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最新专利技术
  • 晶圆完整性检测方法、装置和晶圆处理腔设备
    晶圆完整性检测方法、装置和晶圆处理腔设备_上海光通信有限公司_202410834975.8
    本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种晶圆完整性检测方法、装置和晶圆处理腔设备。根据本公开的晶圆完整性检测方法包括：在控制待检测晶圆通过预定空间区域期间，发射检测光信号，以照射待检测晶圆的表面；接收待检测晶圆通过预定空间区域期间的反射光信...
    2026-02-14
  • 一种离子注入热波监控片及重复利用方法
    一种离子注入热波监控片及重复利用方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410780529.3
    本发明公开了一种离子注入热波监控片及重复利用方法，包括：提供同批使用的多个监控片；测量各监控片的第一热波前值；当各第一热波前值满足一致性要求时，对多个监控片进行掺杂第一气体元素的第一离子注入，并获取各监控片的第一热波后值；对获取第一热波后值...
    2026-02-14
  • 一种商用器件Cu引线键合可靠性改进及验证方法
    一种商用器件Cu引线键合可靠性改进及验证方法_上海航天技术基础研究所_202511335528.9
    本发明提供了一种商用器件Cu引线键合可靠性改进及验证方法，包括以下步骤：S1、采用等离子体和超声波清洗商用器件Al键合区焊盘表面；S2、采用真空溅射系统将由Ti、NiV、Ag组成的复合金属层沉积在Al键合区焊盘表面；S3、采用热超声引线键合...
    2026-02-14
  • 一种全自动焊线机的垂直线弧形成方法及形成装置
    一种全自动焊线机的垂直线弧形成方法及形成装置_广东阿达半导体设备股份有限公司_202511758377.8
    本发明涉及一种半导体封装方法，尤其是一种全自动焊线机的垂直线弧形成方法及形成装置。该方法包括以下步骤：放线尾以形成线尾、用固定的激光器在线材上形成烧蚀缺口、收线以形成烧球线尾；烧球以形成金属焊球；焊接植球以使金属焊球焊接固定在基板焊点上；拉...
    2026-02-14
  • 一种凸点定位植柱方法
    一种凸点定位植柱方法_中国电子科技集团公司第十四研究所_202511324593.1
    本发明公开了一种凸点定位植柱方法，包括步骤一：在待植柱器件1的焊盘上沉积焊料，回流后形成凸点；步骤二：在凸点上刷涂助焊剂后装入焊柱定位工装上；步骤三：通过固定支撑将旋帽拧入，直至压紧待植柱器件；步骤四：将焊柱通过转移装置装入定位孔中；步骤五...
    2026-02-14
  • 一种裸片和晶圆的混合键合方法和半导体芯片的制备方法
    一种裸片和晶圆的混合键合方法和半导体芯片的制备方法_上海芯物科技有限公司_202511334606.3
    本发明公开了一种裸片和晶圆的混合键合方法和半导体芯片的制备方法，其中，键合方法包括：将待切割晶圆切割成多个裸片；裸片包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，裸片的第一表面设置有第一键合层；从裸片的第二表面同时抓取全部裸片，并以全部裸片的第一...
    2026-02-14
  • 半导体器件和制造具有载体的高级小芯片桥接管芯的方法
    半导体器件和制造具有载体的高级小芯片桥接管芯的方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510564837.7
    半导体器件和制造具有载体的高级小芯片桥接管芯的方法。使用半导体晶片形成半导体器件。在半导体晶片上方形成桥接管芯，其包括在桥接管芯的第一表面上的第一接触焊盘和在桥接管芯的与第一表面相对的第二表面上的第二接触焊盘。半导体晶片附接到第一载体。半导...
    2026-02-14
  • 一种存储芯片的封装结构及固化封装设备
    一种存储芯片的封装结构及固化封装设备_湖南酷牛存储科技有限公司_202511773360.X
    本发明公开了一种存储芯片的封装结构及固化封装设备，属于芯片封装技术领域。该装置包括机壳，所述机壳的内部设置有送料盘，所述送料盘的顶部边沿固定连接有若干个用于放置芯片的放置件，所述送料盘的下方设置有用于驱动送料盘转动的驱动件，所述送料盘的上方...
    2026-02-14
  • 一种用于板级封装基板的微盲孔加工方法及板级封装基板
    一种用于板级封装基板的微盲孔加工方法及板级封装基板_厦门四合微电子有限公司_202511481060.4
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种用于板级封装基板的微盲孔加工方法及板级封装基板，包括：步骤S100：准备芯板，在所述芯板的一面或两面设置分离层，所述分离层上设有第一图形线路层；步骤S200：在所述第一图形线路层上贴设若干个封装芯片并进...
    2026-02-14
  • 一种可分离式板级扇出型封装方法及其结构
    一种可分离式板级扇出型封装方法及其结构_厦门四合微电子有限公司_202511480971.5
    本发明涉及芯片封装技术领域，公开了一种可分离式板级扇出型封装方法及其结构，包括：步骤S100：准备第一芯板和第二芯板，通过在所述第一芯板与所述第二芯板之间设置分板层连接所述第一芯板和所述第二芯板形成双面作业载板；步骤S200：在所述第一芯板...
    2026-02-14
  • 一种芯片封装工艺及芯片封装结构
    一种芯片封装工艺及芯片封装结构_湖南志浩航精密科技有限公司_202511377594.2
    本发明提供了一种芯片封装工艺及芯片封装结构，属于芯片封装技术领域。一种芯片封装工艺，包括以下步骤：提供PCB板、芯片及带有金属化通孔的碳化硅基板，所述金属化通孔的两端表面形成焊接端面；在所述PCB板与碳化硅基板之间设置第一锡球阵列，在所述芯...
    2026-02-14
  • 3D IC及可配置ASIC的纳米制造和设计技术
    3D IC及可配置ASIC的纳米制造和设计技术_德克萨斯大学系统董事会_202511304457.6
    本技术的多个实施例提供了超高密度异质集成，其通过纳米精度的取放组装实现。例如，一些实施例提供了使用预制块(PFB)的模块化组装技术的集成。这些PFB可在一个或多个源晶圆上制造。然后，可以采用取放技术将PFB选择性地布置在目标晶圆上，从而可以...
    2026-02-14
  • 一种玻璃基板通孔的制备方法
    一种玻璃基板通孔的制备方法_南京邮电大学_202511473954.9
    本发明公开了一种玻璃基板通孔的制备方法，属于半导体封装技术领域。该方法包括：在玻璃基板上涂覆石蜡液形成临时保护层；采用激光在保护层上钻取孔径为目标孔径40%‑60%的初始孔；然后将基板置于氢氟酸溶液中进行湿法刻蚀，通过控制刻蚀参数，咬蚀扩大...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其制作方法、电子设备
    半导体结构及其制作方法、电子设备_成都奕成集成电路有限公司_202511364011.2
    本申请提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备，方法包括：提供具有至少一个通孔的玻璃基板；提供具有至少一个开口的支撑结构；将玻璃基板放置于开口内，并使其与支撑结构连接；形成至少一个贯穿支撑结构的工具孔；其中，至少部分开口内壁与玻璃基板的边缘...
    2026-02-14
  • 半导体封装结构及其形成方法
    半导体封装结构及其形成方法_长电科技管理有限公司_202511282690.9
    本申请公开了一种半导封装结构及其形成方法，该形成方法包括：提供载板、有机支撑板和玻璃芯单元；将有机支撑板临时键合到载板上；在有机支撑板中形成多个分立的凹槽；将多个玻璃芯单元贴装在相应的凹槽内，玻璃芯单元与凹槽的之间留有缝隙；形成填充缝隙并覆...
    2026-02-14
  • 一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构
    一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511281507.3
    本申请公开了一种芯片封装结构的制作方法及芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域。该方法包括提供一载板；在载板的一侧形成第一图案化光刻胶层，第一图案化光刻胶层上设有多个第一通孔和多个第二通孔，第一通孔在载板上的正投影的面积小于第二通孔在载板上的正...
    2026-02-14
  • 阻焊封装方法及阻焊封装结构
    阻焊封装方法及阻焊封装结构_派德芯能半导体(上海)有限公司_202410511520.2
    本发明公开了一种阻焊封装方法及阻焊封装结构，阻焊封装方法包括提供基板，所述基板包括若干焊接区和非焊接区，相邻两个所述焊接区之间设置有所述非焊接区，以间隔所述焊接区；分别对所述焊接区内的基板、所述非焊接区内的基板进行表面处理，以使所述焊接区内...
    2026-02-14
  • 边缘刻蚀位置的控制方法及装置
    边缘刻蚀位置的控制方法及装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410825019.3
    本申请提供一种边缘刻蚀位置的控制方法及装置，属于半导体制造技术领域，其中方法包括：获取目标腔体的目标刻蚀宽度；基于所述目标腔体对应的预设修正函数和所述目标刻蚀宽度，确定所述目标腔体的设定刻蚀宽度，其中，预设修正函数是基于所述目标腔体的至少两...
    2026-02-14
  • 用于纳米线的选择性蚀刻
    用于纳米线的选择性蚀刻_朗姆研究公司_202511107763.0
    提供了一种在堆叠件中相对于硅选择性地蚀刻硅锗的方法，该堆叠件位于蚀刻室中的卡盘上。将该卡盘维持在15℃以下的温度。将该堆叠件暴露于包含含氟气体的蚀刻气体，以相对于硅选择性地蚀刻硅锗。
    2026-02-14
  • MOS器件栅极侧墙及MOS器件的制备方法
    MOS器件栅极侧墙及MOS器件的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410807978.2
    本发明提供一种MOS器件栅极侧墙及MOS器件的制备方法，在形成栅极侧墙时，先通过在内侧墙结构外侧形成可升华挥发的固体牺牲材料层，接着在固体牺牲材料层的外侧壁形成起支撑作用的垫层，最后采用升华挥发过程使固体牺牲层升华挥发，从而形成空气侧墙结构...
    2026-02-14
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