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最新专利技术
  • 一种BiSb双金属涂层锌电极制备方法及在水系锌离子电池的应用
    一种BiSb双金属涂层锌电极制备方法及在水系锌离子电池的应用_三峡大学_202511219515.5
    本发明涉及一种BiSb双金属涂层锌电极制备方法及在水系锌离子电池的应用。负极材料的清洗：将锌负极材料置于有机溶剂中超声清洗；将BiCl3和SbCl3加入到有机溶液中，搅拌得到置换液；将锌负极材料作为工作电极，置于置换液中得到改性锌电极材料。...
    2026-02-06
  • 一种熔盐储能铝电池电极及其制备方法
    一种熔盐储能铝电池电极及其制备方法_武汉理工大学_202511001881.3
    本发明公开了一种熔盐储能铝电池电极及其制备方法，所述熔盐储能铝电池电极由水泥、石墨颗粒、石墨烯和熔盐稳定剂复合制成，其中水泥基材料占复合材料总质量的10％～50％，石墨占50％～80％，石墨烯占1％～5％，熔盐稳定剂占5％～15％。该设计充...
    2026-02-06
  • 全固态电池的制造方法
    全固态电池的制造方法_BEI实验室株式会社_202411384926.5
    本发明提供一种全固态电池的制造方法，包括：混合物形成步骤，将涂覆有润滑材料的正极活性物质的粉末和电解质的粉末混合以形成混合物；涂布步骤，将所述混合物涂布于正极集电体上；以及压制步骤，对所述混合物和所述正极集电体进行压制。根据本发明，能够减少...
    2026-02-06
  • 集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线
    集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410752111.1
    一种集流体制备设备、集流体的制备方法及电池单体的生产线。集流体制备设备包括放卷机构、收卷机构和镀膜机构，放卷机构用于放卷集流体的基膜，收卷机构设于放卷机构的下游且用于收卷制备得到的集流体；镀膜机构设于放卷机构和收卷机构之间，镀膜机构包括多个...
    2026-02-06
  • 一种微型表贴八通道超低容静电防护芯片
    一种微型表贴八通道超低容静电防护芯片_深圳市高特微电子有限公司_202410732399.6
    本发明公开了一种微型表贴八通道超低容静电防护芯片，它涉及半导体技术领域。金属引线框架的GND端左右两侧放置的银浆焊料上均安置有四通道超低容单向静电防护芯片，左侧芯片的四个开窗口通过金属导线分别与金属引线框架的1脚、2脚、8脚、9脚电性连接，...
    2026-02-06
  • 一种千兆网口双通道超低容抗雷击芯片
    一种千兆网口双通道超低容抗雷击芯片_深圳市高特微电子有限公司_202410719771.X
    本发明公开了一种千兆网口双通道超低容抗雷击芯片，它涉及半导体技术领域；金属引线框架2脚、4脚、6脚、8脚内侧的银浆焊料上均安置有降容芯片，1脚、3脚、5脚、7脚内侧的银浆焊料上均安置有静电防护芯片，每颗静电防护芯片上均植入金属球，金属引线框...
    2026-02-06
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511543948.6
    一种封装结构及其形成方法，结构包括：第一重布线结构包括介电层以及位于介电层中的功能走线；功能芯片，设置于第一面上，且功能芯片与第一重布线结构电连接；应力控制结构，位于功能芯片底部的介电层中，应力控制结构与功能走线电隔离。应力控制结构可以抵消...
    2026-02-06
  • 一种晶片阵列封装模块及其制备方法和功率器件
    一种晶片阵列封装模块及其制备方法和功率器件_中科同德微电子科技(大同)有限公司_202511324232.7
    本申请提供一种晶片阵列封装模块及其制备方法和功率器件，涉及半导体领域。晶片阵列封装模块包括：载板，沿厚度方向的至少一面具有导电层，导电层用于与外部电连接；若干晶片，每个晶片包括沿厚度方向相对设置的第一面和第二面，第一面形成有源极和栅极，第二...
    2026-02-06
  • 一种多陶瓷基板叠焊互连结构及其产品制作方法
    一种多陶瓷基板叠焊互连结构及其产品制作方法_北京新雷能科技股份有限公司_202410752605.X
    本发明提供了一种多陶瓷基板叠焊互连结构及其产品制作方法，涉及混合集成电路封装技术领域，其中陶瓷绝缘板焊接于金属壳体的底部，陶瓷功率板焊接于陶瓷绝缘板上，陶瓷高密度板焊接于陶瓷功率板上。陶瓷功率板位于正面的第一布线层和位于反面的第二布线层之间...
    2026-02-06
  • 芯片结构、功能器件和芯片封装方法
    芯片结构、功能器件和芯片封装方法_浙江清华柔性电子技术研究院_202410745239.5
    本申请实施例公开了一种芯片结构、功能器件和芯片封装方法。芯片结构包括了芯片本体、支撑体、互联通道和液体填料，支撑体起到支撑芯片本体的作用，支撑体由柔性材料制成，因此支撑体是可以弯折和拉伸的，而在支撑体被拉伸或压缩的过程中，互联通道会产生形变...
    2026-02-06
  • 一种晶圆级系统封装结构及电子装置
    一种晶圆级系统封装结构及电子装置_上海易卜半导体有限公司_202511280441.6
    本公开提供一种晶圆级系统封装结构及电子装置，涉及半导体技术领域，包括：衬底，衬底上形成有阵列排布的第一芯片以及桥接芯片，桥接芯片位于第一芯片背离衬底的一侧，沿垂直于衬底所在平面的方向上，桥接芯片在衬底上的投影与第一芯片至少部分交叠，桥接芯片...
    2026-02-06
  • 芯粒模块和封装结构
    芯粒模块和封装结构_上海壁仞科技股份有限公司_202511640542.X
    本公开实施例提供一种芯粒模块和封装结构，包括：多个芯粒以及控制器，其中每个芯粒包括多个接口区，且每个接口区被配置为能够与其他芯粒的多个接口区匹配；控制器被配置为控制所述多个芯粒之间的互联，且被配置为控制所述多个芯粒之一的一接口区在不同芯粒排...
    2026-02-06
  • 一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法
    一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法_江西誉鸿锦电子技术有限公司_202511263003.9
    本发明提供了一种MOS倒装芯片封装结构及其封装方法，包括封装基板和其上具有若干凸块的倒装芯片；封装基板的正面上形成有第一源极焊盘、第一漏极焊盘和两个第一栅极焊盘，第一源极焊盘、第一漏极焊盘和两个第一栅极焊盘内均形成有梯度导流槽，梯度导流槽的...
    2026-02-06
  • 铜片及半导体功率器件
    铜片及半导体功率器件_南通尚阳通集成电路有限公司_202511323453.2
    本申请公开了一种铜片及半导体功率器件，涉及半导体功率器件技术领域。铜片包括芯片连接结构、引线框架连接结构及桥接结构，芯片连接结构包括主体部、第一延伸部和第一导通部，主体部与桥接结构固定连接，第一延伸部与主体部间隔设置，第一导通部设于主体部和...
    2026-02-06
  • 一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺
    一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺_广州齐达材料科技有限公司_202511179007.9
    本发明涉及放大器技术领域，具体涉及一种高频功率放大器及高频功率放大器的生产工艺。包括热沉材料、绝缘层、引线框架、无源器件、封盖以及芯片，所述热沉材料采用CPC、CMC、CWC或C金刚石材质，所述绝缘层为陶瓷材料，所述引线框架为可伐合金，所述...
    2026-02-06
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410756923.3
    本公开的实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的性能。半导体器件包括：第一半导体结构、第三键合层和第二半导体结构；第一半导体结构包括第一键合层及延伸至第一键合层内部的第一键合垫；第二半导体结构...
    2026-02-06
  • 一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法
    一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法_中国电力科学研究院有限公司_202511639258.0
    本发明涉及一种具有高过载能力的功率模块封装结构及封装方法。本发明提供的具有高过载能力的功率模块封装结构，包括上电极组件、第一低热阻结合层、芯片、第二低热阻结合层、下电极板，所述上电极组件包括固定连接的上电极板和凸台电极；所述第一低热阻结合层...
    2026-02-06
  • 一种集成散热的封装结构及其制作方法
    一种集成散热的封装结构及其制作方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511317475.8
    本发明提供了一种集成散热的封装结构及其制作方法，属于半导体封装技术领域，所述集成散热的封装结构包括塑封体、至少一个第一芯片、第二芯片、散热层、重布线层以及第一连接凸点，所述第二芯片位于所述第一芯片的上方，且与所述第一芯片电连接，所述第二芯片...
    2026-02-06
  • 一种多芯片封装结构及制作方法
    一种多芯片封装结构及制作方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511316621.5
    本发明提供了一种多芯片封装结构及制作方法，属于半导体封装技术领域，所述多芯片封装结构包括塑封体、至少一个第一芯片、第二芯片、重布线层以及第一连接凸点，所述第一芯片塑封于所述塑封体内；所述第二芯片塑封于所述塑封体内，所述第二芯片位于所述第一芯...
    2026-02-06
  • 一种功率模块散热底板及其制造方法
    一种功率模块散热底板及其制造方法_合肥钧联汽车电子有限公司_202511527135.8
    本发明提供了一种功率模块散热底板及其制造方法，包括散热底板以及形成于其内部的冷却流道系统，所述冷却流道系统包括多个流道单元，所述流道单元利用其内部通道的弯曲结构与翼状结构的非对称布置，使冷却介质在正向流动时流阻低于反向流动时的流阻，从而实现...
    2026-02-06
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