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一种半导体结构及其制备方法
本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,包括:提供基底,基底包括器件单元区及位于相邻器件单元区之间的切割道区;于器件单元区的基底上形成栅极结构,并于器件单元区的基底内形成源区;形成覆盖基底及栅极结构的层间介质材料层;于器件单元区的层间介质材料...
后段半导体工艺中通孔及金属线层的形成方法
本发明提供了一种后段半导体工艺中通孔及金属线层的形成方法,包括:提供形成有第一金属连线层的衬底,第一金属连线层嵌入第一介电层内;在第一介电层表面形成N型掺杂碳化硅层和第二介电层;在第二介电层的上部形成第一尺寸的金属线层对应的第一凹槽;在第二...
硅通孔结构的制作方法
本发明提供了一种硅通孔结构的制作方法,应用于半导体技术领域。在本发明中,通过将硅通孔的干法刻蚀分为两步,即第一干法刻蚀和第二干法刻蚀,其中第一干法刻蚀只蚀刻基底(即晶背硅),然后用含氟的湿法清洗剂清洗所述第一干法刻蚀所形成的副产物,第二干法...
一种减少平面MOSFET栅漏寄生电容的制备方法及器件
本申请提供了一种减少平面MOSFET栅漏寄生电容的制备方法及器件,具体通过在栅极与漏极的接触填充金属之间引入空气隙以减少Cgd。
一种复合梯度阻挡层结构及其制备方法
本申请属于外延生长技术领域,尤其涉及一种复合梯度阻挡层结构及其制备方法,所述复合梯度阻挡层结构包括依次堆叠的SiN层、AlON层、SiON层和SiC层,其中,所述AlON层中掺杂Si且所述掺杂Si的掺杂比例按所述SiN层到所述SiON层的方...
半导体结构及其形成方法
一种半导体结构及其形成方法,包括:提供基底结构;形成覆盖所述基底结构的第一介质层,所述第一介质层中形成有互连结构,且所述第一介质层暴露所述互连结构的顶部;对所述互连结构进行改性处理,以使所述互连结构形成固定的晶面取向,且所述晶面取向表面能最...
一种半导体结构及其形成方法
本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法,半导体结构形成方法包括:在第一介质层上方形成刻蚀停止层,其中,所述刻蚀停止层的刻蚀速率小于所述第一介质层;在所述刻蚀停止层内形成第一沟槽;利用所述第一沟槽形成第二沟槽,所述第二沟槽位于所述第一沟槽...
半导体结构及其形成方法
本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法,所述方法在所述基底上形成第一无机层;在所述第一无机层上刻蚀金属结构凹槽;在所述金属结构凹槽内沉积第一金属层;在所述金属结构凹槽内且所述第一金属层的表面,沉积第二金属层;所述第二金属层用于连接半导体...
深沟槽隔离结构的制备方法、结构和半导体器件
本申请提供的一种深沟槽隔离结构的制备方法、结构和半导体器件,涉及半导体器件技术领域。该深沟槽隔离结构的制备方法包括提供衬底;衬底包括依次层叠的底层、埋氧层和有源层。衬底内形成有第一凹槽,第一凹槽贯穿有源层,且第一凹槽的槽底止于埋氧层。在埋氧...
存储器装置与其制作方法
一种存储器装置与其制作方法包含形成高介电常数介电层于第一以及第二基板区域上。直接在第一基板区域上方形成第一牺牲层。在第一以及第二基板区域上形成金属层。在金属层上形成第二牺牲层。移除直接在第一基板区域上方的金属层与第二牺牲层。执行退火工艺于金...
支撑装置和反应设备
本申请提供了支撑装置和反应设备,其中,支撑装置用于支撑反应设备中的工作平台,所述支撑装置包括:基座;支撑平台,可活动设置于所述基座,所述支撑平台用于支撑所述工作平台,所述支撑平台具有与所述工作平台相对固定的基准面;平移机构,设置于所述基座,...
集成电路制造方法
本发明提供一种集成电路制造方法,所述集成电路制造方法采用卡盘组件进行,所述卡盘组件包括卡盘以及位于所述卡盘中的支撑结构,所述集成电路制造方法包括:将待处理的晶圆放置于处于凸起状态的所述支撑结构的顶部,处于所述凸起状态的所述支撑结构的顶部凸出...
衬底搬运装置和末端执行器
一种适用于半导体制造工具的衬底搬运装置的末端执行器。末端执行器适于支撑衬底并且可连接到机器人臂。末端执行器包括:(a)具有顶表面和底表面的主体;以及(b)从主体的顶表面突出的至少一个支撑突起,用于接触并支撑衬底。支撑突起设置有类金刚石碳涂层...
一种悬挂式中空轴磁悬浮晶圆制造设备
本发明公开了一种悬挂式中空轴磁悬浮晶圆制造设备,包括工艺腔室、支撑部件、中空轴、隔离套、保持架和主动式磁悬浮电机,隔离套与工艺腔室顶部的第一开口密封连接,主动式磁悬浮电机包括磁悬浮定子和磁悬浮转子,磁悬浮转子、中空轴及保持架均设于真空环境内...
一种压紧装置及半导体工艺设备
本申请公开了一种压紧装置及半导体工艺设备,压紧装置包括:压紧环组件,设有存液腔;升降机构,与所述压紧环组件可分离地连接;配重机构,与所述存液腔连接,用于向所述存液腔注液,或者使所述存液腔内的液体排出。本申请的压紧装置施加在晶圆上的压紧力是可...
静电卡盘及其制备方法
本申请提供了一种静电卡盘及其制备方法,涉及静电卡盘技术领域。该静电卡盘的制备方法包括:S2:在第一衬底层上利用激光开槽形成图案沟槽,沟槽的不同位置之间的深度差异小于等于50 nm,宽度差异小于等于50 nm;S3:在沟槽表面沉积金属以填充沟...
一种晶圆吸附装置和半导体器件的加工方法
本发明公开了一种晶圆吸附装置和半导体器件的加工方法。晶圆吸附装置包括:加热盘,其上设有吸附流道;密封套筒,套接于所述加热盘的外围;以及第一升降组件,连接所述密封套筒,用于在晶圆吸附前,驱动所述密封套筒上升至抵接晶圆翘曲边缘的下表面,以使晶圆...
一种电池片载体、分片电池串加工方法以及分片电池串
本申请涉及光伏电池加工技术领域,尤其是涉及一种电池片载体、分片电池串加工方法以及分片电池串,载体包括载体本体,载体本体内具有吸附腔,载体本体上具有承载面,承载面呈平面或圆弧面,承载面包括若干个并列设置的吸附面,吸附面的大小相应于一片电池片分...
一种静电吸盘及其加工制造方法
本发明涉及显示器制造设备技术领域,具体涉及一种静电吸盘及其加工制造方法,包括以下步骤:对母材层进行加热,使母材层上的接电安装孔膨胀;测量接电安装孔膨胀后的孔径;根据接电安装孔膨胀后的孔径确定接电端子的直径尺寸,并根据该直径尺寸对接电端子进行...
一种自上料式集成电路芯片封装加工设备
本发明涉及芯片加工技术领域,具体为一种自上料式集成电路芯片封装加工设备,包括底座,以及底座一侧的机械手与电控箱,所述底座上设置有封装机构,所述底座上设置有固定机构,所述封装机构包括在底座上滑动的上模具,所述上模具一侧连接有挤压盘,所述底座上...
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