Micro-LED激光转移键合方法及系统
    基于复合弹性结构的Micro-LED激光转移键合方法及系统_福州大学_202511414379.5
    本发明公开了一种基于复合弹性结构的Micro‑LED激光转移键合方法及系统，属于半导体器件制造技术领域，该方法包括以下步骤：将纳米氧化铝分散于无水乙醇中，加入硅烷偶联剂，得到改性纳米氧化铝；将聚醚多元醇与异氰酸酯反应，加入丙烯酸酯封端剂，得...
    2026-01-19
  • LED显示屏的制备方法及其中间件的制备方法
    LED显示屏的制备方法及其中间件的制备方法_元旭半导体科技(无锡)有限公司_202511482117.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种LED显示屏的制备方法及其中间件的制备方法，中间件为用于制备LED显示屏的中间部件，包括第一中间件或第二中间件，第一中间件、基于第一中间件制备的第二中间件以及基于第二中间件制备的LED显示屏中，彩膜均通过...
    2026-01-19
  • 一种LED显示模组的制作方法及LED显示屏
    一种LED显示模组的制作方法及LED显示屏_深圳雷曼光电科技股份有限公司_202511454841.4
    本发明涉及LED显示模组制造技术领域，解决了现有技术存在的制作成本较高、LED芯片出光折射的不确定性偏高的不足，提供了LED显示模组的制作方法及LED显示屏，制作方法包括：提供安装基板并对其划分出多个子安装基板区域；对安装基板进行阵列分裂；...
    2026-01-19
  • 显示屏制造方法、装置、设备、介质和程序产品
    显示屏制造方法、装置、设备、介质和程序产品_深圳雷曼光电科技股份有限公司_202511402633.X
    本申请涉及一种显示屏制造方法、装置、设备、介质和程序产品。所述方法包括：确定多个芯片中各芯片的发光参数；基于显示屏类型和各芯片的发光参数，确定各芯片的芯片类型；基于显示屏类型和各芯片的芯片类型，确定各芯片的设置位置；基于各芯片的设置位置，将...
    2026-01-19
  • 一种发光二极管及其封装方法
    一种发光二极管及其封装方法_南通明芯微电子材料厂_202511443816.6
    本发明涉及发光二极管封装领域，具体公开了一种发光二极管及其封装方法，发光二极管包括LED芯片、含Al2O3或TiO2胶层、不含Al2O3或TiO2有机硅胶水层和支架，LED芯片设置在支架的底部，含Al2O3或TiO2胶层覆在LED芯片的四周...
    2026-01-19
  • 一种LED修复焊料转移器具、方法及系统
    一种LED修复焊料转移器具、方法及系统_成都辰显光电有限公司_202410851531.5
    本发明公开了一种LED修复焊料转移器具及方法，涉及LED显示技术领域；所述方法包括：按照LED与背板金属之间的键合需求预制透光件和焊料承载件；使透光件的各预制透光区域分别对准相应的键合位置；将焊料承载件设置在所述透光件与所述键合位置之间；其...
    2026-01-19
  • 出光准直的微型发光二极管芯片及其制备方法
    出光准直的微型发光二极管芯片及其制备方法_武汉大学_202511425611.5
    本申请提供了一种出光准直的微型发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该微型发光二极管芯片包括衬底、键合层、外延结构、第一钝化介电层、反射杯结构和自由曲面透镜结构；第一钝化介电层设置于外延结构的远离衬底的一侧且覆盖外延结构的侧壁，第...
    2026-01-19
  • 基于3030支架的6V三波蓝光激发荧光粉LED光源及其封装工艺
    基于3030支架的6V三波蓝光激发荧光粉LED光源及其封装工艺_东莞市立德达光电科技有限公司_202511517863.0
    本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种基于3030支架的6V三波蓝光激发荧光粉LED光源及其封装工艺，包括2PIN脚碗杯式五五分焊盘的3030支架、设置于3030支架周侧的支架碗杯及位于支架碗杯内且设于3030支架上的多个LED晶片，多个L...
    2026-01-19
  • 一种发光装置、背光模组与显示装置
    一种发光装置、背光模组与显示装置_佛山市国星光电股份有限公司_202511388367.X
    本发明涉及一种发光装置，所述发光装置包括红色系发光荧光体以及绿色系发光荧光体，所述绿色系发光荧光体为硫化物荧光粉；所述发光装置在温度85℃的条件下，通电120mA并放置1000小时时的光通量维持率为90％以上，色坐标x、色坐标y的变化量在±...
    2026-01-19
  • 一种发光器件及其制备方法、显示装置
    一种发光器件及其制备方法、显示装置_广东聚华印刷显示技术有限公司_202410848415.8
    本申请属于显示技术领域，涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。所述发光器件包括依次层叠设置的第一电极、发光层、第二电极和色彩转换层；所述色彩转换层包括金属纳米颗粒、量子点材料和聚合物，所述聚合物分隔所述非金属单质量子点材料与所述金属纳米颗...
    2026-01-19
  • 一种高光效玻璃基板灯条
    一种高光效玻璃基板灯条_浙江英特来光电科技有限公司_202511369452.1
    本发明涉及LED技术领域，且公开了一种高光效玻璃基板灯条，包括玻璃基板，所述玻璃基板顶部开设有凹槽，所述凹槽内设置有LED芯片，所述凹槽内填充有荧光胶，所述玻璃基板两侧设置有导电引脚，所述LED芯片和导电引脚通过金属导线相连形成电路，所述凹...
    2026-01-19
  • 改善侧向光反射率的发光二极管及其制备方法
    改善侧向光反射率的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511250933.0
    本公开提供了一种改善侧向光反射率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和绝缘层，所述绝缘层位于所述外延层的表面上，且延伸至所述外延层的侧壁，位于所述外延层的侧壁上的所述绝缘层具有空腔。本公开实施例能减少发...
    2026-01-19
  • 紫外微型LED芯片及其制备方法
    紫外微型LED芯片及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511480902.4
    本申请提供了一种紫外微型LED阵列芯片及其制备方法，该芯片包括：衬底；n型层(10)，设置于衬底上；p型台面(1)，至少依次包含量子阱层和p型层；p型电极(2)；n型电极(3)；第一钝化层(4)，覆盖p型台面的两侧和部分表面，以及p型电极(...
    2026-01-19
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511269245.9
    本申请提供了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管至少包括：半导体叠层、第一绝缘层和电极结构，电极结构包括第一电极和第二电极，第一电极与第二电极之间具有露出第一绝缘层的上表面的凹槽，第二绝缘层部分设置于凹槽中并且向两端延伸以分别覆盖部分第一...
    2026-01-19
  • 发光二极管及发光二极管的制作方法
    发光二极管及发光二极管的制作方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511265832.0
    本公开提供了一种发光二极管及发光二极管的制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构、电极结构、第一钝化层、电极焊盘和第二钝化层；所述电极结构位于所述外延结构上，所述第一钝化层位于所述外延结构上且覆盖所述电极结构，所述电极焊盘穿过...
    2026-01-19
  • 改善亮度的发光二极管芯片及其制备方法、发光装置
    改善亮度的发光二极管芯片及其制备方法、发光装置_华引芯(武汉)科技有限公司_202511454627.9
    本申请提供一种改善亮度的发光二极管芯片及其制备方法、发光装置，发光二极管芯片中，第一接触金属层与外延层中暴露的N型半导体层相接触并电性连接，第二接触金属层设置在第一接触金属层背离外延层的一侧，第二接触金属层中的N型接触部与第一接触金属层相接...
    2026-01-19
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