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最新专利技术
  • RF半导体装置和其制造方法
    RF半导体装置和其制造方法_QORVO美国公司_202511285333.8
    本公开涉及RF半导体装置和其制造方法。本公开涉及一种射频(RF)装置，该RF装置包含模制装置管芯和位于模制装置管芯之下的多层重新分布结构。模制装置管芯包含装置区域、导热薄膜和第一模制化合物，装置区域具有后段制程(BEOL)部分和位于BEOL...
    2026-02-02
  • 一种正装和倒装MOS芯片混合封装结构及工艺
    一种正装和倒装MOS芯片混合封装结构及工艺_合肥矽迈微电子科技有限公司_202511227226.X
    本发明公开了一种正装和倒装MOS芯片混合封装结构及工艺，该工艺包括以下步骤：每个芯片背面导电胶与包封体齐平外露，正面铜柱与包封体齐平外露，包封体高度相同；正装包封体导电胶面贴装在基板上，倒装包封体铜柱面贴装在基板上，包封后拆板翻转重新放置到...
    2026-02-02
  • 一种集成电路芯片封装加工装置
    一种集成电路芯片封装加工装置_北京芯永京达科技有限公司_202511210192.3
    本发明公开了一种集成电路芯片封装加工装置，包括下模具、上模具以及限位板结构，下模具以及上模具的中部均设置有注塑腔，在下模具的顶部设置有下沉状态的引线槽，在引线槽的内壁上开设有卡合口，在上模具的底部安装固定有密封圈，在密封圈的底部位置等距离设...
    2026-02-02
  • 一种半导体器件塑封方法
    一种半导体器件塑封方法_佛山市蓝箭电子股份有限公司_202511177471.4
    本发明涉及半导体器件塑封方法技术领域，具体公开了一种半导体器件塑封方法，包括合模注塑阶段、排气阶段、二次合模阶段；本申请将注塑压力和合模压力按照塑料填充进度分段处理，相比传统的一次合模注塑采用合模压力为和注塑压力不变的方法，冲丝率明显降低；...
    2026-02-02
  • 晶圆表面钝化方法、晶圆寿命测试方法
    晶圆表面钝化方法、晶圆寿命测试方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511095839.2
    本公开提供了晶圆表面钝化方法、晶圆寿命测试方法，包括：在晶圆的表面上形成氧化膜层，并在氧化膜层中沉积与晶圆中的多数载流子电性相反的电荷，以对所述晶圆的表面进行钝化，其中，在进行所述电荷的沉积之前和之后中的至少一种情况下，在氧化膜层中形成能够...
    2026-02-02
  • 一种用于集成电路芯片的封装设备
    一种用于集成电路芯片的封装设备_徐州领测半导体科技有限公司_202511084967.7
    本发明提供一种用于集成电路芯片的封装设备，包括：芯片输送组件；包括柔性定位机构，柔性定位机构包括柔性输送单元和多个柔性定位框，多个柔性定位框设置在柔性输送单元上，柔性定位框用于承载芯片；载带处理组件，包括加热单元和压合机构，加热单元设置压合...
    2026-02-02
  • 用于在使用布置在功率管线上方的多个空气出口或通道的情况下制造半导体封装件的方法
    用于在使用布置在功率管线上方的多个空气出口或通道的情况下制造半导体封装件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510789228.1
    制造半导体封装件的方法包括：提供包括管芯焊盘和包括第一侧面和对置的第二侧面的第一功率管线的引线框架；将至少一个功率半导体管芯布置在管芯焊盘上，将功率半导体管芯与第一功率管线电连接；将引线框架布置在模具的空腔中使得第一功率管线在空腔的第一横向...
    2026-02-02
  • 一种芯片封装结构及其封装方法
    一种芯片封装结构及其封装方法_烟台睿创微纳技术股份有限公司_202511358406.1
    本申请涉及芯片封装领域，公开了一种芯片封装结构及其封装方法，包括：准备整版基板，整版基板包括多个介质基板；将多个芯片分别固定在介质基板的上表面并与介质基板中的导电线路层电连接；准备整版有机板材；整版有机板材的下表面一侧具有多个阵列分布的凹槽...
    2026-02-02
  • 电子封装模块及其制造方法
    电子封装模块及其制造方法_环鸿电子(昆山)有限公司_202511280772.X
    提供一种电子封装模块及其制造方法，此方法包含提供载板，并在载板上设置导电柱。提供线路基板，并在线路基板的表面上设置电子元件及焊接材料。电子元件具有远离线路基板的平面，并且电性连接至线路基板。在线路基板上设置焊接材料之后，在每个焊接材料上分别...
    2026-02-02
  • 电子封装模块及其制造方法
    电子封装模块及其制造方法_环鸿电子(昆山)有限公司_202511280160.0
    提供一种电子封装模块及其制造方法，包含提供具可剥层的载板。在可剥层上设置多个导电柱。可剥层覆盖每个导电柱的一区块，而每个导电柱分别连通可剥层的相对两侧。提供线路基板，并在线路基板上设置多个接垫。将电子元件设置并电性连接于线路基板上。在设置导...
    2026-02-02
  • 一种3D-SiP微组装通用工装及工艺
    一种3D-SiP微组装通用工装及工艺_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202511161048.5
    本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种3D‑SiP微组装通用工装及工艺，通用工装包括用以设置待装配基板的装配工装，装配工装的上表面设置有限位槽，限位槽内形成有若干级限位气密台阶，限位槽的底部形成吸附孔，吸附孔贯穿装配工装并连通至气道；还...
    2026-02-02
  • 功率模块及其封装方法
    功率模块及其封装方法_重庆奕能科技有限公司_202511113377.2
    本公开提供了一种功率模块及其封装方法，该封装方法包括：在底板上设置第一框架，且底板上设置有基板，基板上设置有芯片；第一框架围绕基板；在第一框架内填充第一绝缘材料；固化第一绝缘材料，使第一绝缘材料包裹基板中异质材料的结合区域。该封装方法通过设...
    2026-02-02
  • 超薄封装基板的导通孔制作方法
    超薄封装基板的导通孔制作方法_浙江创豪半导体有限公司_202511695298.7
    本发明提供一种超薄封装基板的导通孔制作方法，涉及封装基板技术领域。包括步骤1：提供一超薄封装基板；步骤2：对超薄封装基板钻出钻孔靶标；步骤3：进行钻孔前棕化处理；步骤4：钻VOP盲孔；步骤5：对VOP盲孔除胶渣；步骤6：电镀填孔；所述步骤4...
    2026-02-02
  • 基于微流道的集成电路散热方法及装置
    基于微流道的集成电路散热方法及装置_张江国家实验室_202511349953.3
    本公开涉及一种基于微流道的集成电路散热方法及装置。该方法包括：使用混合键合技术将集成电路的存储层、热沉层以及逻辑芯片层依次互连，其中逻辑芯片层包含一个或多个逻辑芯片；在热沉层与逻辑芯片层中的至少一个逻辑芯片之间构建导热通道；以及在热沉层中设...
    2026-02-02
  • 一种晶圆级封装结构及制作方法
    一种晶圆级封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511296956.5
    本发明公开了一种晶圆级封装结构及制作方法，包括：步骤一：准备待加工晶圆，将所述晶圆作为封装的基础载体；步骤二：在所述晶圆的上方涂布光刻胶，对所述光刻胶进行曝光显影以形成光阻层一，并对所述光阻层一进行固化处理；步骤三：在所述光阻层一的上方设置...
    2026-02-02
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510735017.X
    本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够控制在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行第一...
    2026-02-02
  • 成膜方法和成膜装置
    成膜方法和成膜装置_东京毅力科创株式会社_202510735016.5
    本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高在凹部内嵌入膜时的嵌入特性。本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：准备具有凹部的基板；向所述基板供给氨基硅烷，来在所述凹部的表面形成抑制层；通过将向所述基板非同时地供给硅原料和氮化剂的循环进行第一...
    2026-02-02
  • 功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用
    功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用_深圳市先进连接科技有限公司_202511687776.X
    本发明公开了一种功率半导体芯片顶部金属层的制备方法与应用，涉及功率半导体连接技术领域，其中方法包括：将金属烧结材料涂覆在功率半导体芯片或晶圆的顶部，接着进行烧结处理；当烧结处理为有压烧结处理时，将涂覆金属烧结材料的功率半导体芯片或晶圆以第一...
    2026-02-02
  • 抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法
    抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法_中国科学院光电技术研究所_202511315106.5
    本发明涉及超分辨成像技术领域，特别涉及抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构、结构晶圆及制备方法。本发明抑制贵金属扩散的硬掩模叠层结构包括硅衬底，所述硅衬底上依次设置有硬掩模层、金属阻挡层、贵金属膜层。所述金属阻挡层包括Si3N4、TiN、Al2O...
    2026-02-02
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511676224.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：衬底；形成于衬底上的图形化光刻胶层；其中，图形化光刻胶层使得部分衬底暴露，图形化光刻胶层包括第一子图形化光刻胶层和第二子图形化光刻胶层；第一子图形化光刻胶层包括第一光刻胶图形结...
    2026-02-02
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