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  • 本发明提供了一种功率模块散热底板及其制造方法,包括散热底板以及形成于其内部的冷却流道系统,所述冷却流道系统包括多个流道单元,所述流道单元利用其内部通道的弯曲结构与翼状结构的非对称布置,使冷却介质在正向流动时流阻低于反向流动时的流阻,从而实现...
  • 本发明涉及一种微通道散热结构及其制备方法。该结构包括玻璃基板,其上垂直贯通有多个TGV通孔;第一散热层,其被配置为对芯片进行散热;以及第二散热层,其被配置为对所述TGV通孔进行散热,所述第二散热层设于所述第一散热层下方,所述第二散热层与所述...
  • 一种基板结构及其形成方法、封装结构,基板结构包括:核心面板,核心面板的材料为金属材料;导电柱,嵌设在核心面板中且贯穿核心面板;第一绝缘层,位于导电柱的侧壁和核心面板之间,第一绝缘层环绕覆盖导电柱的侧壁,并暴露导电柱的端面。核心面板采用金属材...
  • 本发明公开了一种基于微泵的自闭环微系统风冷散热结构,包括微通道散热器、微泵、风机组合、测温光纤、控制模块和冷却液等。本发明采用液冷内循环结合风冷外循环的散热形式,将高热流密度功率芯片风冷散热问题转化为常规风冷散热问题,解决了当前工程中高热流...
  • 本发明涉及一种芯片集成散热系统及其制备方法,属于半导体器件散热的技术领域。所述芯片集成散热系统包括与芯片贴合的纳米金刚石过渡层;所述纳米金刚石过渡层远离芯片的一侧设有微柱阵列支撑层;所述微柱阵列支撑层与金刚石薄膜的一个面接触,金刚石薄膜的另...
  • 本揭露提供一种电子装置,包括电子单元、封装层、电路结构以及第一散热层。封装层环绕电子单元。电路结构配置于封装层上,且电性连接电子单元。第一散热层配置于封装层上且相对于电路结构。电路结构包括导电部以及环绕导电部的绝缘部。第一散热层包括第一体积...
  • 本揭露提供一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包括电子单元、封装层、电路结构、保护层、第一导热组件以及第二导热组件。封装层环绕电子单元,且具有彼此相对的第一侧与第二侧。电路结构配置于封装层的第一侧,且电性连接电子单元。保护层配置于封装层的...
  • 本揭露提供一种电子装置及其制作方法。电子装置包括电子单元、封装层、电路结构以及第一导热组件。封装层环绕电子单元,且具有彼此相对的第一侧与第二侧。电路结构配置于封装层的第一侧,且电性连接电子单元。第一导热组件配置于封装层的第二侧。以俯视观之,...
  • 本发明涉及封装基板领域,特别涉及一种异质叠构封装基板及其制作方法。所述封装基板内含有玻璃芯板,所述封装基板表面和所述玻璃芯板之间含有一个或多个第一芯板;所述玻璃芯板和所述第一芯板之间含有一层或多层线路层;所述第一芯板之间含有一层或多层线路层...
  • 本发明提供了一种超高密度三维堆叠封装结构,所述超高密度三维堆叠封装结构包括基板、堆叠结构和堆叠芯片。本发明通过设置有底层基板,在基板上方连接有由多个堆叠硅片组成的堆叠结构。在同一层相邻两个堆叠硅片之间采用高精度腔体刻蚀技术加工出用于安装芯片...
  • 本发明公开了基于2.5D封装的超算芯片异构封装结构及封装方法,其中超算芯片异构封装结构包括基板和硅中介层,硅中介层包括上RDL布线层一、下RDL布线层一和位于上RDL布线层一与下RDL布线层一之间的中间层, 在硅中介层的上表面上焊接有ASI...
  • 本发明公开了一种功率模块封装结构。本发明中所述芯片在每个金属焊盘的边缘处与芯片基板连接部分设置非线性电导材料涂层,金属焊盘的边缘处与芯片基板连接部分即为金属焊盘、芯片基板与绝缘灌封材料三者相交接处,也就是三相点处。通过非线性电导材料涂层的设...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种封装基板、封装结构及其形成方法。所述封装基板包括:基板本体,包括相对分布的顶面和底面;顶部焊垫,位于所述基板本体的顶面上;底部焊垫,位于所述基板本体的底面上,所述底部焊垫包括朝向所述基板本体的正面和...
  • 一种半导体封装包括:基板;半导体裸片,其安装在所述基板上;天线块,其安装在所述基板上并且在所述半导体裸片的第一侧,其中所述天线块具有的高度大于所述半导体裸片的高度;互连结构,其安装在所述基板上并且在所述半导体裸片的第二侧,其中所述第一侧与所...
  • 本技术涉及用于半导体装置的热管理系统及方法。在实施例中,一种半导体装置包括中介层,所述中介层包括第一侧及第二侧。所述第一侧与所述第二侧相对。所述装置进一步包括耦合到所述第一侧的第一电路及耦合到所述第二侧的第二电路。所述装置进一步包括耦合到所...
  • 半导体装置具备基板(50、60)、半导体元件(40)及树脂成形体(30)。基板(50、60)的绝缘基材(51、61)具有从形成图案的表面金属体(52、62)露出的露出面(511、611)。半导体装置具备脆弱层(101),该脆弱层层叠于露出面...
  • 本发明公开了一种多项目晶圆中芯片封装结构、封装方法及芯片成品,应用于半导体封装领域,多项目晶圆的正表面与键合载体键合连接;键合载体表面设置有围堰结构,围堰结构包括第一围堰部和第二围堰部;多项目晶圆的背表面设置有切割道;键合载体表面设置有多个...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,且公开了一种高散热率芯片封装结构,包括基板、绝缘导热胶和塑封盖,塑封盖固定连接在基板的顶部,塑封盖用于密封安装芯片;流道层,流道层包括开设在基板内部的环形腔,环形腔环绕在容置槽的外侧,环形腔和容置槽相互独立;散热...
  • 本发明提供能准确地检测凹槽部的位置的半导体晶圆。半导体晶圆形成有半导体芯片,该半导体晶圆包括:凹槽部,该凹槽部设置于半导体晶圆的边缘部;以及遮光部,该遮光部在半导体晶圆所包含的表面中与形成半导体芯片的表面平行的表面上,设置于凹槽部的外周、或...
  • 本申请实施例提供了一种半导体结构及半导体结构的制造方法,该半导体结构包括:基底;该基底包括衬底和形成于衬底表面的导电线路层;其中,导电线路层包括至少两条间隔分布的导电线路;形成于导电线路层远离衬底一侧的绝缘层;其中,绝缘层内形成有与导电线路...
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