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  • 本发明公开了一种背接触电池及光伏组件,背接触电池包括电池本体、至少一个电极图形区、多个第一集电栅线和多个第二集电栅线、多个第一汇流部组和多个第二汇流部组,第一汇流部组包括沿第二方向交替分布的多个第一汇流部和多个第一连接部,第一汇流部与第一集...
  • 本发明涉及一种太阳电池电极及其制备方法、太阳电池、光伏组件。上述太阳电池电极包括层叠设置的基底接触层以及导电增强层,所述基底接触层的材料包括镍化硼,所述导电增强层的材料包括银、铜以及锡中的至少一种。上述太阳电池电极包括基底接触层和导电增强层...
  • 本申请公开了一种光伏组件,属于太阳能电池技术领域。该光伏组件包括电池片和焊带,电池片包括电池片本体、电极结构和焊盘,电池片本体包括沿第一方向相对设置的两个边缘区域以及位于两个边缘区域之间的中心区域,电极结构包括沿与第一方向垂直的第二方向延伸...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池及其电极结构、印刷网版组件、光伏组件。该电极结构,包括汇流子结构以及多根集电栅线。汇流子结构包括两根间隔设置的互连栅线、以及连接在两根互连栅线之间的搭接栅线,两根互连栅线间隔设置的方向为第一方...
  • 本申请涉及太阳电池领域,尤其涉及一种金半接触结构、太阳电池、光伏组件。金半接触结构包括:表面为金字塔结构的掺杂半导体层、与掺杂半导体层相互接触的金属电极;掺杂半导体层与金属电极的接触区域包括第一接触区域,第一接触区域中具有若干第一导电微结构...
  • 本申请涉及太阳电池技术领域,尤其涉及一种太阳电池、光伏组件及印刷网版。该太阳电池,包括电池本体、多根细栅以及多个电连接部。电池本体具有电池表面,电池表面包括电池中部区域、沿第一方向设置在电池中部区域相对端的电池边缘区域。多根细栅包括位于电池...
  • 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法。上述太阳电池包括电池片以及栅线;栅线包括镍种子层、铜镍合金层以及导电主体层,镍种子层沉积于电池片上,铜镍合金层沉积于镍种子层上,导电主体层沉积于铜镍合金层上。上述太阳电池及其制备方法在电池片上沉积镍种子层...
  • 本申请涉及一种背接触电池、背接触电池串及背接触光伏组件。该背接触电池包括:电池片;第一极主栅,用于电连接背接触电池串的第一导电连接件;多个第一极细栅;第二极主栅,用于电连接至背接触电池串的第二导电连接件;以及多个第二极细栅;第一极细栅在第二...
  • 本申请涉及一种金属半导体接触结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件。金属半导体接触结构包括相互接触的金属电极和半导体层,金属电极具有金属元素,半导体层具有半导体元素和用于对半导体层进行掺杂的掺杂元素;在金属电极与半导体层的接触界面具有导电结构...
  • 本申请涉及一种电池片及光伏组件,电池片包括基板以及铺设在基板表面的多条细栅,细栅沿基板的第一方向延伸,并且各条细栅沿基板的第二方向间隔设置,每条细栅上均设有用于承载助焊层并用于与焊带连接的焊盘,细栅连接于焊盘的一侧边缘位置,其中,第一方向与...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括衬底。以及层叠设置于衬底的表面上的吸光层和透明导电层。透明导电层设置于吸光层远离衬底的一侧。透明导电层包括折射渐变部。沿垂直于透明导电层的厚度方向上,折射渐变部的晶格取向逐渐变化。当入...
  • 本发明涉及太阳电池领域,公开一种电极结构及其制备方法、太阳电池、光伏组件,所述电极结构包括:种子层;导电金属层,所述导电金属层位于所述种子层之上;保护层,所述保护层包括顶面保护层和侧面保护层,所述顶面保护层设于所述导电金属层背离所述种子层的...
  • 本发明公开了一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件,该背接触太阳电池包括半导体衬底;设置在半导体衬底背光面的第一导电膜层和第二导电膜层,第一导电膜层和第二导电膜层呈叉指状排列设置;其中,第一导电膜层中的导电掺杂元素为第一掺杂元素,第二导电...
  • 本申请提供了一种太阳电池处理方法、太阳电池及光伏组件,其中太阳电池处理方法包括:将栅线浆料印刷至太阳电池对应的正面集流栅线的图案处,并经预烧结处理,制备正面预制集流栅线;采用第一激光对具有正面预制集流栅线的太阳电池的正面进行激光照射,同时采...
  • 本发明公开了太阳能电池用硅片、太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。由于硅片侧面棱边通常为直角,导致其在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)过程中因几何阴影效应和电场分布不均,棱边区域易出现钝化层沉积不良的问题,最终影响电池...
  • 本申请提供了一种背接触太阳电池及其制备方法、背接触太阳电池组件,背接触太阳电池包括硅基底、第一掺杂硅层、第二掺杂硅层和导通块;第一掺杂硅层和第二掺杂硅层均设于硅基底的背面,第一掺杂硅层和第二掺杂硅层的掺杂类型相反且通过隔离区隔开;导通块设于...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括硅衬底。硅衬底上设置有电池主体结构以及至少一个伪栅结构,伪栅结构位于电池主体结构和硅衬底的至少一个边缘之间。电池主体结构包括间隔设置于硅衬底上的第一掺杂硅材料层和第二掺杂硅材料层,第一...
  • 本发明提供了一种背接触电池及其制备方法,该背接触电池在第一掺杂区和第二掺杂区之间的第三掺杂区内通过高温扩散使掺杂元素穿透形成漏电通道,从而提供新的背接触电池背面结构。本发明的第三掺杂区为第一掺杂区掺杂元素和第二掺杂区掺杂元素的混合,一步高温...
  • 本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法,该太阳能电池包括:硅基底,具有相对的正面和背面;第一正面隧穿层和第一正面掺杂层,依次设置在正面上;第二正面隧穿层和第二正面掺杂层,依次设置在第一正面掺杂层的局部区域上,第一正面掺杂层的掺杂浓...
  • 本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅基底,硅基底的背面依次层叠设置有第一隧穿氧化层、第一磷掺杂多晶硅层、氮掺杂多晶硅层和第二磷掺杂多晶硅层;其中,第一磷掺杂多晶硅层的磷掺杂浓度与第二磷掺杂多晶硅层的磷掺杂浓度不同...
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