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最新专利技术
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510085479.1
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池包括硅基底，硅基底的背面依次层叠设置有第一隧穿氧化层、第一磷掺杂多晶硅层、氮掺杂多晶硅层和第二磷掺杂多晶硅层；其中，第一磷掺杂多晶硅层的磷掺杂浓度与第二磷掺杂多晶硅层的磷掺杂浓度不同...
    2026-01-02
  • 一种透镜结构光学传感器芯片的扇出封装结构和制作工艺
    一种透镜结构光学传感器芯片的扇出封装结构和制作工艺_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511712820.8
    本发明提供了透镜结构光学传感器芯片的扇出封装结构和制作工艺，其在满足感光芯片封装要求性能和封装结构的同时，还大幅降低了封装成本。其包括：芯片，其为光学传感器芯片，所述芯片的上表面区域设置有焊垫、感光区；塑封层；黑色绝缘层，其下表面设置有若干...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510262460.X
    本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，太阳电池包括硅基底、第一掺杂多晶硅层、第二掺杂多晶硅层和导通块；硅基底背面具有第一掺杂区、第二掺杂区和隔离区，隔离区位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；第一掺杂多晶硅层设于硅基底背面且位于第一掺杂...
    2026-01-02
  • 太阳电池制备方法、太阳电池及光伏组件
    太阳电池制备方法、太阳电池及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510751607.1
    本申请提供了一种太阳电池制备方法、太阳电池及光伏组件，通过PED工艺在第一掺杂层背离第一本征非晶硅层的一面制备第一TCO膜层，PED工艺采用频率为3MHz～30MHz的交流脉冲电流；在第二掺杂层背离第二本征非晶硅层的一面制备第二TCO膜层，...
    2026-01-02
  • 一种晶硅太阳能电池及其制备方法
    一种晶硅太阳能电池及其制备方法_苏州大学_202511707752.6
    本申请公开了一种晶硅太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。制备方法包括：对整晶硅太阳能电池进行切割处理，制备获得具有至少一个裂面的多个分晶硅太阳能电池；对每个分晶硅太阳能电池的裂面进行一次退火处理，一次退火处理为将分晶硅太阳能电池...
    2026-01-02
  • 一种To管座与TEC的封装方法
    一种To管座与TEC的封装方法_云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司_202511419216.6
    本发明公开了一种To管座与TEC的封装方法，属于电子封装技术领域。本发明首先对TO管座和TEC进行精细的清洁处理，去除表面杂质及氧化物。选用特定配方的钎料及与之适配的助焊剂，精确控制钎焊温度曲线，在适宜的保护气体氛围下进行钎焊操作。通过专用...
    2026-01-02
  • 双面锗基热辐射光伏器件结构和制备方法
    双面锗基热辐射光伏器件结构和制备方法_江苏凌众新能科技有限公司_202511411637.4
    本发明为双面锗基热辐射光伏器件结构和制备方法，方法包含以下过程：S1对P型锗片进行双面抛光处理；S2对P型锗片的一面沉积掺磷的纳米晶硅薄膜层，得到正面；S3对P型锗片进行退火，得到掺磷的硅锗层；S4对P型锗片的背面依次进行a‑SiCx、Al...
    2026-01-02
  • 一种太阳能光伏板用功能性涂层、制备方法及其使用方法
    一种太阳能光伏板用功能性涂层、制备方法及其使用方法_广东奥因环保科技有限公司_202511380370.7
    本发明涉及涂层技术领域，具体公开了一种太阳能光伏板用功能性涂层的制备方法，包括以下步骤：S1、将钛源、石墨烯与酸混合，加热至85~120℃进行反应，保持25~45h，制得第一中间物；S2、将步骤S1制得的第一中间物溶解在去离子水中，搅拌并加...
    2026-01-02
  • 一种废薄膜光电池中镓铜铟比例回收再镀膜的方法
    一种废薄膜光电池中镓铜铟比例回收再镀膜的方法_兰州理工大学_202511376088.1
    本发明涉及一种废薄膜光电池中镓铜铟比例回收再镀膜的方法，包括以下步骤：⑴对废旧铜铟镓硒薄膜太阳能电池进行预处理及浸出，得到含镓、铜、铟元素的浸出液；⑵以镓硫脲配合物、铜硫脲配合物、铟硫脲配合物为模板离子，以TA、AM和AA为功能单体，引入温...
    2026-01-02
  • 一种基于维度交叉集成的二维薄膜光电探测方法及系统
    一种基于维度交叉集成的二维薄膜光电探测方法及系统_甘肃省科学院传感技术研究所_202511357421.4
    本发明提供了一种基于维度交叉集成的二维薄膜光电探测方法及系统，涉及光电探测技术领域。本发明首先在基底上制备光敏二维薄膜并实施界面清洁与钝化，构建面内图形化结构和面外功能单元的正交集成，实现光生载流子的高效产生、分离与收集；通过电极与控制单元...
    2026-01-02
  • 一种各向异性差异减小的Bi6Ti3Fe2O18薄膜及其制备方法与应用
    一种各向异性差异减小的Bi6Ti3Fe2O18薄膜及其制备方法与应用_内蒙古工业大学_202511341407.5
    本发明公开一种各向异性差异减小的Bi6Ti3Fe2O18薄膜及其制备方法与应用，制备方法包括：一、制备Bi6Ti3Fe2O18前驱体溶液；二、对基底进行预退火处理；三、依次以低速、中速和高速将Bi6Ti3Fe2O18前驱体溶液旋涂在基底表面...
    2026-01-02
  • 一种日盲紫外探测器及其制备方法
    一种日盲紫外探测器及其制备方法_海南朗研光电有限公司_202511321195.4
    本发明涉及日盲紫外探测器技术领域，具体涉及一种日盲紫外探测器及其制备方法，使用超快激光辐照在半导体表面形成OVMH(oxygen vacancy‑hydroxy metal oxide molecular junction)分子结，所述OV...
    2026-01-02
  • 一种背接触电池表面结构及其制备方法
    一种背接触电池表面结构及其制备方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511316324.0
    本发明公开了一种背接触电池表面结构及其制备方法，涉及电池制造技术领域，包括：预处理后进行粗抛、水洗和精抛，形成光滑大塔基；沉积隧穿氧化层和非晶硅，扩散引入硼元素，形成第一半导体掺杂区域和掩膜层BSG；掩膜层BSG激光雕刻图形，抛光图形形成基...
    2026-01-02
  • 一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法
    一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511315762.5
    本申请提出了一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法，涉及TOPcon电池技术领域。一种低接触电阻TOPcon电池的生产方法，包括以下步骤：硅片的检验及清洗；激光选择性制绒，在光吸收区域形成金字塔表面；采用PECVD在正面进行poly沉积，...
    2026-01-02
  • 背接触光伏电池及其制造方法、光伏组件
    背接触光伏电池及其制造方法、光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511203347.0
    本公开实施例涉及光伏电池领域，提供一种背接触光伏电池及其制造方法、光伏组件，其中制造方法包括：提供基底；在基底一侧表面形成本征硅层；本征硅层包括第一区和第二区；形成至少覆盖第二区的掩膜层；对第一区掺杂第一元素以形成第一掺杂半导体层；部分第一...
    2026-01-02
  • 光伏电池的制备方法
    光伏电池的制备方法_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202511157928.5
    本申请涉及光伏技术领域，具体涉及光伏电池的制备方法，该方法包括：提供硅片，硅片在厚度方向上具有正面和背面；对硅片的正面和背面进行抛光；对硅片进行多阶段变温处理，处理后的硅片的正面形成第一附加层同时背面形成第二附加层；去除硅片正面的第一附加层...
    2026-01-02
  • 一种铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法和应用
    一种铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法和应用_广东明阳薄膜科技有限公司_202511105034.1
    本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法和应用。本发明铜掺杂碲化镉薄膜太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在透明基底上依次制备透明导电层、窗口层、吸收层、背接触层，然后置于铜盐溶液中浸泡，随后在背接触层...
    2026-01-02
  • 工艺设备及工艺系统
    工艺设备及工艺系统_拉普拉斯(西安)科技有限责任公司_202511101526.3
    本公开涉及半导体和光伏技术领域，尤其涉及一种工艺设备及工艺系统，解决相关技术中由于炉内温度场不同区域的温度偏差较大而影响工艺效果的问题。该工艺设备包括工艺炉，具有工艺腔室，工艺腔室包括两个或两个以上沿第一方向依次布置的子腔室，各子腔室相互独...
    2026-01-02
  • TOPcon光伏电池及其制备方法、光伏组件
    TOPcon光伏电池及其制备方法、光伏组件_润马光能科技(金华)有限公司_202511016500.9
    本申请公开了一种TOPcon光伏电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域；制备方法包括：提供衬底，衬底包括相对的正面和背面；在衬底的正面制备P+层；在衬底的背面制备隧穿层；采用ALD在P+层上进行氧化铝沉积；将沉积完氧化铝层的衬底放入PECV...
    2026-01-02
  • 一种激光诱导纳米孔结构的自供电紫外光电探测器及其制备方法
    一种激光诱导纳米孔结构的自供电紫外光电探测器及其制备方法_广州大学_202510963459.X
    本发明公开一种激光诱导纳米孔结构的自供电紫外光电探测器及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：采用飞秒激光直写工艺在n型硅片表面一次性诱导出不规则分布的纳米孔结构，得到具有纳米孔结构的硅片；得到的具有纳米孔结构的硅片去除氧化层并清洗烘干后，...
    2026-01-02
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