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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411068156.3
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括第一堆叠结构、第一位线和第二位线。第一堆叠结构包括多个沟道结构以及层叠设置的第一叠层结构、第一共极层和第二叠层结构，其中，第一共极层叠置于第...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411055639.X
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善第一位线与第二位线分别连接电路导致成本较高的问题。该半导体器件包括：沿第一方向层叠设置的第一堆叠结构、源极层和第二堆叠结构、第一位线、第二位线和第一...
    2026-01-03
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202411797774.1
    根据实施方式，提供具有第一器件构造、第二器件构造及绝缘部件的半导体装置。第一器件构造具有第一平坦面。第二器件构造具有第二平坦面。第二平坦面接合于第一平坦面。绝缘部件配置于第一器件构造的外端与第二器件构造的外端之间。绝缘部件具有平坦部。平坦部...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511300389.6
    本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底具有相背的第一表面和第二表面，所述衬底内形成有隔离层；器件结构，形成于所述隔离层远离所述第二表面一侧的所述衬底上；外围电路结构，形成于所述隔离层远离所述第一表面一侧的...
    2026-01-03
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202411678837.1
    提供一种半导体装置，其能够适当制造。半导体装置具备：多个导电层(110)，在积层方向上积层；第1及第2导体柱(120)，在积层方向上延伸，在与积层方向交叉的第1方向上排列；绝缘柱(131)，在积层方向上延伸，设置在第1及第2导体柱之间；半导...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410789702.6
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，所述半导体器件包括：位于衬底上间隔并阵列分布的多个存储单元，所述存储单元包括堆叠设置在所述衬底上的晶体管和磁性隧道结；所述晶体管包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极...
    2026-01-03
  • 存储器件
    存储器件_长江存储科技有限责任公司_202411321182.2
    本申请实施例提供了一种存储器件；该存储器件包括：层叠设置的多个第一堆叠结构；第一堆叠结构包括若干沿第一方向交替设置的第一导电层及第一介质层；多个沟道结构；沟道结构贯穿多个第一堆叠结构；至少一个半导体层；半导体层与至少一个第一堆叠结构中的沟道...
    2026-01-03
  • 存储器件及其控制方法
    存储器件及其控制方法_长江存储科技有限责任公司_202411320221.7
    本申请实施例提供了一种存储器件及其控制方法；其中，存储器件包括层叠设置的多个第一堆叠结构；第一堆叠结构包括若干沿第一方向交替设置的第一导电层及第一介质层；多个第一导电结构，每个第一导电结构与多个第一堆叠结构中至少两个第一堆叠结构的一个第一导...
    2026-01-03
  • 存储器件及其制作方法、存储器系统
    存储器件及其制作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411319696.4
    本申请实施例提供了一种存储器件及其制作方法、存储器系统；其中，该存储器件包括：层叠设置的多个第一堆叠结构；第一堆叠结构包括若干沿第一方向交替设置的第一导电层及第一介质层；第一导电结构，第一导电结构沿第一方向延伸且与多个第一堆叠结构中至少两个...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410982899.5
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善第一位线与第二位线使用较多金属线导致成本较高的问题。该半导体器件包括：沿第一方向依次层叠设置的第一堆叠结构、源极层和第二堆叠结构，第一位线和第二位线...
    2026-01-03
  • 一种11比特浮栅存储器及其制备方法
    一种11比特浮栅存储器及其制备方法_河南省科学院半导体研究所_202511312930.5
    本发明属于无机半导体纳米材料技术领域，具体公开了一种11比特浮栅存储器及其制备方法。所述11比特浮栅存储器包括：基底层；设置在基底层之上的浮栅层，设置在浮栅层之上的隧穿/阻挡复合层，非邻接平行设置在隧穿/阻挡复合层之上的沟道层和控制栅极，以...
    2026-01-03
  • 半导体装置和包括半导体装置的电子系统
    半导体装置和包括半导体装置的电子系统_三星电子株式会社_202510581331.7
    提供了半导体装置和电子系统。半导体装置包括：基底；栅电极，在基底上；栅极绝缘膜，在基底与栅电极之间；沟槽，限定在基底、栅极绝缘膜和栅电极内；衬膜，在沟槽内，并且沿栅极绝缘膜的侧表面的至少一部分延伸，其中，衬膜与沟槽的下表面间隔开；以及绝缘层...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_长江存储科技有限责任公司_202411158625.0
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制作方法；其中，该半导体器件包括：层叠设置的第一堆叠结构、半导体层和第二堆叠结构；第一沟道结构，贯穿第一堆叠结构，包括第一沟道层；第二沟道结构，贯穿第二堆叠结构，包括第二沟道层；连接结构，贯穿半导体层，包...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统
    半导体结构及其制备方法、存储器和存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411118066.0
    本申请实施方式提供了一种半导体结构、半导体结构的制备方法、存储器和存储系统，其中，半导体结构包括第一叠层结构、第二叠层结构、半导体层和沟道结构；第一叠层结构包括第一栅极层和第一选择栅，第一栅极层沿第一方向位于第一选择栅的一侧；第二叠层结构沿...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411075351.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善第一位线与第二位线分别连接电路导致成本较高的问题。该半导体器件包括：沿第一方向层叠设置的第一堆叠结构和第二堆叠结构、第一位线、第二位线和第一栅极隔离...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202410978555.7
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善由于增加沟道结构的长度导致沟道结构中电流强度弱的问题。该半导体器件包括：沿第一方向依次层叠设置的第一堆叠结构、源极层和第二堆叠结构，以及沟道结构。其中，沟道结构贯穿第一...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410976332.7
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：第一堆叠结构。第一堆叠结构包括多个沟道结构以及层叠设置的第一叠层结构、第一中间结构和第二叠层结构。第一中间结构叠置于第一叠层结构与第二叠层...
    2026-01-03
  • 存储单元、存储器及其制备方法、电子设备
    存储单元、存储器及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410764330.1
    一种存储单元，包括：沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅极、第二栅极和第一半导体层。第一栅极沿垂直于衬底的第二方向延伸，第二栅极和第一半导体层沿第一方向延伸。第一栅极部分环绕第一半导体层，第一半导体层部...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411046715.0
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：层叠设置的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构包括第一叠层结构和多个支撑部。第二堆叠结构包括第二叠层结构和多个沟道结构，沟道结构沿层叠...
    2026-01-03
  • 半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202411046699.5
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域。该半导体结构包括：层叠设置的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构包括第一叠层结构和多个第一连接部。第一连接部沿层叠方向贯穿第一叠层结构，第一叠层结构包括...
    2026-01-03
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