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最新专利技术
  • 一种集成于芯片顶盖的一体化散热装置
    一种集成于芯片顶盖的一体化散热装置_上海应用技术大学_202511267282.6
    本发明涉及一种集成于芯片顶盖的一体化散热装置，包括由上至下布置的散热顶盖、分流板、散热冷板和核心裸板，其中，核心裸板上安装有芯片内核，散热顶盖上开设有用于冷却工质流入流出的一对工质流动口，工质流动口与散热器接头相连接，散热顶盖朝向分流板的一...
    2026-02-02
  • 一种两段式圆柱-流线型圆柱针翅的微通道散热器
    一种两段式圆柱-流线型圆柱针翅的微通道散热器_南京理工大学_202511166935.1
    本发明公开了一种两段式圆柱‑流线型圆柱针翅的微通道散热器结构，涉及散热器技术领域。目的在于克服传统微通道散热器在高热流密度电子器件中散热能力不足、综合性能有限等问题。该结构包括：微通道，所述微通道内设有两段式圆柱‑流线型圆柱针翅；所述针翅固...
    2026-02-02
  • 一种芯片散热结构及其设计方法、芯片封装结构
    一种芯片散热结构及其设计方法、芯片封装结构_飞腾信息技术有限公司_202511108011.6
    本申请提供了一种芯片散热结构及其设计方法、芯片封装结构，芯片散热结构，包括：裸片，包括基底以及设置在所述基底一侧表面的有源器件层；仿生微流道，设置在所述基底上，并通过导流冷却液对所述有源器件层进行冷却，且所述仿生微流道呈血管网络状。此结构不...
    2026-02-02
  • 一种均热板、散热盖和封装结构
    一种均热板、散热盖和封装结构_长电科技管理有限公司_202511077508.6
    本发明涉及半导体封装技术领域，提供了一种均热板、散热盖和封装结构，包括：壳体，所述壳体具有真空内腔，所述壳体的内表面设有第一毛细层，所述壳体包括相对设置的第一底板和第二底板；支撑柱，所述支撑柱设于所述壳体的真空内腔内且两端分别连接第一底板和...
    2026-02-02
  • 封装结构及封装方法
    封装结构及封装方法_圣崴科技股份有限公司_202411662205.6
    本公开提供一种封装结构及封装方法。所述封装结构包括基板、设置在基板上且具有远离基板的晶背表面的晶片，设置在基板上方且具有朝向晶背表面的表面的散热器，以及设置在晶片与散热器之间的热界面材料，其中晶片和散热器之间不存在有机接着剂。
    2026-02-02
  • 功率器件模块、电源模块、电驱动系统和车辆
    功率器件模块、电源模块、电驱动系统和车辆_法雷奥新能源汽车德国有限责任公司_202410772572.5
    公开了一种功率器件模块，包括：散热构件，包括主体，所述主体包括顶面和邻近所述顶面设置在主体中的冷却回路；和电路板组件，邻近所述散热构件的主体的顶面设置，且包括电路板和功率器件，所述功率器件包括第一发热元件，所述第一发热元件安装在所述电路板上...
    2026-02-02
  • 一种中大功率储能电源用SiCMOSFET和二极管单片集成SiP功率模块
    一种中大功率储能电源用SiCMOSFET和二极管单片集成SiP功率模块_西安英冉半导体科技有限公司_202511271557.3
    本发明涉及SiP功率模块技术领域，且公开了一种中大功率储能电源用SiCMOSFET和二极管单片集成SiP功率模块。包括芯片，所述芯片由单片集成的SiCMOSFET单元和二极管构成，所述芯片的后表面设置有模块封装板，所述芯片的前表面设置有衬底...
    2026-02-02
  • 基于碳增强金属基复合材料垫块的压接型功率半导体模块封装架构
    基于碳增强金属基复合材料垫块的压接型功率半导体模块封装架构_华中科技大学_202511209189.X
    本发明属于复合材料技术领域，公开了一种基于碳增强金属基复合材料垫块的压接型功率半导体模块封装架构，该架构包括：压接型功率半导体模块中，芯片上下极板需要通过垫块引出，进而实现与外部电路的电气连接。本发明将碳增强金属基复合材料替换传统的钼材料作...
    2026-02-02
  • 封装器件及其制造方法
    封装器件及其制造方法_长电微电子(江阴)有限公司_202511108081.1
    本发明涉及一种封装器件及其制造方法。所述封装器件包括：第一封装结构，包括沿第一方向相对分布的第一主面和第二主面，第一封装结构包括堆叠体，堆叠体包括垂直互联线、互联芯片以及沿第一方向依次堆叠于互联芯片的表面上的多个功能芯片，垂直互联线电连接互...
    2026-02-02
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510751275.7
    本发明的目的是提供一种减少端子倾斜或位置偏移的半导体装置。本发明的半导体装置包括半导体芯片(20)、第一端子、壳体(30)以及第二端子。半导体芯片(20)包括第一电极和第二电极。第一端子电连接到半导体芯片(20)的第一电极。壳体(30)容纳...
    2026-02-02
  • 具有半导体管芯层的半导体封装
    具有半导体管芯层的半导体封装_闪迪技术公司_202411613722.4
    本公开提供了一种用于半导体封装的半导体管芯层，该半导体管芯层包括第一半导体管芯和与该第一半导体管芯相邻的第二半导体管芯。该第一半导体管芯和该第二半导体管芯通过位于这些管芯之间的填充材料接合在一起。第一RDL和第二RDL设置在该半导体管芯层的...
    2026-02-02
  • 具有集成温度传感器的分立半导体器件封装
    具有集成温度传感器的分立半导体器件封装_力特半导体(无锡)有限公司_202410768625.6
    提供了一种半导体封装。半导体封装可以包括壳体；半导体芯片，该半导体芯片设置在壳体内；顶部连接器，该顶部连接器连接到半导体芯片；引线框，该引线框耦合到顶部连接器；以及温度传感器芯片，该温度传感器芯片设置在顶部连接器上。
    2026-02-02
  • 一种陶瓷封装基座组合板
    一种陶瓷封装基座组合板_德阳三环科技有限公司_202511083012.X
    本申请公开了一种陶瓷封装基座组合板，包括基座单元和连接单元，基座单元有若干个且依次阵列连接，基座单元包括第一绝缘基板、第二绝缘基板和第三绝缘基板，第二绝缘基板上设有上部焊盘和下部焊盘，同一基座单元的上部焊盘与下部焊盘电绝缘，上部焊盘与第三绝...
    2026-02-02
  • 封装结构
    封装结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511162084.3
    根据本公开的封装结构包括：封装衬底；接合至封装衬底且包括多个管芯的封装组件；设置在封装组件和封装衬底上方的盖；以及夹在封装组件和盖之间的热界面材料(TIM)层。盖包括多个从盖的底面延伸至TIM层中的散热器图案。
    2026-02-02
  • 半导体装置及半导体元件
    半导体装置及半导体元件_三菱电机株式会社_202511671907.5
    本发明涉及半导体装置及半导体元件。提供即使在由于由温度循环引起的应力而使半导体元件从封装树脂承受到应力的情况下，也对半导体元件表面的保护膜的剥离进行了抑制的半导体装置。具有：基板；半导体元件，其与基板接合；以及封装树脂，其对基板的至少一部分...
    2026-02-02
  • 一种封装晶圆的分切方法、器件
    一种封装晶圆的分切方法、器件_南昌大学_202511272314.1
    本发明公开了一种封装晶圆的分切方法、器件，分切方法包括：从玻璃盖板正面对玻璃盖板进行激光隐切，在晶圆背面生成切割定位标记，从晶圆背面沿着切割定位标记对晶圆进行砂轮切割，砂轮切割的深度延伸至玻璃盖板靠近晶圆一侧，通过砂轮施加于玻璃盖板的机械应...
    2026-02-02
  • 导电结构及其制造方法
    导电结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511288035.4
    一种导电结构，其包括基板、至少一堆叠层、导电特征、导电通道及保护层。导电特征设置于基板中。至少一堆叠层设置于基板上。导电通道延伸通过至少一堆叠层并电性连接导电特征。保护层环绕导电通道的上外缘部。保护层的设置能避免导电通道产生弓形轮廓，进而提...
    2026-02-02
  • 半导体器件的后道工艺方法及器件产品
    半导体器件的后道工艺方法及器件产品_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511223882.2
    本申请公开了一种半导体器件的后道工艺方法及器件产品，该方法包括：提供一衬底，衬底上形成有半导体器件，半导体器件上形成有金属互连结构，金属互连结构用于将半导体器件的电极引出，金属互连结构中的金属层以及接触孔包含金属铜；在金属互连结构上形成刻蚀...
    2026-02-02
  • 互连结构及其制作方法
    互连结构及其制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202511067127.X
    本发明提供一种互连结构及其制作方法，包括：提供一基底，所述基底包括依次层叠的衬底和介电层，所述介电层中形成有沟槽；在所述沟槽的内表面形成籽晶层；通过兆声波辅助电镀工艺在所述籽晶层上形成第一金属化层；形成位于所述沟槽内及所述介电层之上的第二金...
    2026-02-02
  • 宏微跨尺度一体化集成器件及其制备方法
    宏微跨尺度一体化集成器件及其制备方法_乾元国家实验室_202511048291.6
    本申请涉及跨尺度激光增材制造技术领域，公开一种宏微跨尺度一体化集成器件及其制备方法。其中，宏微跨尺度一体化集成器件包括基体、第一电极组、半导体层和第二电极。第一电极组设置于基体上，第一电极组包括两个第一电极，两个第一电极之间具有间隙。半导体...
    2026-02-02
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