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最新专利技术
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510210283.0
    本发明涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。上述太阳电池电池片主体以及透明保护膜层；所述电池片主体的栅线均位于背面，所述透明保护膜层设置在所述电池片主体的正面，透明保护膜层的材料包括聚烯烃、EVA、PVA、PVB、PET、PVF、有机硅橡...
    2026-01-02
  • 预封装的太阳电池及其制备方法、光伏组件及其制备方法
    预封装的太阳电池及其制备方法、光伏组件及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202510033560.5
    本发明公开了一种预封装的太阳电池及其制备方法、光伏组件及其制备方法。该预封装的太阳电池包括：太阳电池基体，太阳电池基体中表层的材料包括透明导电氧化物；预封装膜层，预封装膜层叠层设置于太阳电池基体的表层的表面，预封装膜层的成膜材料包括聚丙烯酸...
    2026-01-02
  • 太阳能组件和太阳能组件的加工方法
    太阳能组件和太阳能组件的加工方法_深圳市华宝新能源股份有限公司_202410732412.8
    本发明提供了一种太阳能组件和太阳能组件的加工方法，太阳能组件包括：太阳能电池片，用于将光能转化成电能，太阳能电池片具有第一面和第二面，第一面能够接收光线；第一防护层，第一面朝向第一防护层，第一防护层能够透光，第一防护层具有多个朝太阳能电池片...
    2026-01-02
  • 太阳能组件、光伏设备和太阳能组件的加工方法
    太阳能组件、光伏设备和太阳能组件的加工方法_深圳市华宝新能源股份有限公司_202410732397.7
    本发明提供了一种太阳能组件、光伏设备和太阳能组件的加工方法，太阳能组件包括：电池片组件，用于将光能转化成电能，电池片组件具有相互背离的第一面和第二面，第一面能够接收光线；第一防护层，第一防护层能够透光，电池片组件的第一面朝向第一防护层，第一...
    2026-01-02
  • 一种太阳能电池结构、其制备方法和光伏组件
    一种太阳能电池结构、其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510848697.6
    本发明公开了一种太阳能电池结构、其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。本发明通过依次设置的粘结层、电镀铜栅线和保护层形成栅线结构，避免形成铜种子层时向导电层以及硅基底扩散的风险，同时避免电镀工艺对导电层的直接损伤，有利于提高电池片的效率以...
    2026-01-02
  • 碲化镉太阳能电池及制备方法
    碲化镉太阳能电池及制备方法_凯盛玻璃控股有限公司_202511309937.1
    本发明公开了碲化镉太阳能电池及制备方法，其中碲化镉太阳能电池包括依次设置的基板、TCO层、窗口层、碲化镉层、氧化铝钝化层、背接触层和背电极层。本申请中氧化铝钝化层富含氧原子的表面能有效钝化CdTe表面的悬挂键和缺陷态，从而提升电池开路电压(...
    2026-01-02
  • 一种抗辐照五结太阳能电池及其制备方法
    一种抗辐照五结太阳能电池及其制备方法_江苏仲磊芯半导体有限公司_202511145055.6
    本发明涉及一种抗辐照五结太阳能电池及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的抗辐照五结太阳能电池包括：衬底，位于衬底第一表面上依次层叠设置的第一缓冲层、第一组分阶变缓冲层、第四子电池、第二组分阶变缓冲层、第四隧穿结、第五子电池和电极接触...
    2026-01-02
  • 一种多结聚光太阳能电池及其制备方法
    一种多结聚光太阳能电池及其制备方法_江苏仲磊芯半导体有限公司_202511145052.2
    本发明涉及一种多结聚光太阳能电池及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的多结聚光太阳能电池包括衬底和设置在衬底上的子电池，子电池包括顶电池；顶电池包括沿背离衬底方向依次层叠设置的p型的背电场、p型的基区、n型的发射区和n型的窗口层；基...
    2026-01-02
  • 一种紧凑型静电和浪涌保护器件
    一种紧凑型静电和浪涌保护器件_深圳市晶扬电子有限公司_202511701402.9
    本发明提供了一种紧凑型静电和浪涌保护器件，包括晶圆和并联设置于晶圆内的多个器件模组，器件模组的两端分别与晶圆的上表面、晶圆的下表面电连接，晶圆的上表面和晶圆的下表面分别各设有一个电极，器件模组由M个堆叠的器件模块串联组成，M为正整数，M≥1...
    2026-01-02
  • 一种具有单一多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法
    一种具有单一多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法_上海新微技术研发中心有限公司_202410781436.2
    本发明提供一种具有单一多晶硅夹层的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供第一硅片，在所述第一硅片的表面形成第一氧化层；提供第二硅片，在所述第二硅片的表面形成第二氧化层；在所述第一氧化层或第二氧化层表面形成多晶硅层并进行化学机械抛...
    2026-01-02
  • 具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构
    具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构_英特尔公司_202511342358.7
    描述了具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构，以及制造具有电介质栅极墙和电介质栅极插塞的集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括具有突出于浅沟槽隔离(STI)结构上方的部分的子鳍。多个水平堆叠的纳米线在子鳍之上。栅极电介质材料层在...
    2026-01-02
  • 一种用于细胞培养检测的差分式低噪声集成式生物传感阵列及其制备方法
    一种用于细胞培养检测的差分式低噪声集成式生物传感阵列及其制备方法_中山大学_202511274691.9
    本发明公开了一种用于细胞培养检测的差分式低噪声集成式生物传感阵列及其制备方法，本发明差分式低噪声集成式生物传感阵列集成了ISHFET器件、REHFET器件和EXHFET器件，从而可以在进行体外细胞培养时检测细胞外动作电位信号和局部场电位信号...
    2026-01-02
  • 集成电路器件
    集成电路器件_三星电子株式会社_202510289941.X
    一种集成电路器件，包括沟道区、围绕沟道区的栅极线、与沟道区接触的源/漏区、以及从源/漏区的背面在竖直方向上穿过源/漏区的一部分的背面过孔接触部。源/漏区包括从源/漏区的底表面突出的底部外延层、与沟道区和底部外延层接触的阻挡外延层、以及填充由...
    2026-01-02
  • 一种共源共栅氮化镓HEMT器件结构
    一种共源共栅氮化镓HEMT器件结构_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511335814.5
    本申请提供了一种共源共栅氮化镓HEMT器件结构，包括：GaN HEMT，GaN HEMT具有源极、漏极和栅极；Si MOSFET，Si MOSFET具有源极、漏极、栅极，其中，Si MOSFET的漏极与GaN HEMT的源极相连，Si MO...
    2026-01-02
  • 一种具有三沟道与复合阵列Fin结构的器件及制备方法
    一种具有三沟道与复合阵列Fin结构的器件及制备方法_西安电子科技大学_202511290899.X
    本发明公开了一种具有三沟道与复合阵列Fin结构的器件及制备方法，器件，包括多个沿第一预设方向线性阵列排布的复合阵列结构，每个复合阵列结构包括：衬底层、缓冲层、第一沟道层、第一背势垒层、第二沟道层、第二背势垒层、第三沟道层、第三背势垒层；源极...
    2026-01-02
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511426831.X
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构及其制备方法中，由于肖特基接触在第一方向上位于相邻两个第一掺杂区之间，也就是在一个栅极结构对应的元胞内，肖特基接触与欧姆接触在第一方向上交替设置，相比于现有的在第二方向上...
    2026-01-02
  • 一种集成JBS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法
    一种集成JBS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法_深圳市汇芯通信技术有限公司_202511138157.5
    本发明公开了一种集成JBS二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法；所述器件结构包括Si C衬底以及设于所述Si C衬底正面的N型Si C漂移层、A l N成核层、外延结构、肖特基金属层和欧姆金属层和设于Si C衬底背面的背面电极；N型S...
    2026-01-02
  • 一种集成PIN二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法
    一种集成PIN二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法_深圳市汇芯通信技术有限公司_202511137885.4
    本发明公开了一种集成PIN二极管的GaN HEMT器件结构及制备方法；器件结构包括SiC衬底以及依次层叠于所述SiC衬底正面的N型SiC漂移层、P型注入区、AlN成核层、外延结构和欧姆金属层；AlN成核层覆盖于P型注入区的部分区域；外延结构...
    2026-01-02
  • 改善PMOS器件负偏压温度不稳定性的方法
    改善PMOS器件负偏压温度不稳定性的方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410768705.1
    本发明提供一种改善PMOS器件负偏压温度不稳定性的方法，通过采用炉管沉积工艺制备具有拉应力的氮化硅薄膜层，氮化硅炉管沉积工艺是将反应气体源高温加热分解使其进行化学反应，过程中的离子属于热运动，因此到达衬底表面不具有很大的加速度，所以可以有效...
    2026-01-02
  • 一种薄膜晶体管基互补型电路的集成方法
    一种薄膜晶体管基互补型电路的集成方法_北京大学_202511245226.2
    本发明提供一种薄膜晶体管基互补型电路的集成方法，属于集成电路微纳电子器件领域。本发明薄膜晶体管基互补型电路包括电极互连的P型TFT与N型TFT，其中P型TFT与N型TFT可以在同一衬底平面内实现二维共面集成，形成平面型CMOS电路；也可以通...
    2026-01-02
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