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  • 本发明的目的在于提供一种环境胁迫耐受性提高剂,其能够在不妨碍通常时的植物生长的情况下提高植物的环境胁迫耐受性。本发明涉及含有辣椒红色素和/或其脂肪酸酯且以植物为对象的环境胁迫耐受性提高剂。
  • 本发明涉及原卟啉原氧化酶抑制剂,其包括式(I)化合物:其中所述变量在本文中限定。本发明涉及制备此类化合物的工艺和中间体、包含此类化合物的组合物、以及它们作为除草剂的用途,例如用于控制有害植物。本发明还涉及用于控制不需要的植被的方法,其包括使...
  • 本发明提供了一种被布置用于控制鸟在产蛋巢中产蛋的系统,其中该系统包括:内部光源用于照射产蛋巢的内部;传感器用于检测与产蛋巢中的第一鸟相关的参数;控制器被配置为:(i)基于所检测到的参数确定第一条件,其中第一条件指示第一鸟存在于产蛋巢中并且不...
  • 本公开涉及具有优良性状诸如对非生物或生物胁迫因子的抗性的异源多倍体植株和杂交异源多倍体植株,其可以用作栽培番茄品种的砧木。本公开进一步涉及包含本文所述异源多倍体植株作为砧木的复合植株。本公开进一步涉及产生异源多倍体植株和植株部分,以及杂交异...
  • 玉米植物或植物部分,其基因组中包含矮化‑8(D8)基因的至少一个突变等位基因,其中该基因的编码结构域序列(CDS)包含编码DELLA结构域的核苷酸序列,该DELLA结构域具有氨基酸序列DELLAALGYKVRSSDMADVAQKLEQLE ...
  • 一种用于篱架机(2)的捆扎系统(3),包括:支撑结构(31),用于将其连接到篱架机(2);第一臂(32),适于呈现第一配置和第二配置;第二臂(34),适于在第二配置中与第一臂(32)相互作用;致动器(33),适于在第一配置和第二配置之间至少...
  • 一种用于切割物体的套件、设备及系统。臂联接至具有切割刃的切割装置,可弹性地远离切割刃旋转。该臂被偏置在打开位置。在此打开位置,臂与切割刃形成一定角度倾斜,从而在切割刃与臂之间形成可扩张开口:该开口既适于容纳物体,又能在物体被引入开口时通过推...
  • 本发明披露了一种用于提供农用组合物的方法和供应装置,该方法包括:将预定量的两种或更多种散装农用组合物从两个或更多个相应储存容器(RC1,RC2,RC4)投加到投加容器(DC1)中;‑ 在投加容器(DC1)中形成这两种或更多种农用组合物的混合...
  • 本发明涉及一种向下落的植物繁殖材料(K)施加拌种剂组合物的方法,该方法包括:‑ 通过第一传感器检测自由下落的植物繁殖材料;‑ 确定触发时间(ta),并且触发施加器设备(330)以朝向预定材料命中区(T)排出拌种剂组合物的等分试样(D);‑ ...
  • 本发明涉及忆阻器技术领域,提出一种基于氧化锌铝的柔性宽光谱光电忆阻器的制备方法及其在神经形态视觉系统中的应用。制备方法包括以下步骤:将带有氧化铟锡的柔性基底清洗后作为底电极;在氩氧比1 : 1气氛下利用氧化锌铝靶经射频溅射形成下层富氧功能层...
  • 本公开涉及包括量子点的半导体器件及制造方法。一种半导体器件可以包括:第一电极;位于第一电极上的切换层;位于切换层上的储氧层;位于储氧层上的第二电极;以及位于第一电极和切换层之间的量子点。
  • 本公开提供了一种半导体结构、其制备方法、存储器及电子设备。该半导体结构包括磁性隧道结以及电压增强叠层,电压增强叠层叠置于磁性隧道结的一侧,电压增强叠层包括层叠设置的电介质层和负电容层。其能够在施加电压不变的情况下增强电压调控磁各向异性效应,...
  • 本申请提供了一种磁性隧道结单元、磁存储器和电子设备。该磁性隧道结单元包括:衬底、至少一第一自由层和间隔层;第一自由层位于衬底的一侧,第一自由层包括稳定层和多个子自由层,稳定层位于相邻的子自由层之间,稳定层的材料包括非磁金属材料或者磁性材料;...
  • 一种制造半导体器件的方法包括:提供衬底,该衬底限定逻辑区域和存储器区域;在逻辑区域和存储器区域上沉积底部电极层;在底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层;在MTJ层上方沉积第一导电层;在第一导电层上方沉积牺牲层;蚀刻存储器区域中的牺牲层,以...
  • 提供能够提高生产率的安装体、超声波传感器及重叠输送检测装置。电路基板(100)具备与电路部(110)电连接的第一布线层(130),元件基板(200)具备:第一基板(210)、振动板(240)、压电元件、第二基板(220)以及与压电元件电连接...
  • 本发明涉及压电式传感器技术领域,具体涉及一种基于压电式加速度传感器的内部电路连接方法。该方法通过优化传感器内部结构布局和电气连接方式,摒弃了传统焊接工艺,采用金属面接触导通与电路板焊盘直接连接的设计。主要包括:利用导电胶体将压电陶瓷正极通过...
  • 本发明提供一种叠层压电全电极结构的制备方法,包括如下步骤:根据随机行走原理和步骤4的测量和计算结果,能够得到第给N条电极的期望位置位于范围内;为保证激光蚀刻后第N条电极材料为裸露,激光蚀刻宽度要大于由于厚度不均导致的累积偏差值,并小于2倍的...
  • 一种利用梯度阻挡层连接SiGe热电材料与电极的方法,涉及一种连接SiGe热电材料与电极的方法。为了解决SiGe热电材料与电极连接的连接温度高易造成热电材料的性能损伤、连接过程存在元素扩散的问题。本发明通过在阻挡层中添加金属元素,实现阻挡层与...
  • 实施方式提供了发光元件和包括发光元件的电子装置。发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的发光层、设置在发光层上的电子传输区、设置在电子传输区上的第二电极以及设置在空穴传输区和发光层之间和/或设置在发光层和电子...
  • 本发明是关于一种具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。其由钙钛矿和弹性体聚合物在三维空间中相互贯穿构成;所述弹性体聚合物由弹性体寡聚物通过原位交联反应制得。所要解决的技术问题是如何提供一种具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜,在钙...
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